公开(公告)号：TW201637081A

公开(公告)日：2016-10-16

申请号：TW105110040

申请日：2016-03-30

申请人： 漢辰科技股份有限公司 ,  ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.

发明人： 鄧 念濠 ,  TANG, DANIEL ,  萬 志民 ,  WAN, ZHIMIN ,  李靜宜 ,  LI, CHING-I ,  林哲平 ,  LIN, GER-PIN

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/74 ,  H01L21/265 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76237 ,  H01L29/1083

摘要： 本發明揭露一種在鰭式場效電晶體中形成擊穿中止區域的方法，其中，基板可被蝕刻，以形成一對凹槽，以定義鰭片構造。一部份的第一劑離子可經由每一凹槽的底壁植入基板，以在基板形成一對第一摻雜區域，其中每一第一摻雜區域至少一部份延伸到鰭片構造的一通道區域之下。位於每一凹槽底壁的基板可被蝕刻以增加每一凹槽的深度。蝕刻位於每一凹槽底壁的基板會移除一部份在每一凹槽之下的每一第一摻雜區域。在鰭片構造之下，剩下來的該對第一摻雜區域至少定義出一部份鰭片場效電晶體擊穿中止區域。

简体摘要： 本发明揭露一种在鳍式场效应管中形成击穿中止区域的方法，其中，基板可被蚀刻，以形成一对凹槽，以定义鳍片构造。一部份的第一剂离子可经由每一凹槽的底壁植入基板，以在基板形成一对第一掺杂区域，其中每一第一掺杂区域至少一部份延伸到鳍片构造的一信道区域之下。位于每一凹槽底壁的基板可被蚀刻以增加每一凹槽的深度。蚀刻位于每一凹槽底壁的基板会移除一部份在每一凹槽之下的每一第一掺杂区域。在鳍片构造之下，剩下来的该对第一掺杂区域至少定义出一部份鳍片场效应管击穿中止区域。

公开(公告)号：TW201618303A

公开(公告)日：2016-05-16

申请号：TW104130055

申请日：2015-09-11

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 謝東衡 ,  HSIEH, TUNG HENG ,  莊惠中 ,  ZHUANG, HUI ZHONG ,  林仲德 ,  LIN, CHUNG TE ,  王勝雄 ,  WANG, SHENG HSIUNG ,  江庭瑋 ,  CHIANG, TING WEI ,  田麗鈞 ,  TIEN, LI CHUN ,  蔡宗杰 ,  TSAI, TSUNG CHIEH

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L23/485 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088

摘要： 一種半導體元件包括：具有有源區的基底、位於有源區上方的閘極結構、位於有源區上方並且電連接至有源區的下部導電層、以及位於下部導電層上方並且電連接至下部導電層的上部導電層。下部導電層與閘極結構至少部分地共高度。下部導電層包括相互間隔開的第一和第二導電區段。上部導電層包括與第一和第二導電區段重疊的第三導電區段。第三導電區段電連接至第一導電區段，並且與第二導電區段電隔離。本發明還涉及半導體元件的佈局和製造方法。

简体摘要： 一种半导体组件包括：具有有源区的基底、位于有源区上方的闸极结构、位于有源区上方并且电连接至有源区的下部导电层、以及位于下部导电层上方并且电连接至下部导电层的上部导电层。下部导电层与闸极结构至少部分地共高度。下部导电层包括相互间隔开的第一和第二导电区段。上部导电层包括与第一和第二导电区段重叠的第三导电区段。第三导电区段电连接至第一导电区段，并且与第二导电区段电隔离。本发明还涉及半导体组件的布局和制造方法。

公开(公告)号：TWI515774B

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW102141070

申请日：2013-11-12

申请人： 勝高股份有限公司 ,  SUMCO CORPORATION

发明人： 門野武 ,  KADONO, TAKESHI ,  栗田一成 ,  KURITA, KAZUNARI

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14687 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0263 ,  C23C16/24 ,  C30B25/20 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14689

公开(公告)号：TWI508299B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：TW103105783

申请日：2014-02-21

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 莊 學理 ,  CHUANG, HARRY-HAK-LAY ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  吳偉成 ,  WU, WEI CHENG ,  許夢舫 ,  HSU, MENG FANG ,  張宮賓 ,  CHANG, KONG PIN ,  梁家銘 ,  LIANG, CHIA MING

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/26533 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/7834

公开(公告)号：TW201535530A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：TW103132888

申请日：2014-09-24

申请人： 愛思開海力士有限公司 ,  SK HYNIX INC.

发明人： 車在春 ,  CHA, JAE-CHUN ,  秦丞佑 ,  JIN, SEUNG-WOO ,  李安培 ,  LEE, AN-BAE ,  張壹植 ,  JANG, IL-SIK

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/26593 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/167 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： 一種用於製造半導體裝置包括：在冷溫下佈植第一物種到基板中，以形成第一區域；以及在熱溫下佈植第二物種到基板中，以形成鄰近第一區域的第二區域。

简体摘要： 一种用于制造半导体设备包括：在冷温下布植第一物种到基板中，以形成第一区域；以及在热温下布植第二物种到基板中，以形成邻近第一区域的第二区域。

公开(公告)号：TWI457988B

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：TW101110085

申请日：2012-03-23

申请人： 日新離子機器股份有限公司 ,  NISSIN ION EQUIPMENT CO., LTD.

发明人： 河村泰典 ,  KAWAMURA, YASUNORI ,  川上喬子 ,  KAWAKAMI, KYOKO ,  中島良樹 ,  NAKASHIMA, YOSHIKI

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01L21/2658 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01L21/26506

公开(公告)号：TWI453802B

公开(公告)日：2014-09-21

申请号：TW096150043

申请日：2007-12-25

申请人： 國立大學法人 東北大學 ,  NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY ,  東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 大見忠弘 ,  OHMI, TADAHIRO ,  後藤哲也 ,  GOTO, TETSUYA ,  寺本章伸 ,  TERAMOTO, AKINOBU ,  松岡孝明 ,  MATSUOKA, TAKAAKI

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC分类号： H01L21/265 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32706 ,  H01J2237/20 ,  H01J2237/26 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L29/30 ,  H01L29/7833

公开(公告)号：TWI451482B

公开(公告)日：2014-09-01

申请号：TW098133394

申请日：2009-10-01

申请人： 瓦里安半導體設備公司 ,  VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.

发明人： 瑞曼帕 迪帕克 ,  RAMAPPA, DEEPAK

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26593 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/324

公开(公告)号：TW201338044A

公开(公告)日：2013-09-16

申请号：TW101139021

申请日：2012-10-23

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 李宗霖 ,  LEE, TSUNG LIN ,  袁鋒 ,  YUAN, FENG ,  江宏禮 ,  CHIANG, HUNG LI ,  葉致鍇 ,  YEH, CHIH CHIEH

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7847

摘要： 提供一種半導體裝置之製造方法，包括：提供一基板，具有一鰭，設置於該基板上；形成一閘極結構於該鰭上，該閘極結構與該鰭之至少兩側接合；形成一應力膜於包括該鰭之該基板上；對包括該應力膜之該基板進行回火，該回火對該鰭之一通道區提供一拉伸應變。舉例來說，該應力膜中之一壓縮應變可轉移至該鰭之該通道區形成一拉伸應力。

简体摘要： 提供一种半导体设备之制造方法，包括：提供一基板，具有一鳍，设置于该基板上；形成一闸极结构于该鳍上，该闸极结构与该鳍之至少两侧接合；形成一应力膜于包括该鳍之该基板上；对包括该应力膜之该基板进行回火，该回火对该鳍之一信道区提供一拉伸应变。举例来说，该应力膜中之一压缩应变可转移至该鳍之该信道区形成一拉伸应力。

公开(公告)号：TWI375660B

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：TW094101638

申请日：2005-01-20

申请人： 塞門庫普公司

发明人： 史皮爾渥蓋爾 貝奈德 ,  庫克 凱文

IPC分类号： C01B ,  C07B

CPC分类号： H01L21/2658 ,  C01B6/10 ,  Y02P20/582

摘要： 本發明係提供合成大的氫化硼群集(cluster)之新方法，例如具式BnHm之氫化硼分子，其5≦n≦96且m≦n＋8，其中m與n滿足巨多面體(marcopolyhedral)硼烷之電子計數規則。本發明特別用於合成十八硼烷B18H22。本發明較佳方法包括反覆自[BaHb]c－或[Bn＋2Hm－4]2－陰離子生成共軛酸，接著藉著於進行共軛酸濃縮及乾燥條件下降解(degradation)，以產生BnHm硼烷以及殘留之[BaHb]c－或[Bn＋2Hm－4]2－鹽再供該合成方法使用。本發明復提供富含同位素之硼烷，特別是富含同位素之10B18H22與11B18H22。

简体摘要： 本发明系提供合成大的氢化硼群集(cluster)之新方法，例如具式BnHm之氢化硼分子，其5≦n≦96且m≦n＋8，其中m与n满足巨多面体(marcopolyhedral)硼烷之电子计数守则。本发明特别用于合成十八硼烷B18H22。本发明较佳方法包括反复自[BaHb]c－或[Bn＋2Hm－4]2－阴离子生成共轭酸，接着借着于进行共轭酸浓缩及干燥条件下降解(degradation)，以产生BnHm硼烷以及残留之[BaHb]c－或[Bn＋2Hm－4]2－盐再供该合成方法使用。本发明复提供富含同位素之硼烷，特别是富含同位素之10B18H22与11B18H22。