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公开(公告)号：TWI542051B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW099133793
申请日：2010-10-04
Applicant: 亞伯契有限責任公司 , AMBATURE LLC
Inventor： 吉爾伯特 道格拉斯J , GILBERT, DOUGLAS J. , 凱爾 提摩西S , CALE, TIMOTHY S.
CPC classification number: H01L39/128 , H01L39/12 , H01L39/24 , H01L39/2422 , Y10T29/49014 , Y10T428/24322 , Y10T428/31678
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2.发明专利高溫超導體材料及其改質或產生方法 HIGH TEMPERATURE SUPERCONDUCTING MATERIALS AND METHODS FOR MODIFYING AND CREATING SAME 审中-公开高温超导体材料及其改质或产生方法 HIGH TEMPERATURE SUPERCONDUCTING MATERIALS AND METHODS FOR MODIFYING AND CREATING SAME
公开(公告)号：TW201128826A
公开(公告)日：2011-08-16
申请号：TW099133795
申请日：2010-10-04
Applicant: 亞伯契有限責任公司
Inventor： 吉爾伯特 道格拉斯J
CPC classification number: H01L39/128 , H01L39/12 , H01L39/24 , H01L39/2422 , Y10T29/49014 , Y10T428/24322 , Y10T428/31678
Abstract: 在本發明之一些實施例中,可對現有的高溫超導體材料(「HTS材料」)進行改質及/或可產生新穎HTS材料,此係藉由增强HTS材料內之孔隙(在現有HTS材料的情況下)及/或在HTS材料內產生孔隙(在新穎HTS材料的情況下),以使得孔隙在較高溫度下得以維持,以免阻礙電荷之傳導通過孔隙。在本發明之一些實施例中,只要電荷之傳導通過孔隙保持不受阻礙,則該材料應保持在超導狀態;否則,當電荷之傳導通過孔隙受阻時,則HTS材料開始轉變為非超導狀態。
Abstract in simplified Chinese: 在本发明之一些实施例中,可对现有的高温超导体材料(“HTS材料”)进行改质及/或可产生新颖HTS材料,此系借由增强HTS材料内之孔隙(在现有HTS材料的情况下)及/或在HTS材料内产生孔隙(在新颖HTS材料的情况下),以使得孔隙在较高温度下得以维持,以免阻碍电荷之传导通过孔隙。在本发明之一些实施例中,只要电荷之传导通过孔隙保持不受阻碍,则该材料应保持在超导状态;否则,当电荷之传导通过孔隙受阻时,则HTS材料开始转变为非超导状态。
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3.发明专利極低電阻材料及其改質與產生方法 EXTREMELY LOW RESISTANCE MATERIALS AND METHODS FOR MODIFYING AND CREATING SAME 审中-公开极低电阻材料及其改质与产生方法 EXTREMELY LOW RESISTANCE MATERIALS AND METHODS FOR MODIFYING AND CREATING SAME
公开(公告)号：TW201130178A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099133794
申请日：2010-10-04
Applicant: 亞伯契有限責任公司
Inventor： 吉爾伯特 道格拉斯J
IPC: H01L
CPC classification number: H01B12/06 , B05D1/36 , H01B1/08 , H01B12/14 , H01C7/00 , H01L39/12 , H01L39/125 , H01L39/126 , H01L39/24 , H01L39/2419 , H01L39/2464 , H01L39/2487 , Y10T428/31678
Abstract: 在本發明之一些實施例中,可對現有的極低電阻材料(「ELR材料」)進行改質且/或可產生新穎ELR材料,此係藉由增强ELR材料內之孔隙(在現有ELR材料的情況下)及/或在ELR材料內產生孔隙(在新穎ELR材料的情況下),以使得孔隙在較高溫度下得以維持,以免阻礙電荷傳導通過孔隙。在本發明之一些實施例中,只要電荷之傳導通過孔隙保持不受阻礙,則該材料應保持在ELR狀態;否則,當電荷傳導通過孔隙受阻時,則ELR材料開始轉變為非ELR狀態。
Abstract in simplified Chinese: 在本发明之一些实施例中,可对现有的极低电阻材料(“ELR材料”)进行改质且/或可产生新颖ELR材料,此系借由增强ELR材料内之孔隙(在现有ELR材料的情况下)及/或在ELR材料内产生孔隙(在新颖ELR材料的情况下),以使得孔隙在较高温度下得以维持,以免阻碍电荷传导通过孔隙。在本发明之一些实施例中,只要电荷之传导通过孔隙保持不受阻碍,则该材料应保持在ELR状态;否则,当电荷传导通过孔隙受阻时,则ELR材料开始转变为非ELR状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI532227B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW099133794
申请日：2010-10-04
Applicant: 亞伯契有限責任公司 , AMBATURE LLC
Inventor： 吉爾伯特 道格拉斯J , GILBERT, DOUGLAS J.
CPC classification number: H01B12/06 , B05D1/36 , H01B1/08 , H01B12/14 , H01C7/00 , H01L39/12 , H01L39/125 , H01L39/126 , H01L39/24 , H01L39/2419 , H01L39/2464 , H01L39/2487 , Y10T428/31678
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5.发明专利高溫超導體薄膜及其改質或產生方法 HIGH TEMPERATURE SUPERCONDUCTING FILMS AND METHODS FOR MODIFYING OR CREATING SAME 审中-公开高温超导体薄膜及其改质或产生方法 HIGH TEMPERATURE SUPERCONDUCTING FILMS AND METHODS FOR MODIFYING OR CREATING SAME
公开(公告)号：TW201135992A
公开(公告)日：2011-10-16
申请号：TW099133793
申请日：2010-10-04
Applicant: 亞伯契有限責任公司
Inventor： 吉爾伯特 道格拉斯J , 凱爾 提摩西S
IPC: H01L
CPC classification number: H01L39/128 , H01L39/12 , H01L39/24 , H01L39/2422 , Y10T29/49014 , Y10T428/24322 , Y10T428/31678
Abstract: 包含HTS材料之高溫超導體(「HTS」)薄膜的操作特性可藉由在HTS薄膜之適當表面上沈積改質材料以產生經改質HTS薄膜來改良。在本發明之一些實施例中,HTS薄膜可呈「c薄膜」形式。在本發明之一些實施例中,HTS薄膜可呈「a-b薄膜」、「a薄膜」或「b薄膜」形式。經改質HTS薄膜相對於單獨的HTS薄膜或不含改質材料之HTS薄膜具有改良之操作特性。此等操作特性可包括在較高溫度下以超導狀態操作、傳遞額外電荷、以改良之磁性質操作、以改良之機械性質或其他改良之操作特性操作。在本發明之一些實施例中,HTS材料為混合價銅氧化物鈣鈦礦,諸如(但不限於)YBCO。在本發明之一些實施例中,改質材料為容易鍵結於氧的導電材料,諸如(但不限於)鉻。
Abstract in simplified Chinese: 包含HTS材料之高温超导体(“HTS”)薄膜的操作特性可借由在HTS薄膜之适当表面上沉积改质材料以产生经改质HTS薄膜来改良。在本发明之一些实施例中,HTS薄膜可呈“c薄膜”形式。在本发明之一些实施例中,HTS薄膜可呈“a-b薄膜”、“a薄膜”或“b薄膜”形式。经改质HTS薄膜相对於单独的HTS薄膜或不含改质材料之HTS薄膜具有改良之操作特性。此等操作特性可包括在较高温度下以超导状态操作、传递额外电荷、以改良之磁性质操作、以改良之机械性质或其他改良之操作特性操作。在本发明之一些实施例中,HTS材料为混合价铜氧化物钙钛矿,诸如(但不限于)YBCO。在本发明之一些实施例中,改质材料为容易键结于氧的导电材料,诸如(但不限于)铬。
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公开(公告)号：TWI566445B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW099133795
申请日：2010-10-04
Applicant: 亞伯契有限責任公司 , AMBATURE LLC
Inventor： 吉爾伯特 道格拉斯J , GILBERT, DOUGLAS J.
CPC classification number: H01L39/128 , H01L39/12 , H01L39/24 , H01L39/2422 , Y10T29/49014 , Y10T428/24322 , Y10T428/31678
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公开(公告)号：TWI528606B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW099133798
申请日：2010-10-04
Applicant: 亞伯契有限責任公司 , AMBATURE LLC
Inventor： 吉爾伯特 道格拉斯J , GILBERT, DOUGLAS J. , 凱爾 提摩西S , CALE, TIMOTHY S.
CPC classification number: H01B12/06 , B05D1/36 , H01B1/08 , H01B12/14 , H01C7/00 , H01L39/12 , H01L39/125 , H01L39/126 , H01L39/24 , H01L39/2419 , H01L39/2464 , H01L39/2487 , Y10T428/31678
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8.发明专利極低電阻薄膜及其改質與產生方法 EXTREMELY LOW RESISTANCE FILMS AND METHODS FOR MODIFYING AND CREATING SAME 审中-公开极低电阻薄膜及其改质与产生方法 EXTREMELY LOW RESISTANCE FILMS AND METHODS FOR MODIFYING AND CREATING SAME
公开(公告)号：TW201130179A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099133798
申请日：2010-10-04
Applicant: 亞伯契有限責任公司
Inventor： 吉爾伯特 道格拉斯J , 凱爾 提摩西S
IPC: H01L
CPC classification number: H01B12/06 , B05D1/36 , H01B1/08 , H01B12/14 , H01C7/00 , H01L39/12 , H01L39/125 , H01L39/126 , H01L39/24 , H01L39/2419 , H01L39/2464 , H01L39/2487 , Y10T428/31678
Abstract: 包含ELR材料之極低電阻(「ELR」)薄膜的操作特性可藉由在ELR薄膜之適當表面上沈積改質材料以產生經改質ELR薄膜來改良。在本發明之一些實施例中,ELR薄膜可呈「c薄膜」形式。在本發明之一些實施例中,ELR薄膜可呈「a-b薄膜」、「a薄膜」或「b薄膜」形式。經改質ELR薄膜相對於單獨的ELR薄膜或不含改質材料之ELR薄膜具有改良之操作特性。此等操作特性可包括在較高溫度下以ELR狀態操作、傳遞額外電荷、以改良之磁性質操作、以改良之機械性質或其他改良之操作特性操作。在本發明之一些實施例中,ELR材料為混合價銅氧化物鈣鈦礦,諸如(但不限於)YBCO。在本發明之一些實施例中,改質材料為容易鍵結於氧的導電材料,諸如(但不限於)鉻。
Abstract in simplified Chinese: 包含ELR材料之极低电阻(“ELR”)薄膜的操作特性可借由在ELR薄膜之适当表面上沉积改质材料以产生经改质ELR薄膜来改良。在本发明之一些实施例中,ELR薄膜可呈“c薄膜”形式。在本发明之一些实施例中,ELR薄膜可呈“a-b薄膜”、“a薄膜”或“b薄膜”形式。经改质ELR薄膜相对於单独的ELR薄膜或不含改质材料之ELR薄膜具有改良之操作特性。此等操作特性可包括在较高温度下以ELR状态操作、传递额外电荷、以改良之磁性质操作、以改良之机械性质或其他改良之操作特性操作。在本发明之一些实施例中,ELR材料为混合价铜氧化物钙钛矿,诸如(但不限于)YBCO。在本发明之一些实施例中,改质材料为容易键结于氧的导电材料,诸如(但不限于)铬。
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