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    磊晶矽晶圓的製造方法、磊晶矽晶圓及固體攝影元件的製造方法
    3.
    发明专利
    磊晶矽晶圓的製造方法、磊晶矽晶圓及固體攝影元件的製造方法 审中-公开
    磊晶硅晶圆的制造方法、磊晶硅晶圆及固体摄影组件的制造方法

    公开(公告)号：TW201428823A

    公开(公告)日：2014-07-16

    申请号：TW102141074

    申请日：2013-11-12

    申请人： 勝高股份有限公司 ,  SUMCO CORPORATION

    发明人： 門野武 ,  KADONO, TAKESHI

    IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/22

    CPC分类号： H01L21/26566 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3225 ,  H01L27/14687

    摘要： 本發明提供一種藉由發揮更高的吸除能力而可抑制金屬污染、且無由位錯團簇及COP引起的磊晶缺陷的磊晶矽晶圓及其製造方法。本發明的磊晶矽晶圓100的製造方法的特徵在於包括：第1步驟，對不包含位錯團簇及COP的矽晶圓10照射團簇離子16，在該矽晶圓的表面10A形成由團簇離子16的構成元素固溶而成的改質層18；以及第2步驟，在矽晶圓10的改質層18上形成磊晶層20。

    简体摘要： 本发明提供一种借由发挥更高的吸除能力而可抑制金属污染、且无由位错团簇及COP引起的磊晶缺陷的磊晶硅晶圆及其制造方法。本发明的磊晶硅晶圆100的制造方法的特征在于包括：第1步骤，对不包含位错团簇及COP的硅晶圆10照射团簇离子16，在该硅晶圆的表面10A形成由团簇离子16的构成元素固溶而成的改质层18；以及第2步骤，在硅晶圆10的改质层18上形成磊晶层20。

    磊晶矽晶圓及固體攝影元件的製造方法
    6.
    发明专利
    磊晶矽晶圓及固體攝影元件的製造方法 审中-公开
    磊晶硅晶圆及固体摄影组件的制造方法

    公开(公告)号：TW201620016A

    公开(公告)日：2016-06-01

    申请号：TW105104898

    申请日：2013-11-12

    申请人： 勝高股份有限公司 ,  SUMCO CORPORATION

    发明人： 門野武 ,  KADONO,TAKESHI

    IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/22

    CPC分类号： H01L29/36 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L27/14687 ,  H01L29/167

    摘要： 本發明提供一種藉由發揮更高的吸除能力而可抑制金屬污染的磊晶矽晶圓。磊晶矽晶圓的特徵在於包括：矽晶圓10，包含COP；改質層18，形成於上述矽晶圓10的表面且由特定元素在上述矽晶圓10中固溶而成；以及上述改質層18上的磊晶層20，其中改質層18中的特定元素的深度方向的濃度分佈的半峰全幅值為100 nm以下。

    简体摘要： 本发明提供一种借由发挥更高的吸除能力而可抑制金属污染的磊晶硅晶圆。磊晶硅晶圆的特征在于包括：硅晶圆10，包含COP；改质层18，形成于上述硅晶圆10的表面且由特定元素在上述硅晶圆10中固溶而成；以及上述改质层18上的磊晶层20，其中改质层18中的特定元素的深度方向的浓度分布的半峰全幅值为100 nm以下。