公开(公告)号：TW201743482A

公开(公告)日：2017-12-16

申请号：TW105141494

申请日：2016-12-15

Applicant: 三星電子股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： 鄭智賢 ,  JEONG, JI-HYUN ,  李鎭宇 ,  LEE, JIN-WOO ,  高寬協 ,  KOH, GWAN-HYEOB ,  姜大煥 ,  KANG, DAE-HWAN

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/144 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/141 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

Abstract: 本發明提供一種記憶體裝置及其製造方法。所述記憶體裝置的記憶體胞元被形成為與第一電極線及第二電極線分隔開，其中位於記憶體胞元之上的第二電極線是藉由鑲嵌製程形成，進而避免與對位於記憶體胞元之上的絕緣層執行的化學機械研磨過量或不充足相關聯的併發問題。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种内存设备及其制造方法。所述内存设备的内存胞元被形成为与第一电极线及第二电极线分隔开，其中位于内存胞元之上的第二电极线是借由镶嵌制程形成，进而避免与对位于内存胞元之上的绝缘层运行的化学机械研磨过量或不充足相关联的并发问题。

公开(公告)号：TW201803169A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW105140056

申请日：2016-12-05

Applicant: 三星電子股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： 李鎭宇 ,  LEE, JIN-WOO ,  朴淳五 ,  PARK, SOON-OH ,  朴正熙 ,  PARK, JEONG-HEE ,  堀井秀樹 ,  HORII, HIDEKI

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1233 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1675

Abstract: 一種可變阻值記憶體裝置包括：一或多個第一導電線的圖案；一或多個第二導電線的圖案；以及記憶體結構，位於第一導電線與第二導電線之間。第一導電線的圖案在基板上在第一方向上延伸，且第一導電線在與第一方向交叉的第二方向上延伸。第二導電線的圖案在第一導電線上在第二方向上延伸，且第二導電線在第一方向上延伸。記憶體結構與第一導電線及第二導電線垂直交疊。記憶體結構包括：電極結構；絕緣圖案，位於電極結構的中心上表面上；以及可變阻值圖案，位於電極結構的邊緣上表面上。可變阻值圖案至少局部地覆蓋絕緣圖案的側壁。

Abstract in simplified Chinese: 一种可变阻值内存设备包括：一或多个第一导电线的图案；一或多个第二导电线的图案；以及内存结构，位于第一导电线与第二导电线之间。第一导电线的图案在基板上在第一方向上延伸，且第一导电线在与第一方向交叉的第二方向上延伸。第二导电线的图案在第一导电线上在第二方向上延伸，且第二导电线在第一方向上延伸。内存结构与第一导电线及第二导电线垂直交叠。内存结构包括：电极结构；绝缘图案，位于电极结构的中心上表面上；以及可变阻值图案，位于电极结构的边缘上表面上。可变阻值图案至少局部地覆盖绝缘图案的侧壁。

公开(公告)号：TW201833303A

公开(公告)日：2018-09-16

申请号：TW106140735

申请日：2017-11-23

Applicant: 南韓商三星電子股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. ,  南韓商秀博瑞殷股份有限公司 ,  SOULBRAIN CO., LTD.

Inventor： 李軫雨 ,  LEE, JIN-WOO ,  金建伶 ,  KIM, KEON-YOUNG ,  韓勳 ,  HAN, HOON ,  林廷訓 ,  LIM, JUNG-HUN ,  李珍旭 ,  LEE, JIN-UK ,  朴宰完 ,  PARK, JAE-WAN

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本發明是有關於一種蝕刻劑組成物以及一種使用其製造積體電路裝置的方法。一種蝕刻劑組成物包含無機酸、矽氧烷化合物、銨化合物及溶劑，其中矽氧烷化合物是由通式（I）表示：一種製造積體電路裝置的方法包括：在基板上形成結構，結構具有在上面暴露出氧化物膜及氮化物膜的表面；以及藉由使蝕刻劑組成物與結構接觸，自氧化物膜及氮化物膜選擇性地移除氮化物膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明是有关于一种蚀刻剂组成物以及一种使用其制造集成电路设备的方法。一种蚀刻剂组成物包含无机酸、硅氧烷化合物、铵化合物及溶剂，其中硅氧烷化合物是由通式（I）表示：一种制造集成电路设备的方法包括：在基板上形成结构，结构具有在上面暴露出氧化物膜及氮化物膜的表面；以及借由使蚀刻剂组成物与结构接触，自氧化物膜及氮化物膜选择性地移除氮化物膜。

公开(公告)号：TW201830686A

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：TW106120862

申请日：2017-06-22

Applicant: 三星電子股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： 吴哲 ,  WU, ZHE ,  安東浩 ,  AHN, DONG-HO ,  堀井秀樹 ,  HORII, HIDEKI ,  朴淳五 ,  PARK, SOON-OH ,  朴正熙 ,  PARK, JEONG-HEE ,  李鎭宇 ,  LEE, JIN-WOO ,  成東俊 ,  SEONG, DONG-JUN ,  崔雪 ,  CHOI, SEOL

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

Abstract: 一種記憶體裝置。所述記憶體裝置包括可變電阻層以及電性連接於所述可變電阻層的選擇裝置層。所述記憶體裝置更包括例如可降低漏電流的硫屬化合物開關材料並例如具有如下化學式1的組成物： [GeXSiY（AsaTe1-a）Z]（1-U）[N]U＜化學式1＞ 其中0.05≤X≤0.1，0.15≤Y≤0.25，0.7≤Z≤0.8，X+Y+Z=1，0.45≤a≤0.6，且0.08≤U≤0.2。

Abstract in simplified Chinese: 一种内存设备。所述内存设备包括可变电阻层以及电性连接于所述可变电阻层的选择设备层。所述内存设备更包括例如可降低漏电流的硫属化合物开关材料并例如具有如下化学式1的组成物： [GeXSiY（AsaTe1-a）Z]（1-U）[N]U＜化学式1＞ 其中0.05≤X≤0.1，0.15≤Y≤0.25，0.7≤Z≤0.8，X+Y+Z=1，0.45≤a≤0.6，且0.08≤U≤0.2。