公开(公告)号：TW201911568A

公开(公告)日：2019-03-16

申请号：TW107113382

申请日：2018-04-19

申请人： 力祥半導體股份有限公司 ,  UBIQ SEMICONDUCTOR CORP.

发明人： 白井伸幸 ,  SHIRAI, NOBUYUKI ,  松浦伸悌 ,  NOBUYOSHI, MATSUURA

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

摘要： 本發明提供一種半導體裝置。半導體裝置包括半導體基板、閘極電極、汲極電極及源極電極。閘極電極、汲極電極及源極電極形成於半導體基板上。源極電極的面積大於閘極電極的面積與汲極電極的面積。部分的源極電極呈現凸狀而設置於閘極電極與汲極電極之間。本發明的半導體裝置可維持開關切換時之各種特性並可高速進行開關切換。

简体摘要： 本发明提供一种半导体设备。半导体设备包括半导体基板、闸极电极、汲极电极及源极电极。闸极电极、汲极电极及源极电极形成于半导体基板上。源极电极的面积大于闸极电极的面积与汲极电极的面积。部分的源极电极呈现凸状而设置于闸极电极与汲极电极之间。本发明的半导体设备可维持开关切换时之各种特性并可高速进行开关切换。