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公开(公告)号:TW201832360A
公开(公告)日:2018-09-01
申请号:TW106105321
申请日:2017-02-17
发明人: 李世平 , LEE, SHIH-PING , 陳昱安 , CHEN, YU-AN , 黃綉雯 , HUANG, HSIU-WEN , 張娟華 , CHANG, CHUAN-HUA
摘要: 一種半導體元件的製造方法,包括以下步驟。於基底上分別形成第一應力層與第二應力層。於第一應力層與第二應力層上形成緩衝層。對基底進行佈植製程,以於第一應力層與第二應力層的下方的基底中形成預切割面。進行接合處理,以將載板接合至緩衝層上。進行熱處理,使得基底的一部分自預切割面分離。於基底的另一部分的預切割面上進行前段製程。
简体摘要: 一种半导体组件的制造方法,包括以下步骤。于基底上分别形成第一应力层与第二应力层。于第一应力层与第二应力层上形成缓冲层。对基底进行布植制程,以于第一应力层与第二应力层的下方的基底中形成预切割面。进行接合处理,以将载板接合至缓冲层上。进行热处理,使得基底的一部分自预切割面分离。于基底的另一部分的预切割面上进行前段制程。
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公开(公告)号:TW201724482A
公开(公告)日:2017-07-01
申请号:TW104143063
申请日:2015-12-22
发明人: 李世平 , LEE, SHIH-PING , 陳昱安 , CHEN, YU-AN , 黃綉雯 , HUANG, HSIU-WEN , 張娟華 , CHANG, CHUAN-HUA
IPC分类号: H01L27/146 , G02B6/122 , G02B6/42 , H01L21/70 , G02B6/13
摘要: 一種半導體元件,包括:基底、感測器、介電層以及光導管結構。感測器位於基底中。介電層位於基底上。光導管結構填入介電層中的溝渠中。光導管結構對應於感測器。光導管結構具有漸變折射率。漸變折射率從光導管結構的中心往外圍區域漸減。
简体摘要: 一种半导体组件,包括:基底、传感器、介电层以及光导管结构。传感器位于基底中。介电层位于基底上。光导管结构填入介电层中的沟渠中。光导管结构对应于传感器。光导管结构具有渐变折射率。渐变折射率从光导管结构的中心往外围区域渐减。
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公开(公告)号:TWI593093B
公开(公告)日:2017-07-21
申请号:TW104143063
申请日:2015-12-22
发明人: 李世平 , LEE, SHIH-PING , 陳昱安 , CHEN, YU-AN , 黃綉雯 , HUANG, HSIU-WEN , 張娟華 , CHANG, CHUAN-HUA
IPC分类号: H01L27/146 , G02B6/122 , G02B6/42 , H01L21/70 , G02B6/13
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公开(公告)号:TWI550716B
公开(公告)日:2016-09-21
申请号:TW104122109
申请日:2015-07-08
发明人: 李世平 , LEE, SHIH-PING , 陳昱安 , CHEN, YU-AN , 黃綉雯 , HUANG, HSIU-WEN , 張娟華 , CHANG, CHUAN-HUA
IPC分类号: H01L21/322 , H01L21/324
CPC分类号: H01L27/14689 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14692 , H01L31/208
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公开(公告)号:TW201806137A
公开(公告)日:2018-02-16
申请号:TW105124710
申请日:2016-08-04
发明人: 李世平 , LEE, SHIH-PING , 陳昱安 , CHEN, YU-AN , 黃綉雯 , HUANG, HSIU-WEN , 張娟華 , CHANG, CHUAN-HUA
IPC分类号: H01L27/146
CPC分类号: H01L27/1461 , H01L27/14625 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14689
摘要: 本發明提供了一種影像感測器及其製作方法,其中影像感測器包括一半導體基底,且半導體基底表面包含至少一凹槽設於感光區內,影像感測器另包括一第一導電型摻雜區設於半導體基底中並位於感光區內、一第二導電型摻雜區設於第一導電型摻雜區之表面以及凹槽表面,其中第一導電型摻雜區與第二導電型摻雜區構成影像感測器之感光元件,且第一導電型摻雜區與第二導電型摻雜區具有不同之導電型。
简体摘要: 本发明提供了一种影像传感器及其制作方法,其中影像传感器包括一半导体基底,且半导体基底表面包含至少一凹槽设于感光区内,影像传感器另包括一第一导电型掺杂区设于半导体基底中并位于感光区内、一第二导电型掺杂区设于第一导电型掺杂区之表面以及凹槽表面,其中第一导电型掺杂区与第二导电型掺杂区构成影像传感器之感光组件,且第一导电型掺杂区与第二导电型掺杂区具有不同之导电型。
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公开(公告)号:TWI622169B
公开(公告)日:2018-04-21
申请号:TW106105321
申请日:2017-02-17
发明人: 李世平 , LEE, SHIH-PING , 陳昱安 , CHEN, YU-AN , 黃綉雯 , HUANG, HSIU-WEN , 張娟華 , CHANG, CHUAN-HUA
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公开(公告)号:TWI608600B
公开(公告)日:2017-12-11
申请号:TW105124710
申请日:2016-08-04
发明人: 李世平 , LEE, SHIH-PING , 陳昱安 , CHEN, YU-AN , 黃綉雯 , HUANG, HSIU-WEN , 張娟華 , CHANG, CHUAN-HUA
IPC分类号: H01L27/146
CPC分类号: H01L27/1461 , H01L27/14625 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14689
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公开(公告)号:TW201703151A
公开(公告)日:2017-01-16
申请号:TW104122109
申请日:2015-07-08
发明人: 李世平 , LEE, SHIH-PING , 陳昱安 , CHEN, YU-AN , 黃綉雯 , HUANG, HSIU-WEN , 張娟華 , CHANG, CHUAN-HUA
IPC分类号: H01L21/322 , H01L21/324
CPC分类号: H01L27/14689 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14692 , H01L31/208
摘要: 一種半導體元件的製造方法,包括下列步驟。提供基底,基底包括隔離區和元件區。對基底進行全面性預非晶化處理以形成非晶化區,其中非晶化區的深度全面性地深於隔離區及元件區的至少一者的深度,且非晶化區涵蓋隔離區及元件區的至少一者。對非晶化區進行熱處理。
简体摘要: 一种半导体组件的制造方法,包括下列步骤。提供基底,基底包括隔离区和组件区。对基底进行全面性预非晶化处理以形成非晶化区,其中非晶化区的深度全面性地深于隔离区及组件区的至少一者的深度,且非晶化区涵盖隔离区及组件区的至少一者。对非晶化区进行热处理。
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