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公开(公告)号：TW201813005A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106121672
申请日：2017-06-28
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/088 , H01L21/823425 , H01L27/0629 , H01L29/0847 , H01L29/4236 , H01L29/7828
摘要： 一種雙向半導體開關元件包括形成在半導體基板上的第一和第二垂直場效應電晶體（FET），串聯在一起。第一FET的源極在基板的第一邊上，第二FET的源極在基板的第二邊上，第二邊和第一邊相對。第一和第二FET的閘極都位於一組共用溝槽中，這組溝槽構成半導體基板的漂流區，漂流區夾在第一和第二FET的源極之間。漂流區作為第一FET和第二FET的共用汲極。
简体摘要： 一种双向半导体开关组件包括形成在半导体基板上的第一和第二垂直场效应晶体管（FET），串联在一起。第一FET的源极在基板的第一边上，第二FET的源极在基板的第二边上，第二边和第一边相对。第一和第二FET的闸极都位于一组共享沟槽中，这组沟槽构成半导体基板的漂流区，漂流区夹在第一和第二FET的源极之间。漂流区作为第一FET和第二FET的共享汲极。
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公开(公告)号：TWI609490B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW103118954
申请日：2014-05-30
发明人： 青木健志 , AOKI, TAKESHI , 福原昇 , FUKUHARA, NOBORU , 佐澤洋幸 , SAZAWA, HIROYUKI
CPC分类号： H01L29/512 , H01L21/02178 , H01L21/02205 , H01L21/0228 , H01L21/28264 , H01L29/4236 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66621 , H01L29/7785 , H01L29/78
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公开(公告)号：TWI608605B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW103142394
申请日：2014-12-05
申请人： 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
发明人： 多木俊裕 , OHKI, TOSHIHIRO , 朱雷 , ZHU, LEI , 岡本直哉 , OKAMOTO, NAOYA , 美濃浦優一 , MINOURA, YUICHI , 尾崎史朗 , OZAKI, SHIROU
IPC分类号： H01L29/20 , H01L29/778 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/205 , H01L29/0878 , H01L29/1045 , H01L29/2003 , H01L29/4236 , H01L29/4983 , H01L29/517 , H01L29/66462 , H01L29/66704 , H01L29/7786 , H01L29/7825
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公开(公告)号：TWI601215B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105130993
申请日：2016-09-26
发明人： 蔡宜龍 , TSAI, YI LUNG , 馬林納 阿亞弟 , MRINAL, ARYADEEP , 阿馬努拉 穆罕默德 , AMANULLAH, MOHAMMAD , 楊博文 , YANG, PO WEN , 梁書祥 , LIANG, SHU SIANG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/513 , H01L29/66666 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7813 , H01L29/7827
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公开(公告)号：TW201735184A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106101373
申请日：2017-01-16
申请人： 創世舫電子有限公司 , TRANSPHORM INC.
发明人： 紐菲爾德 卡爾喬瑟夫 , NEUFELD, CARL JOSEPH , 伍墨 , WU, MO , 吉川俊英 , KIKKAWA, TOSHIHIDE , 米喜拉 鄔梅西 , MISHRA, UMESH , 劉翔 , LIU, XIANG , 羅狄絲 大衛麥可 , RHODES, DAVID MICHAEL , 葛瑞特斯 約翰克里克 , GRITTERS, JOHN KIRK , 萊爾 拉克許K , LAL, RAKESH K.
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/778
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/517 , H01L29/7787 , H01L29/7831
摘要： 一種電晶體，其包括：III-N通道層；III-N阻障層，其在該III-N通道層上；源極接點及汲極接點，該源極接點及該汲極接點電氣耦合至該III-N通道層；絕緣體層，其在該III-N阻障層上；閘極絕緣體，其部分地在該絕緣體層上且部分地在該III-N通道層上，該閘極絕緣體包括一非晶形Al1-xSixO層，其中0.2 ＜ x ＜ 0.8；以及閘電極，其在該閘極絕緣體之上，該閘電極定位在該源極接點與該汲極接點之間。
简体摘要： 一种晶体管，其包括：III-N信道层；III-N阻障层，其在该III-N信道层上；源极接点及汲极接点，该源极接点及该汲极接点电气耦合至该III-N信道层；绝缘体层，其在该III-N阻障层上；闸极绝缘体，其部分地在该绝缘体层上且部分地在该III-N信道层上，该闸极绝缘体包括一非晶形Al1-xSixO层，其中0.2 ＜ x ＜ 0.8；以及闸电极，其在该闸极绝缘体之上，该闸电极定位在该源极接点与该汲极接点之间。
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公开(公告)号：TW201731100A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105121210
申请日：2016-07-05
发明人： 黎 茂林 , LAI, MAU LAM , 蒙 若賢 , MONG, YEUK YIN , 周 德光 , CHAU, DUC QUANG
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0865 , H01L29/0878 , H01L29/1079 , H01L29/1095 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/66734 , H01L29/7802 , H01L29/7811
摘要： 一種VDMOS包括基板、外延層、在外延層中界定的第一和第二類型的溝、在溝中形成的遮罩柵極和控制柵極、在外延層處以及第一和第二溝之間形成的本體區域、在本體區域處形成的N+源極區域、在本體區域下外延層中形成的獨特的摻雜區域，朝溝的底部延伸，以及具有高於外延層的雜質濃度、鄰近溝的外延層和N+源極區域之間界定的溝道、界定延伸到本體區域和第一溝中的接觸孔的絕緣層、對應於接觸孔的本體區域中形成的P+本體拾取區域；以及具有填充在接觸孔中的對接觸點的金屬層，金屬層連接N+源極區域、P+本體拾取區域、和第一類型的溝中的遮罩柵極及/或控制柵極。
简体摘要： 一种VDMOS包括基板、外延层、在外延层中界定的第一和第二类型的沟、在沟中形成的遮罩栅极和控制栅极、在外延层处以及第一和第二沟之间形成的本体区域、在本体区域处形成的N+源极区域、在本体区域下外延层中形成的独特的掺杂区域，朝沟的底部延伸，以及具有高于外延层的杂质浓度、邻近沟的外延层和N+源极区域之间界定的沟道、界定延伸到本体区域和第一沟中的接触孔的绝缘层、对应于接触孔的本体区域中形成的P+本体十取区域；以及具有填充在接触孔中的对接触点的金属层，金属层连接N+源极区域、P+本体十取区域、和第一类型的沟中的遮罩栅极及/或控制栅极。
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公开(公告)号：TW201730974A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105135249
申请日：2016-10-31
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 陳 漢威 , THEN, HAN WUI , 達斯古塔 山薩塔克 , DASGUPTA, SANSAPTAK , 拉多撒福傑維克 馬可 , RADOSAVLJEVIC, MARKO , 珈納 薩納斯 , GARDNER, SANAZ K. , 成承訓 , SUNG, SEUNG HOON
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/778 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7786 , H01L29/0847 , H01L29/2003 , H01L29/4236 , H01L29/66462
摘要： 所揭露為用於形成自對準電晶體結構的技術，自對準電晶體結構包含二維電子氣體(2DEG)源極/汲極尖端部位或尖端。在某些情況下，2DEG源極/汲極尖端使用極化摻雜(polarization doping)而能有例如小於20nm的超短電晶體通道長度，並產生高度導電、薄源極/汲極尖端部位於電晶體裝置中。在一些例子中，2DEG源極/汲極尖端能藉由在基礎III-V族化合物層上以及在虛擬閘極兩側的極化層的自對準再生長來形成於要實質被間隔物所覆蓋的位置中。在某些情況下，III-V族基礎層例如可包括氮化鎵(GaN)或氮化銦鎵(InGaN)，且極化層例如可包括氮化鋁銦(AlInN)、氮化鋁(AlN)、氮化鋁鎵(AlGaN)或氮化鋁銦鎵(AlInGaN)。
简体摘要： 所揭露为用于形成自对准晶体管结构的技术，自对准晶体管结构包含二维电子气体(2DEG)源极/汲极尖端部位或尖端。在某些情况下，2DEG源极/汲极尖端使用极化掺杂(polarization doping)而能有例如小于20nm的超短晶体管信道长度，并产生高度导电、薄源极/汲极尖端部位于晶体管设备中。在一些例子中，2DEG源极/汲极尖端能借由在基础III-V族化合物层上以及在虚拟闸极两侧的极化层的自对准再生长来形成于要实质被间隔物所覆盖的位置中。在某些情况下，III-V族基础层例如可包括氮化镓(GaN)或氮化铟镓(InGaN)，且极化层例如可包括氮化铝铟(AlInN)、氮化铝(AlN)、氮化铝镓(AlGaN)或氮化铝铟镓(AlInGaN)。
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公开(公告)号：TWI594422B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105102024
申请日：2016-01-22
发明人： 李文軍 , LI, WENJUN , 保羅 托魯普 , THORUP, PAUL , 常 虹 , CHANG, HONG , 李亦衡 , LEE, YEEHANG , 向泱 , XIANG, YANG , 鄧 覺為 , DUN, JOWEI , 薛 宏勇 , XUE, HONGYONG , 顧 一鳴 , GU, YIMING
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/778 , H01L29/66 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66666 , H01L21/2658 , H01L21/28035 , H01L29/4236
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公开(公告)号：TWI591828B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW104107081
申请日：2015-03-05
申请人： 東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： 河野洋志 , KONO, HIROSHI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/0415 , H01L21/044 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/36 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/66068 , H01L29/66734
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公开(公告)号：TWI591789B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW102115947
申请日：2013-05-03
发明人： 何薩恩 吉亞 , HOSSAIN, ZIA , 葛利夫納 高登M , GRIVNA, GORDON M. , 巴伯 端恩B , BARBER, DUANE B. , 麥克葛拉司 彼得 , MCGRATH, PETER , 帕滿拿漢 柏拉奇 , PADMANABHAN, BALAJI , 凡卡翠曼 普拉撒 , VENKATRAMAN, PRASAD
IPC分类号： H01L23/552 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/42364 , H01L29/42368 , H01L29/4916 , H01L29/4933 , H01L29/66348 , H01L29/66363 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7811 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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