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公开(公告)号：TWI467531B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW094129527
申请日：2005-08-29
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI , 岩淵友幸 , IWABUCHI, TOMOYUKI , 福本良太 , FUKUMOTO, RYOTA
IPC: G09G3/20
CPC classification number: H01L27/156 , G09G3/3233 , G09G3/3241 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2310/0256 , G09G2320/02 , G09G2320/0238 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3265
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公开(公告)号：TWI434501B
公开(公告)日：2014-04-11
申请号：TW095148798
申请日：2006-12-25
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 岩淵友幸 , IWABUCHI, TOMOYUKI , 上野達郎 , UENO, TATSURO
IPC: H02M3/07
CPC classification number: H02M3/07
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公开(公告)号：TWI391887B
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW094138998
申请日：2005-11-07
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 岩淵友幸 , IWABUCHI, TOMOYUKI
IPC: G09G3/00
CPC classification number: G09G3/3688 , G09G2310/0248 , G09G2330/021
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公开(公告)号：TWI469111B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW094143658
申请日：2005-12-09
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 納光明 , OSAME, MITSUAKI , 岩淵友幸 , IWABUCHI, TOMOYUKI , 木村肇 , KIMURA, HAJIME
IPC: G09F9/30 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/786
CPC classification number: G09G3/30 , G09G2310/0275 , G09G2320/041 , G09G2320/043 , G09G2360/148 , H01L27/12 , H03K19/0013 , H03K19/0016
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公开(公告)号：TWI381340B
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW093140071
申请日：2004-12-22
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 宮川惠介 , MIYAGAWA, KEISUKE , 岩淵友幸 , IWABUCHI, TOMOYUKI , 野澤亮 , NOZAWA, RYO , 吉田泰則 , YOSHIDA, YASUNORI , 木村彰宏 , KIMURA, AKIHIRO
IPC: G09G3/00
CPC classification number: G09G3/32 , G09G2320/0247 , G09G2320/041 , G09G2340/0435
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI648719B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW103135043
申请日：2005-08-29
Inventor： 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI , 岩淵友幸 , IWABUCHI, TOMOYUKI , 福本良太 , FUKUMOTO, RYOTA
IPC: G09G3/20
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公开(公告)号：TWI467541B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW101149754
申请日：2005-08-29
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI , 岩淵友幸 , IWABUCHI, TOMOYUKI , 福本良太 , FUKUMOTO, RYOTA
IPC: G09G3/20
CPC classification number: H01L27/156 , G09G3/3233 , G09G3/3241 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2310/0256 , G09G2320/02 , G09G2320/0238 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3265
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公开(公告)号：TW201513076A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103135043
申请日：2005-08-29
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI , 岩淵友幸 , IWABUCHI, TOMOYUKI , 福本良太 , FUKUMOTO, RYOTA
IPC: G09G3/20
CPC classification number: H01L27/156 , G09G3/3233 , G09G3/3241 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2310/0256 , G09G2320/02 , G09G2320/0238 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3265
Abstract: 藉由串聯連接到發光元件的薄膜電晶體的截止電流，可解決該發光元件輕微發光的問題，藉以提供可以以增強的對比度執行清晰顯示的顯示裝置和其驅動方法。當串聯連接到該發光元件的薄膜電晶體關斷時，該發光元件自身的電容內所保持的電荷被放電。即使在串聯連接到該發光元件的薄膜電晶體中產生截止電流時，該截止電流可對該電容充電，直到該發光元件自身的電容再次保持預定電壓。因此，該薄膜電晶體的截止電流不會有助於光發射。由此，可以減少該發光元件的輕微光發射。
Abstract in simplified Chinese: 借由串联连接到发光组件的薄膜晶体管的截止电流，可解决该发光组件轻微发光的问题，借以提供可以以增强的对比度运行清晰显示的显示设备和其驱动方法。当串联连接到该发光组件的薄膜晶体管关断时，该发光组件自身的电容内所保持的电荷被放电。即使在串联连接到该发光组件的薄膜晶体管中产生截止电流时，该截止电流可对该电容充电，直到该发光组件自身的电容再次保持预定电压。因此，该薄膜晶体管的截止电流不会有助于光发射。由此，可以减少该发光组件的轻微光发射。
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公开(公告)号：TWI416131B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW095149012
申请日：2006-12-26
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 岩淵友幸 , IWABUCHI, TOMOYUKI , 上野達郎 , UENO, TATSURO
IPC: G01R31/00
CPC classification number: G09G3/3225 , G09G3/006 , G09G3/2022 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251 , G09G2310/0256 , G09G2320/029 , G09G2320/041 , G09G2320/043 , G09G2320/045 , G09G2330/08 , G09G2330/10 , G09G2330/12
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公开(公告)号：TWI402799B
公开(公告)日：2013-07-21
申请号：TW094140836
申请日：2005-11-21
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 岩淵友幸 , IWABUCHI, TOMOYUKI , 安西彩 , ANZAI, AYA
CPC classification number: G09G3/3275 , G09G2300/0439 , G09G2300/0842 , G09G2320/0223 , G09G2320/029 , G09G2320/041 , G09G2320/043
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