公开(公告)号：TWI523087B

公开(公告)日：2016-02-21

申请号：TW101117566

申请日：2012-05-17

申请人： 神戶製鋼所股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)

发明人： 奧野博行 ,  OKUNO, HIROYUKI ,  釘宮敏洋 ,  KUGIMIYA, TOSHIHIRO ,  橫田嘉宏 ,  YOKOTA, YOSHIHIRO ,  前田剛彰 ,  MAEDA, TAKEAKI

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/203 ,  H01L21/285 ,  H01L29/78 ,  C23C14/14

CPC分类号： H01L23/53219 ,  C22C21/00 ,  C22C21/02 ,  C22C21/12 ,  C22C21/14 ,  C22F1/04 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12431 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201526108A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：TW103133003

申请日：2014-09-24

申请人： 日本輕金屬股份有限公司 ,  NIPPON LIGHT METAL COMPANY, LTD. ,  富士電機股份有限公司 ,  FUJI ELECTRIC CO., LTD.

发明人： 岡田浩 ,  OKADA, HIROSHI ,  白井孝太 ,  SHIRAI, KOTA ,  外薗洋昭 ,  HOKAZONO, HIROAKI ,  塩川国夫 ,  SHIOKAWA, KUNIO

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC分类号： C22C21/00 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3414 ,  H01L23/53219 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 可提高高溫環境下的電極膜的可靠度。 半導體元件(20)是具有以鋁作為主成分的電極膜(21)。此電極膜(21)是含鋁及添加於鋁的添加金屬之第二相粒子會被分散析出，該第二相粒子的面積率為9%以上。如此的半導體元件(20)的電極膜(21)會產生析出硬化而變堅固。因此，電極膜(21)在高溫環境下應力遷移(stress-migration)的發生會被抑制，耐熱循環特性會提升，可靠度會提升。因此，含如此的電極膜(21)的半導體元件(20)也提升可靠度，改善壽命。

简体摘要： 可提高高温环境下的电极膜的可靠度。 半导体组件(20)是具有以铝作为主成分的电极膜(21)。此电极膜(21)是含铝及添加于铝的添加金属之第二相粒子会被分散析出，该第二相粒子的面积率为9%以上。如此的半导体组件(20)的电极膜(21)会产生析出硬化而变坚固。因此，电极膜(21)在高温环境下应力迁移(stress-migration)的发生会被抑制，耐热循环特性会提升，可靠度会提升。因此，含如此的电极膜(21)的半导体组件(20)也提升可靠度，改善寿命。

公开(公告)号：TWI419337B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：TW100136734

申请日：2005-03-07

申请人： 出光興產股份有限公司 ,  IDEMITSU KOSAN CO., LTD.

发明人： 井上一吉 ,  笘井重和 ,  TOMAI, SHIGEKAZU ,  松原雅人

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78696 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  H01L23/53219 ,  H01L23/53247 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201310512A

公开(公告)日：2013-03-01

申请号：TW101117566

申请日：2012-05-17

申请人： 神戶製鋼所股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)

发明人： 奧野博行 ,  OKUNO, HIROYUKI ,  釘宮敏洋 ,  KUGIMIYA, TOSHIHIRO ,  橫田嘉宏 ,  YOKOTA, YOSHIHIRO ,  前田剛彰 ,  MAEDA, TAKEAKI

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/203 ,  H01L21/285 ,  H01L29/78 ,  C23C14/14

CPC分类号： H01L23/53219 ,  C22C21/00 ,  C22C21/02 ,  C22C21/12 ,  C22C21/14 ,  C22F1/04 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12431 ,  H01L2924/00

摘要： 提供一種半導體裝置用Al合金膜，即使在曝露於高溫下之情形，仍會抑制小丘(hillock)的產生且耐熱性優良，且膜本身的電阻率被抑制得較低。本發明係有關一種半導體裝置用Al合金膜，進行以500℃保持30分鐘之加熱處理後，滿足下述(a)~(c)所有條件，且膜厚為500nm~5μm；(a)鋁基(Al matrix)之最大粒徑為800nm以下、(b)小丘(hillock)密度為1×109個/m2未滿、(c)電阻率為10μΩcm以下。

简体摘要： 提供一种半导体设备用Al合金膜，即使在曝露于高温下之情形，仍会抑制小丘(hillock)的产生且耐热性优良，且膜本身的电阻率被抑制得较低。本发明系有关一种半导体设备用Al合金膜，进行以500℃保持30分钟之加热处理后，满足下述(a)~(c)所有条件，且膜厚为500nm~5μm；(a)铝基(Al matrix)之最大粒径为800nm以下、(b)小丘(hillock)密度为1×109个/m2未满、(c)电阻率为10μΩcm以下。

公开(公告)号：TWI613634B

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW105102572

申请日：2008-01-25

申请人： 新力股份有限公司 ,  SONY CORPORATION

发明人： 三並徹雄 ,  MINAMI, TETSUO ,  飯田幸人 ,  IIDA, YUKIHITO ,  內野勝秀 ,  UCHINO, KATSUHIDE

IPC分类号： G09G3/30

CPC分类号： G09G3/3258 ,  G09G3/3233 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2320/0223 ,  G09G2320/043 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L27/3276 ,  H01L27/3279 ,  H01L29/78672 ,  H01L2251/5392

公开(公告)号：TW201611200A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：TW104117241

申请日：2015-05-28

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 吉永康之 ,  YOSHINAGA, YASUYUKI ,  貞方健太 ,  SADAKATA, KENTA

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/492 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/53219 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/535 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7396 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33106 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01014

摘要： 本發明之課題在於提高半導體裝置之可靠性。 本發明之半導體裝置CP包含：端子用之導電膜圖案即配線M1，其形成於半導體基板SB上之絕緣膜IL上；絕緣膜PA，其係以覆蓋配線M1之方式形成於絕緣膜IL上；及鎳層ME1，其形成於自絕緣膜PA之開口部OP露出之部分之配線M1上。配線M1包含積層膜，該積層膜具有以鋁為主成分之主導體膜MC、與形成於主導體膜MC之上表面整體上之導體膜BR，導體膜BR包含鈦膜、鎢膜、或鎢化鈦膜。鎳層ME1係形成於自開口部OP露出之部分之導體膜BR上。

简体摘要： 本发明之课题在于提高半导体设备之可靠性。 本发明之半导体设备CP包含：端子用之导电膜图案即配线M1，其形成于半导体基板SB上之绝缘膜IL上；绝缘膜PA，其系以覆盖配线M1之方式形成于绝缘膜IL上；及镍层ME1，其形成于自绝缘膜PA之开口部OP露出之部分之配线M1上。配线M1包含积层膜，该积层膜具有以铝为主成分之主导体膜MC、与形成于主导体膜MC之上表面整体上之导体膜BR，导体膜BR包含钛膜、钨膜、或钨化钛膜。镍层ME1系形成于自开口部OP露出之部分之导体膜BR上。

公开(公告)号：TW201523373A

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：TW103119354

申请日：2014-06-04

申请人： 神戶製鋼所股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)

发明人： 志田陽子 ,  SHIDA, YOKO ,  後藤裕史 ,  GOTO, HIROSHI ,  越智元隆 ,  OCHI, MOTOTAKA

IPC分类号： G06F3/041 ,  H01B5/14

CPC分类号： G06F3/047 ,  B32B15/01 ,  B32B15/017 ,  C22C9/00 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C21/00 ,  G06F3/041 ,  G06F3/043 ,  G06F3/044 ,  G06F3/045 ,  G06F2203/04103 ,  H01L23/53219 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明之觸控面板感測器用配線膜係由：形成在透明導電膜之上，且由純Cu或以Cu為主成分的Cu合金(第1層)；及形成在第1層之上，且由以10原子%以下的範圍含有純Al；或選自由Ta、Nd、及Ti所成群組的至少一種元素的Al合金(第2層)的積層構造所構成。

简体摘要： 本发明之触摸皮肤传感器用配线膜系由：形成在透明导电膜之上，且由纯Cu或以Cu为主成分的Cu合金(第1层)；及形成在第1层之上，且由以10原子%以下的范围含有纯Al；或选自由Ta、Nd、及Ti所成群组的至少一种元素的Al合金(第2层)的积层构造所构成。

公开(公告)号：TW201303051A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：TW101106537

申请日：2012-02-29

申请人： 神戶製鋼所股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)

发明人： 奧野博行 ,  OKUNO, HIROYUKI ,  釘宮敏洋 ,  KUGIMIYA, TOSHIHIRO

IPC分类号： C23C14/18 ,  C23C14/34 ,  H01L21/28 ,  H01L29/45

CPC分类号： C22C21/00 ,  C22F1/04 ,  C23C14/165 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/2855 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明之目的，係在提供高溫耐熱性優良，膜本身之電阻(配線電阻)也較低，鹼性環境下之耐蝕性也較優良之顯示裝置用Al合金膜。本發明，係與含有Ge(0.01~2.0原子%)、及X群元素(Ta、Ti、Zr、Hf、W、Cr、Nb、Mo、Ir、Pt、Re、及/或Os)，而且，執行450~600℃之加熱處理時，控制含有Al、X群元素、及Ge之析出物之圓相當直徑為50nm以上之析出物的密度之Al合金膜相關。

简体摘要： 本发明之目的，系在提供高温耐热性优良，膜本身之电阻(配线电阻)也较低，碱性环境下之耐蚀性也较优良之显示设备用Al合金膜。本发明，系与含有Ge(0.01~2.0原子%)、及X群元素(Ta、Ti、Zr、Hf、W、Cr、Nb、Mo、Ir、Pt、Re、及/或Os)，而且，运行450~600℃之加热处理时，控制含有Al、X群元素、及Ge之析出物之圆相当直径为50nm以上之析出物的密度之Al合金膜相关。

公开(公告)号：TW201207523A

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：TW100111316

申请日：2011-03-31

申请人： 神戶製鋼所股份有限公司

发明人： 奧野博行 ,  前田剛彰 ,  後藤裕史

IPC分类号： G02F ,  H01L

CPC分类号： H01L23/53219 ,  H01L23/53223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提供一種即使防止起因於水份從裂痕侵入的金屬配線端面的腐蝕,或者金屬配線端面產生腐蝕的情形下,也能防止該腐蝕到達構成驅動液晶顯示裝置之液晶顯示部分的閘極線等之金屬配線的技術。本發明係有關一種配線構造,針對在基板之上具有於同一平面上形成有複數金屬配線,且在金屬配線之上形成有絕緣膜的層積構成,且具有利用切割加工露出切斷端面之第一金屬配線的配線構造,其特徵為:當第一金屬配線的線寬為X(���m)、第一金屬配線的長度為Y(���m)時,滿足(1)或(2)及/或下述(3)之要件;當(1)X≦20���m、(2)X>20���m時,Y≧10X-160,(3)在第一金屬配線之切斷端面至鄰接於第一金屬配線的第二金屬配線之間,第一金屬配線具有絕緣膜不存在的區域Z。又,本發明是有關一種配線構造,為一種在基板上具有利用切割加工露出切斷端面的第一金屬配線、第二金屬配線、和絕緣膜的顯示裝置用配線構造,前述第一金屬配線係具有100���m以上的不連續部,因前述不連續部而分斷的各第一金屬配線,係因第二金屬配線而連結,前述被分斷的第一金屬配線和前述第二金屬配線的接觸界面的至少一方,係具有比構成前述第一金屬配線或前述第二金屬配線的金屬微貴的金屬的腐蝕防止層為其特徵。

简体摘要： 提供一种即使防止起因于水份从裂痕侵入的金属配线端面的腐蚀,或者金属配线端面产生腐蚀的情形下,也能防止该腐蚀到达构成驱动液晶显示设备之液晶显示部分的闸极线等之金属配线的技术。本发明系有关一种配线构造,针对在基板之上具有于同一平面上形成有复数金属配线,且在金属配线之上形成有绝缘膜的层积构成,且具有利用切割加工露出切断端面之第一金属配线的配线构造,其特征为:当第一金属配线的线宽为X(���m)、第一金属配线的长度为Y(���m)时,满足(1)或(2)及/或下述(3)之要件;当(1)X≦20���m、(2)X>20���m时,Y≧10X-160,(3)在第一金属配线之切断端面至邻接于第一金属配线的第二金属配线之间,第一金属配线具有绝缘膜不存在的区域Z。又,本发明是有关一种配线构造,为一种在基板上具有利用切割加工露出切断端面的第一金属配线、第二金属配线、和绝缘膜的显示设备用配线构造,前述第一金属配线系具有100���m以上的不连续部,因前述不连续部而分断的各第一金属配线,系因第二金属配线而链接,前述被分断的第一金属配线和前述第二金属配线的接触界面的至少一方,系具有比构成前述第一金属配线或前述第二金属配线的金属微贵的金属的腐蚀防止层为其特征。

公开(公告)号：TW200921789A

公开(公告)日：2009-05-16

申请号：TW097129446

申请日：2008-08-01

申请人： 美光科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 保羅A 法拉 FARRAR, PAUL A.

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/53219 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76877 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明揭示一種金屬間導電材料,其用於形成一積體電路中之互連件。在一些情況下,該金屬間導電材料可為鋁之一金屬間合金。

简体摘要： 本发明揭示一种金属间导电材料,其用于形成一集成电路中之互连件。在一些情况下,该金属间导电材料可为铝之一金属间合金。