公开(公告)号：TWI333281B

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：TW096114749

申请日：2007-04-26

申请人： 三菱電機股份有限公司

发明人： 井上和式 ,  石賀展昭 ,  長山顯祐 ,  河瀨和雅

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/4908 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

摘要： 【課題】本發明係提供在未透過高融點金屬膜的情況下，可使由以Al為主成分的電極/配線、與透明電極層進行直接接觸的半導體裝置(device)及製造方法。
【解決手段】本發明的半導體裝置(device)係至少在絕緣基板上包括：半導體層、電氣式耦接於上述半導體層的Al合金膜、以及直接接觸於上述Al合金膜的透明電極層；之半導體裝置(device)；其中，上述Al合金膜係含有從Fe、Co、Ni中選擇1種以上的元素，且合計0.5~10mol%，而其餘則實質由Al構成。

简体摘要： 【课题】本发明系提供在未透过高融点金属膜的情况下，可使由以Al为主成分的电极/配线、与透明电极层进行直接接触的半导体设备(device)及制造方法。 【解决手段】本发明的半导体设备(device)系至少在绝缘基板上包括：半导体层、电气式耦接于上述半导体层的Al合金膜、以及直接接触于上述Al合金膜的透明电极层；之半导体设备(device)；其中，上述Al合金膜系含有从Fe、Co、Ni中选择1种以上的元素，且合计0.5~10mol%，而其余则实质由Al构成。

公开(公告)号：TWI378471B

公开(公告)日：2012-12-01

申请号：TW097130651

申请日：2008-08-12

申请人： 三菱電機股份有限公司

发明人： 井上和式 ,  石賀展昭 ,  長山顕祐 ,  津村直樹 ,  中畑匠

IPC分类号： H01B ,  H01L ,  C22C

CPC分类号： H01L23/53219 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  Y10T428/12438 ,  H01L2924/00

摘要： 【課題】提供不僅防止與ITO或矽之界面擴散，且可適用於要求低溫製程之各種電子裝置之低電阻電極膜用鋁合金膜。
【解決手段】與本發明之一形態有關之鋁合金膜，係包含由鎳形成之第1添加元素與從屬於元素週期表之週期2或3之2a族的鹼土族金屬、3b、4b族的半金屬中選出至少1種類以上之第2添加元素。又，第1添加元素的組合比為0.5~5at%、第2添加元素的組合比為0.1~3at%。

简体摘要： 【课题】提供不仅防止与ITO或硅之界面扩散，且可适用于要求低温制程之各种电子设备之低电阻电极膜用铝合金膜。 【解决手段】与本发明之一形态有关之铝合金膜，系包含由镍形成之第1添加元素与从属于元素周期表之周期2或3之2a族的碱土族金属、3b、4b族的半金属中选出至少1种类以上之第2添加元素。又，第1添加元素的组合比为0.5~5at%、第2添加元素的组合比为0.1~3at%。

公开(公告)号：TW356560B

公开(公告)日：1999-04-21

申请号：TW086114917

申请日：1997-10-13

申请人： 三菱電機股份有限公司

发明人： 井上和式 ,  永田一志 ,  森田毅 ,  ?田和之

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/66765 ,  G02B6/0006 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

摘要： 本發明以提供能減低蝕刻程序所用藥液的換新頻度，並由削減成膜程序所用目標物數以達成低生產成本的TFT( Thin Film Transistor)為目的。
本發明之薄膜電晶體之閘極，源極，及汲極中之至少1電極為由同一材料形成，並且該1電極之膜質為依膜厚方向變化。又本發明之薄膜電晶體的製法包含(1)使1電極之膜質沿膜厚方向變化，沿膜厚方向使其蝕刻率變化而形成該1電極；(2)對該1電極實施蝕刻以形成錐形面的程序。

简体摘要： 本发明以提供能减低蚀刻进程所用药液的换新频度，并由削减成膜进程所用目标物数以达成低生产成本的TFT( Thin Film Transistor)为目的。 本发明之薄膜晶体管之闸极，源极，及汲极中之至少1电极为由同一材料形成，并且该1电极之膜质为依膜厚方向变化。又本发明之薄膜晶体管的制法包含(1)使1电极之膜质沿膜厚方向变化，沿膜厚方向使其蚀刻率变化而形成该1电极；(2)对该1电极实施蚀刻以形成锥形面的进程。

公开(公告)号：TW495630B

公开(公告)日：2002-07-21

申请号：TW087119723

申请日：1998-11-27

申请人： 三菱電機股份有限公司 ,  先進顯示股份有限公司

发明人： 田和之 ,  井上和式 ,  竹口徹 ,  中村伸宏 ,  山田勝

IPC分类号： H01L ,  G02F

CPC分类号： H01L29/66765 ,  G02F2001/136295 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

摘要： 本發明係關於一種薄膜電晶體、該薄膜電晶體之製造方法及使用陣列基板之液晶顯示裝置；也就是說，本發明係使用低電阻鋁配線材料，而提供一種能降低生產成本及生產性提高的高性能TFT及其製造方法及液晶顯示裝置；本發明的薄膜電晶體至少包含有一成為第1電極(形成在透明絕緣性基板上)的閘極、源極及汲極；絕緣膜，該絕緣膜覆蓋該第1電極及上述透明絕緣性基板而形成；在上述絕緣膜上形成的第2電極。上述第1電極係自第1層及第2層轉變成純鋁及鋁合金中之一者轉變成下層的第1層，將至少一種衍生自氮、氧、矽及碳的不純物添加在純鋁及鋁合金中之一者而變成第2層，上述第2電極係自透明膜電極轉變成，上述第2電極電氣上連接至上述第1電極的第2層。

简体摘要： 本发明系关于一种薄膜晶体管、该薄膜晶体管之制造方法及使用数组基板之液晶显示设备；也就是说，本发明系使用低电阻铝配线材料，而提供一种能降低生产成本及生产性提高的高性能TFT及其制造方法及液晶显示设备；本发明的薄膜晶体管至少包含有一成为第1电极(形成在透明绝缘性基板上)的闸极、源极及汲极；绝缘膜，该绝缘膜覆盖该第1电极及上述透明绝缘性基板而形成；在上述绝缘膜上形成的第2电极。上述第1电极系自第1层及第2层转变成纯铝及铝合金中之一者转变成下层的第1层，将至少一种衍生自氮、氧、硅及碳的不纯物添加在纯铝及铝合金中之一者而变成第2层，上述第2电极系自透明膜电极转变成，上述第2电极电气上连接至上述第1电极的第2层。

公开(公告)号：TWI385731B

公开(公告)日：2013-02-11

申请号：TW097132904

申请日：2008-08-28

申请人： 三菱電機股份有限公司 ,  MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION

发明人： 井上和式 ,  KAZUNORI INOUE ,  石賀展昭 ,  NOBUAKI ISHIGA ,  長山顕祐 ,  KENSUKE NAGAYAMA ,  津村直樹 ,  NAOKI TSUMURA ,  中畑匠 ,  TAKUMI NAKAHATA ,  河瀬和雅 ,  KAZUMASA KAWASE

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1368

CPC分类号： H01L21/2855 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW406311B

公开(公告)日：2000-09-21

申请号：TW087118035

申请日：1998-10-30

申请人： 三菱電機股份有限公司

发明人： 井上和式 ,  青木理 ,  熊谷宗人 ,  野海茂昭 ,  竹口徹

IPC分类号： H01L ,  G02F

CPC分类号： H01L29/66765

摘要： 為了提供透過層間絕緣膜之接觸孔的圖素電極與汲極電極的接觸電阻值，且可穩定於10E4Ω以下之TFT陣列之製造方法及液晶顯示裝置，本發明之液晶顯示裝置用TFT之製造方法，包含有:形成TFT的步驟;在使前述透明絕緣性基扳上形成表面被平坦化的層間絕緣膜以消除起因於該 TFT區域之段差部的步驟;於該層間絕緣膜之汲極電極的上部設置接觸孔，且於該層間絕緣膜上形成圖素電極俾使之透過該接觸孔與下部之汲極電極電氣連接的步驟;以及在前述層間絕緣膜上形成接觸孔之後，為了使接觸部表面清靜化而對包含露出於該接觸孔部之前述下部汲極電極表面的基板表面進行表面處理的步驟。

简体摘要： 为了提供透过层间绝缘膜之接触孔的图素电极与汲极电极的接触电阻值，且可稳定于10E4Ω以下之TFT数组之制造方法及液晶显示设备，本发明之液晶显示设备用TFT之制造方法，包含有:形成TFT的步骤;在使前述透明绝缘性基扳上形成表面被平坦化的层间绝缘膜以消除起因于该 TFT区域之段差部的步骤;于该层间绝缘膜之汲极电极的上部设置接触孔，且于该层间绝缘膜上形成图素电极俾使之透过该接触孔与下部之汲极电极电气连接的步骤;以及在前述层间绝缘膜上形成接触孔之后，为了使接触部表面清静化而对包含露出于该接触孔部之前述下部汲极电极表面的基板表面进行表面处理的步骤。