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    溝渠式閘極金氧半場效電晶體
    3.
    发明专利
    溝渠式閘極金氧半場效電晶體 审中-公开
    沟渠式闸极金氧半场效应管

    公开(公告)号：TW201507154A

    公开(公告)日：2015-02-16

    申请号：TW103137402

    申请日：2012-07-13

    申请人： 力祥半導體股份有限公司 ,  UBIQ SEMICONDUCTOR CORP.

    发明人： 詹前陵 ,  CHAN, CHIEN LING ,  李祈祥 ,  LEE, CHI HSIANG

    IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L29/78

    摘要： 一種溝渠式閘極金氧半場效電晶體。磊晶層配置於基底上。主體層配置於磊晶層中。磊晶層中具有第一溝渠，主體層中具有第二溝渠，第一溝渠配置於第二溝渠下方，且第一溝渠的寬度小於第二溝渠的寬度。第一絕緣層配置於第一溝渠的表面上。第一導體層填滿第一溝渠且延伸至第二溝渠中。第二導體層填滿第二溝渠。第二絕緣層配置於第二導體層與主體層之間以及第二導體層與第一導體層之間。介電層配置於磊晶層上且覆蓋第二導體層。二摻雜區分別配置於第二溝渠之兩側的主體層中。

    简体摘要： 一种沟渠式闸极金氧半场效应管。磊晶层配置于基底上。主体层配置于磊晶层中。磊晶层中具有第一沟渠，主体层中具有第二沟渠，第一沟渠配置于第二沟渠下方，且第一沟渠的宽度小于第二沟渠的宽度。第一绝缘层配置于第一沟渠的表面上。第一导体层填满第一沟渠且延伸至第二沟渠中。第二导体层填满第二沟渠。第二绝缘层配置于第二导体层与主体层之间以及第二导体层与第一导体层之间。介电层配置于磊晶层上且覆盖第二导体层。二掺杂区分别配置于第二沟渠之两侧的主体层中。

    半導體裝置及電源轉換電路
    4.
    发明专利
    半導體裝置及電源轉換電路 审中-公开
    半导体设备及电源转换电路

    公开(公告)号：TW201911568A

    公开(公告)日：2019-03-16

    申请号：TW107113382

    申请日：2018-04-19

    申请人： 力祥半導體股份有限公司 ,  UBIQ SEMICONDUCTOR CORP.

    发明人： 白井伸幸 ,  SHIRAI, NOBUYUKI ,  松浦伸悌 ,  NOBUYOSHI, MATSUURA

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

    摘要： 本發明提供一種半導體裝置。半導體裝置包括半導體基板、閘極電極、汲極電極及源極電極。閘極電極、汲極電極及源極電極形成於半導體基板上。源極電極的面積大於閘極電極的面積與汲極電極的面積。部分的源極電極呈現凸狀而設置於閘極電極與汲極電極之間。本發明的半導體裝置可維持開關切換時之各種特性並可高速進行開關切換。

    简体摘要： 本发明提供一种半导体设备。半导体设备包括半导体基板、闸极电极、汲极电极及源极电极。闸极电极、汲极电极及源极电极形成于半导体基板上。源极电极的面积大于闸极电极的面积与汲极电极的面积。部分的源极电极呈现凸状而设置于闸极电极与汲极电极之间。本发明的半导体设备可维持开关切换时之各种特性并可高速进行开关切换。

    半導體裝置、半導體晶圓及半導體裝置製造方法
    6.
    发明专利
    半導體裝置、半導體晶圓及半導體裝置製造方法 审中-公开
    半导体设备、半导体晶圆及半导体设备制造方法

    公开(公告)号：TW201838020A

    公开(公告)日：2018-10-16

    申请号：TW107111686

    申请日：2018-04-02

    申请人： 力祥半導體股份有限公司 ,  UBIQ SEMICONDUCTOR CORP.

    发明人： 柳田正道 ,  MASAMICHI, YANAGIDA ,  松浦伸悌 ,  NOBUYOSHI, MATSUURA

    IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/60

    摘要： 本發明揭露一種半導體裝置製造方法，包括：準備半導體晶圓的預備步驟；去除半導體晶圓的厚度部分的去除步驟；以及分割半導體晶圓的分割步驟。在去除步驟中，以半導體晶圓的第二表面部分隆起的凸肋狀部位作為對準標記，使得切割刀能與半導體晶圓對齊。

    简体摘要： 本发明揭露一种半导体设备制造方法，包括：准备半导体晶圆的预备步骤；去除半导体晶圆的厚度部分的去除步骤；以及分割半导体晶圆的分割步骤。在去除步骤中，以半导体晶圆的第二表面部分隆起的凸肋状部位作为对准标记，使得切割刀能与半导体晶圆对齐。

    屏蔽閘極溝槽式半導體裝置及其製造方法
    7.
    发明专利
    屏蔽閘極溝槽式半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    屏蔽闸极沟槽式半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201822295A

    公开(公告)日：2018-06-16

    申请号：TW105141548

    申请日：2016-12-15

    申请人： 力祥半導體股份有限公司 ,  UBIQ SEMICONDUCTOR CORP.

    发明人： 陳勁甫 ,  CHEN, CHIN-FU

    IPC分类号： H01L21/76

    摘要： 一種屏蔽閘極溝槽式半導體裝置，包括以下構件。基底結構具有多個第一溝槽與多個第二溝槽。第一溝槽沿第一方向延伸，第二溝槽沿第二方向延伸，且第一方向與第二方向相交。第一溝槽的深度大於第二溝槽的深度。第一下部電極分別設置於第一溝槽中。第一上部電極分別設置於第一溝槽中且位於第一下部電極上。第二下部電極分別設置於第二溝槽中。第二上部電極分別設置於第二溝槽中且位於第二下部電極上。第一下部電極、第一上部電極與基底結構彼此電性隔離。第二下部電極、第二上部電極與基底結構彼此電性隔離。

    简体摘要： 一种屏蔽闸极沟槽式半导体设备，包括以下构件。基底结构具有多个第一沟槽与多个第二沟槽。第一沟槽沿第一方向延伸，第二沟槽沿第二方向延伸，且第一方向与第二方向相交。第一沟槽的深度大于第二沟槽的深度。第一下部电极分别设置于第一沟槽中。第一上部电极分别设置于第一沟槽中且位于第一下部电极上。第二下部电极分别设置于第二沟槽中。第二上部电极分别设置于第二沟槽中且位于第二下部电极上。第一下部电极、第一上部电极与基底结构彼此电性隔离。第二下部电极、第二上部电极与基底结构彼此电性隔离。