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公开(公告)号：TW201735028A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105130753
申请日：2016-09-23
发明人： 高杉敦 , TAKASUGI, ATSUSHI
IPC分类号： G11C11/401 , G11C7/12
CPC分类号： G11C11/4093 , G11C7/1042 , G11C8/12 , G11C11/4076 , G11C11/4087 , G11C11/4096 , G11C2207/105
摘要： 半導體記憶裝置基於所輸入的並行位址來選擇性地切換至少兩個儲存單元並寫入或讀取資料，其包括控制單元，所述控制單元以如下方式進行控制：於第一次資料存取中，基於所述輸入的並行位址對所述半導體記憶裝置進行存取後，於第二次以後的資料存取中，基於與所述並行位址不同的串行位址對所述半導體記憶裝置進行存取。而且，所述半導體記憶裝置是將記憶胞分別連接於多條字元線與多條位元線的交叉點而構成，所述串行位址包含：選擇所述多條字元線中的1條字元線的第1串行位址，以及選擇所述多條位元線中的1條位元線的第2串行位址。
简体摘要： 半导体记忆设备基于所输入的并行位址来选择性地切换至少两个存储单元并写入或读取数据，其包括控制单元，所述控制单元以如下方式进行控制：于第一次数据存取中，基于所述输入的并行位址对所述半导体记忆设备进行存取后，于第二次以后的数据存取中，基于与所述并行位址不同的串行位址对所述半导体记忆设备进行存取。而且，所述半导体记忆设备是将记忆胞分别连接于多条字符线与多条比特线的交叉点而构成，所述串行位址包含：选择所述多条字符线中的1条字符线的第1串行位址，以及选择所述多条比特线中的1条比特线的第2串行位址。
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公开(公告)号：TW201707858A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104128599
申请日：2015-08-31
发明人： 曾國龍 , TSENG, KUO-LUNG , 陳義元 , CHEN, YI-YUAN
IPC分类号： B24B37/34 , B24B57/02 , B24B55/00 , H01L21/304
摘要： 一種化學機械研磨裝置包括：研磨台、研磨墊、研磨頭、調節器、研磨液供應裝置以及分離器。研磨墊配置於研磨台上。研磨頭與調節器配置於研磨墊上。分離器配置於研磨頭與調節器之間。分離器的第一端靠近研磨墊的圓心，其第二端靠近研磨墊的圓周。分離器包括注入部與開口部。注入部靠近分離器的第一端，且與研磨液供應裝置連接。開口部配置於注入部與研磨墊之間，用以塗佈研磨液於研磨墊上。
简体摘要： 一种化学机械研磨设备包括：研磨台、研磨垫、研磨头、调节器、研磨液供应设备以及分离器。研磨垫配置于研磨台上。研磨头与调节器配置于研磨垫上。分离器配置于研磨头与调节器之间。分离器的第一端靠近研磨垫的圆心，其第二端靠近研磨垫的圆周。分离器包括注入部与开口部。注入部靠近分离器的第一端，且与研磨液供应设备连接。开口部配置于注入部与研磨垫之间，用以涂布研磨液于研磨垫上。
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公开(公告)号：TW201832360A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106105321
申请日：2017-02-17
发明人： 李世平 , LEE, SHIH-PING , 陳昱安 , CHEN, YU-AN , 黃綉雯 , HUANG, HSIU-WEN , 張娟華 , CHANG, CHUAN-HUA
摘要： 一種半導體元件的製造方法，包括以下步驟。於基底上分別形成第一應力層與第二應力層。於第一應力層與第二應力層上形成緩衝層。對基底進行佈植製程，以於第一應力層與第二應力層的下方的基底中形成預切割面。進行接合處理，以將載板接合至緩衝層上。進行熱處理，使得基底的一部分自預切割面分離。於基底的另一部分的預切割面上進行前段製程。
简体摘要： 一种半导体组件的制造方法，包括以下步骤。于基底上分别形成第一应力层与第二应力层。于第一应力层与第二应力层上形成缓冲层。对基底进行布植制程，以于第一应力层与第二应力层的下方的基底中形成预切割面。进行接合处理，以将载板接合至缓冲层上。进行热处理，使得基底的一部分自预切割面分离。于基底的另一部分的预切割面上进行前段制程。
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公开(公告)号：TW201824277A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106106293
申请日：2017-02-24
发明人： 倉盛文章 , KURAMORI, BUNSHO
IPC分类号： G11C11/412 , G11C11/419
摘要： 半導體記憶裝置包括：讀出放大器，從連接於字元線及位元線的記憶體元件讀出資料；第1開關元件，連接於第1電源電壓與讀出放大器的第1電源中間節點之間；第2開關元件，連接於第2電源電壓與讀出放大器的第2電源中間節點之間；等化器電路，使第1及第2電源中間節點等化成第1電源中間節點的最大值與第2電源中間節點的最小值之間的半值位準；以及電壓保持用電容，分別連接第1及第2電源中間節點，將第1及第2電源中間節點實質上保持為第1電源中間節點的最大值與第2電源中間節點的最小值之間的半值位準。
简体摘要： 半导体记忆设备包括：读出放大器，从连接于字符线及比特线的内存组件读出数据；第1开关组件，连接于第1电源电压与读出放大器的第1电源中间节点之间；第2开关组件，连接于第2电源电压与读出放大器的第2电源中间节点之间；等化器电路，使第1及第2电源中间节点等化成第1电源中间节点的最大值与第2电源中间节点的最小值之间的半值位准；以及电压保持用电容，分别连接第1及第2电源中间节点，将第1及第2电源中间节点实质上保持为第1电源中间节点的最大值与第2电源中间节点的最小值之间的半值位准。
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公开(公告)号：TW201822200A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW105140789
申请日：2016-12-09
发明人： 宋宏達 , SUNG, HUNG-TA
IPC分类号： G11C7/24
摘要： 一種記憶體裝置。電流調整電路依據電源電壓控制參考電流產生電路產生對應電源電壓的參考電流，以使感測放大器產生對應電源電壓的感測信號。處理電路依據感測信號判斷記憶胞單元的記憶體狀態。
简体摘要： 一种内存设备。电流调整电路依据电源电压控制参考电流产生电路产生对应电源电压的参考电流，以使传感放大器产生对应电源电压的传感信号。处理电路依据传感信号判断记忆胞单元的内存状态。
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公开(公告)号：TW201730664A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105104866
申请日：2016-02-19
发明人： 賴義凱 , LAI, YI-KAI
IPC分类号： G03F1/26
CPC分类号： G03F1/26
摘要： 一種相移式光罩，包括基板、相移層與透明層。相移層設置於基板上，且具有開口。透明層設置於開口中。上述相移式光罩可具有較大的聚焦深度寬容度。
简体摘要： 一种相移式光罩，包括基板、相移层与透明层。相移层设置于基板上，且具有开口。透明层设置于开口中。上述相移式光罩可具有较大的聚焦深度宽容度。
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公开(公告)号：TW201719290A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW104138406
申请日：2015-11-20
发明人： 王宏祺 , WANG, HUNG-CHI
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一種曝光裝置，包括晶圓承載台與光罩承載台。光罩承載台位於晶圓承載台上方，且具有多個光罩承載區。
简体摘要： 一种曝光设备，包括晶圆承载台与光罩承载台。光罩承载台位于晶圆承载台上方，且具有多个光罩承载区。
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公开(公告)号：TW201714171A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW104143990
申请日：2015-12-28
发明人： 小川曉 , OGAWA, AKIRA
摘要： 一種感測電路，被設置於包含鎖存器的頁面緩衝器中，並且感測資料，所述鎖存器是在對非揮發性記憶裝置的記憶胞元寫入或讀出資料時暫時保存資料，該感測電路包括：第1開關元件及疊閘型控制元件，串聯連接於第1訊號線與鎖存器的第1端子之間；以及第2開關元件，連接於第1開關元件與疊閘型控制元件之間，在藉由感測致能訊號來使第1開關元件導通的感測開始前，疊閘型控制元件的浮動閘極的電壓設定為將從疊閘型控制元件的浮動閘極所見的臨限值電壓加上規定電壓所得的電壓值，之後感測記憶胞元的資料。
简体摘要： 一种传感电路，被设置于包含锁存器的页面缓冲器中，并且传感数据，所述锁存器是在对非挥发性记忆设备的记忆胞元写入或读出数据时暂时保存数据，该传感电路包括：第1开关组件及叠闸型控件，串联连接于第1信号线与锁存器的第1端子之间；以及第2开关组件，连接于第1开关组件与叠闸型控件之间，在借由传感致能信号来使第1开关组件导通的传感开始前，叠闸型控件的浮动闸极的电压设置为将从叠闸型控件的浮动闸极所见的临限值电压加上规定电压所得的电压值，之后传感记忆胞元的数据。
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公开(公告)号：TW201703840A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104123278
申请日：2015-07-17
发明人： 莊人聿 , CHUANG, JEN-YU , 黃朝陽 , HUANG, CHAO-YANG
IPC分类号： B01D35/143
摘要： 一種光遮斷式濾材阻塞偵測裝置，用於偵測濾材的阻塞程度。光遮斷式濾材阻塞偵測裝置包括發光裝置及光接收裝置。發光裝置設置於濾材的一側，且發射預定穿過濾材的光線。光接收裝置設置於濾材的另一側，以接收穿過濾材的光線。
简体摘要： 一种光遮断式滤材阻塞侦测设备，用于侦测滤材的阻塞程度。光遮断式滤材阻塞侦测设备包括发光设备及光接收设备。发光设备设置于滤材的一侧，且发射预定穿过滤材的光线。光接收设备设置于滤材的另一侧，以接收穿过滤材的光线。
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公开(公告)号：TW201831986A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106105210
申请日：2017-02-17
发明人： 林俊良 , LIN, CHUN-LIANG
摘要： 一種光罩，包括透明基板、擋光層、至少一個第一濾光圖案與至少一個第二濾光圖案。擋光層設置於透明基板上，且具有交替排列的至少一個第一開口與至少一個第二開口。第一濾光圖案設置於第一開口中，且只允許具有第一波長的第一光線通過。第二濾光圖案設置於第二開口中，且只允許具有第二波長的第二光線通過。第一波長與第二波長為不同波長。
简体摘要： 一种光罩，包括透明基板、挡光层、至少一个第一滤光图案与至少一个第二滤光图案。挡光层设置于透明基板上，且具有交替排列的至少一个第一开口与至少一个第二开口。第一滤光图案设置于第一开口中，且只允许具有第一波长的第一光线通过。第二滤光图案设置于第二开口中，且只允许具有第二波长的第二光线通过。第一波长与第二波长为不同波长。
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