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    高壓元件及其製造方法
    1.
    发明专利
    高壓元件及其製造方法 审中-公开
    高压组件及其制造方法

    公开(公告)号：TW202027251A

    公开(公告)日：2020-07-16

    申请号：TW108100632

    申请日：2019-01-08

    申请人： 立錡科技股份有限公司 ,  RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION

    发明人： 黃宗義 ,  HUANG, TSUNG-YI

    IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L27/105

    摘要： 本發明提出一種高壓元件及其製造方法。高壓元件用於切換式電源供應電路之功率級中，用以作為下橋開關。高壓元件包含至少一橫向擴散金屬氧化物半導體(Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor, LDMOS)元件以及至少一蕭特基位障二極體(Schottky barrier diode, SBD)。其中橫向擴散金屬氧化物半導體包括井區、本體區、閘極、源極以及汲極；蕭特基位障二極體包括蕭特基金屬層以及蕭特基半導體層。其中，蕭特基金屬層與源極電連接，且蕭特基半導體層與井區鄰接。

    简体摘要： 本发明提出一种高压组件及其制造方法。高压组件用于切换式电源供应电路之功率级中，用以作为下桥开关。高压组件包含至少一横向扩散金属氧化物半导体(Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor, LDMOS)组件以及至少一萧特基位障二极管(Schottky barrier diode, SBD)。其中横向扩散金属氧化物半导体包括井区、本体区、闸极、源极以及汲极；萧特基位障二极管包括萧特基金属层以及萧特基半导体层。其中，萧特基金属层与源极电连接，且萧特基半导体层与井区邻接。

    改善靜電放電防護能力之暫態電壓抑制裝置
    5.
    发明专利
    改善靜電放電防護能力之暫態電壓抑制裝置 审中-公开
    改善静电放电防护能力之暂态电压抑制设备

    公开(公告)号：TW202008588A

    公开(公告)日：2020-02-16

    申请号：TW108124534

    申请日：2019-07-11

    申请人： 晶焱科技股份有限公司 ,  AMAZING MICROELECTRONIC CORP.

    发明人： 陳致維 ,  CHEN, CHIH-WEI ,  沈佑書 ,  SHEN, YU-SHU ,  林昆賢 ,  LIN, KUN-HSIEN

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L23/60 ,  H01L27/04

    摘要： 本發明係揭露一種改善靜電放電防護能力之暫態電壓抑制裝置，包含屬於第一導電型之一半導體基板、屬於第二導電型之一第一摻雜井區、屬於第一導電型之一第一重摻雜區、屬於第二導電型之一第二摻雜井區、屬於第一導電型之一第二重摻雜區與一第一電流阻擋結構。第一摻雜井區設於半導體基板中，第一重摻雜區設於第一摻雜井區中，第二摻雜井區設於半導體基板中，第二重摻雜區設於第二摻雜井區中。第一電流阻擋結構設於半導體基板中，並與半導體基板之底部相隔，且設於第一摻雜井區與第二摻雜井區之間。

    简体摘要： 本发明系揭露一种改善静电放电防护能力之暂态电压抑制设备，包含属于第一导电型之一半导体基板、属于第二导电型之一第一掺杂井区、属于第一导电型之一第一重掺杂区、属于第二导电型之一第二掺杂井区、属于第一导电型之一第二重掺杂区与一第一电流阻挡结构。第一掺杂井区设于半导体基板中，第一重掺杂区设于第一掺杂井区中，第二掺杂井区设于半导体基板中，第二重掺杂区设于第二掺杂井区中。第一电流阻挡结构设于半导体基板中，并与半导体基板之底部相隔，且设于第一掺杂井区与第二掺杂井区之间。