公开(公告)号：TWI542051B

公开(公告)日：2016-07-11

申请号：TW099133793

申请日：2010-10-04

Applicant: 亞伯契有限責任公司 ,  AMBATURE LLC

Inventor： 吉爾伯特 道格拉斯J ,  GILBERT, DOUGLAS J. ,  凱爾 提摩西S ,  CALE, TIMOTHY S.

IPC: H01L39/12 ,  H01L39/24

CPC classification number: H01L39/128 ,  H01L39/12 ,  H01L39/24 ,  H01L39/2422 ,  Y10T29/49014 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/31678

公开(公告)号：TWI528606B

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：TW099133798

申请日：2010-10-04

Applicant: 亞伯契有限責任公司 ,  AMBATURE LLC

Inventor： 吉爾伯特 道格拉斯J ,  GILBERT, DOUGLAS J. ,  凱爾 提摩西S ,  CALE, TIMOTHY S.

IPC: H01L39/12 ,  H01L39/24

CPC classification number: H01B12/06 ,  B05D1/36 ,  H01B1/08 ,  H01B12/14 ,  H01C7/00 ,  H01L39/12 ,  H01L39/125 ,  H01L39/126 ,  H01L39/24 ,  H01L39/2419 ,  H01L39/2464 ,  H01L39/2487 ,  Y10T428/31678

公开(公告)号：TW201135992A

公开(公告)日：2011-10-16

申请号：TW099133793

申请日：2010-10-04

Applicant: 亞伯契有限責任公司

Inventor： 吉爾伯特 道格拉斯J ,  凱爾 提摩西S

IPC: H01L

CPC classification number: H01L39/128 ,  H01L39/12 ,  H01L39/24 ,  H01L39/2422 ,  Y10T29/49014 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/31678

Abstract: 包含HTS材料之高溫超導體(「HTS」)薄膜的操作特性可藉由在HTS薄膜之適當表面上沈積改質材料以產生經改質HTS薄膜來改良。在本發明之一些實施例中,HTS薄膜可呈「c薄膜」形式。在本發明之一些實施例中,HTS薄膜可呈「a-b薄膜」、「a薄膜」或「b薄膜」形式。經改質HTS薄膜相對於單獨的HTS薄膜或不含改質材料之HTS薄膜具有改良之操作特性。此等操作特性可包括在較高溫度下以超導狀態操作、傳遞額外電荷、以改良之磁性質操作、以改良之機械性質或其他改良之操作特性操作。在本發明之一些實施例中,HTS材料為混合價銅氧化物鈣鈦礦,諸如(但不限於)YBCO。在本發明之一些實施例中,改質材料為容易鍵結於氧的導電材料,諸如(但不限於)鉻。

Abstract in simplified Chinese: 包含HTS材料之高温超导体(“HTS”)薄膜的操作特性可借由在HTS薄膜之适当表面上沉积改质材料以产生经改质HTS薄膜来改良。在本发明之一些实施例中,HTS薄膜可呈“c薄膜”形式。在本发明之一些实施例中,HTS薄膜可呈“a-b薄膜”、“a薄膜”或“b薄膜”形式。经改质HTS薄膜相对於单独的HTS薄膜或不含改质材料之HTS薄膜具有改良之操作特性。此等操作特性可包括在较高温度下以超导状态操作、传递额外电荷、以改良之磁性质操作、以改良之机械性质或其他改良之操作特性操作。在本发明之一些实施例中,HTS材料为混合价铜氧化物钙钛矿,诸如(但不限于)YBCO。在本发明之一些实施例中,改质材料为容易键结于氧的导电材料,诸如(但不限于)铬。

公开(公告)号：TW201130179A

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：TW099133798

申请日：2010-10-04

Applicant: 亞伯契有限責任公司

Inventor： 吉爾伯特 道格拉斯J ,  凱爾 提摩西S

IPC: H01L

CPC classification number: H01B12/06 ,  B05D1/36 ,  H01B1/08 ,  H01B12/14 ,  H01C7/00 ,  H01L39/12 ,  H01L39/125 ,  H01L39/126 ,  H01L39/24 ,  H01L39/2419 ,  H01L39/2464 ,  H01L39/2487 ,  Y10T428/31678

Abstract: 包含ELR材料之極低電阻(「ELR」)薄膜的操作特性可藉由在ELR薄膜之適當表面上沈積改質材料以產生經改質ELR薄膜來改良。在本發明之一些實施例中,ELR薄膜可呈「c薄膜」形式。在本發明之一些實施例中,ELR薄膜可呈「a-b薄膜」、「a薄膜」或「b薄膜」形式。經改質ELR薄膜相對於單獨的ELR薄膜或不含改質材料之ELR薄膜具有改良之操作特性。此等操作特性可包括在較高溫度下以ELR狀態操作、傳遞額外電荷、以改良之磁性質操作、以改良之機械性質或其他改良之操作特性操作。在本發明之一些實施例中,ELR材料為混合價銅氧化物鈣鈦礦,諸如(但不限於)YBCO。在本發明之一些實施例中,改質材料為容易鍵結於氧的導電材料,諸如(但不限於)鉻。

Abstract in simplified Chinese: 包含ELR材料之极低电阻(“ELR”)薄膜的操作特性可借由在ELR薄膜之适当表面上沉积改质材料以产生经改质ELR薄膜来改良。在本发明之一些实施例中,ELR薄膜可呈“c薄膜”形式。在本发明之一些实施例中,ELR薄膜可呈“a-b薄膜”、“a薄膜”或“b薄膜”形式。经改质ELR薄膜相对於单独的ELR薄膜或不含改质材料之ELR薄膜具有改良之操作特性。此等操作特性可包括在较高温度下以ELR状态操作、传递额外电荷、以改良之磁性质操作、以改良之机械性质或其他改良之操作特性操作。在本发明之一些实施例中,ELR材料为混合价铜氧化物钙钛矿,诸如(但不限于)YBCO。在本发明之一些实施例中,改质材料为容易键结于氧的导电材料,诸如(但不限于)铬。