公开(公告)号：TW201321374A

公开(公告)日：2013-06-01

申请号：TW101131322

申请日：2012-08-29

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 瀨尾哲史 ,  SEO, SATOSHI ,  下垣智子 ,  SHITAGAKI, SATOKO ,  森久保都 ,  MORIKUBO, MIYAKO ,  橋本直明 ,  HASHIMOTO, NAOAKI ,  石曾根崇浩 ,  ISHISONE, TAKAHIRO ,  竹田恭子 ,  TAKEDA, KYOKO ,  瀨尾廣美 ,  SEO, HIROMI

IPC: C07D403/14 ,  C09K11/06 ,  H05B33/14 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/0072 ,  C07D403/14 ,  C07D409/14 ,  C09K11/025 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/185 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5024 ,  H01L51/5076 ,  H05B33/14

Abstract: 本發明提供一種新穎雜環化合物，其可用作其中分散發光層的發光物質的主體材料。本發明提供一種驅動電壓低的發光元件、發光效率高的發光元件及長壽命的發光元件。本發明提供一種雜環化合物，其包含二苯並[f,h]喹噁啉環和兩個電洞傳輸骨架，其中該二苯並[f,h]喹噁啉環和該兩個電洞傳輸骨架係與芳烴基接合。本發明提供一種下述通式(G1)表示的雜環化合物， 在通式(G1)中，A1及A2分別獨立表示經取代或未經取代的咔唑骨架、經取代或未經取代的二苯並呋喃骨架和經取代或未經取代的二苯並噻吩骨架中任一者；B表示經取代或未經取代的二苯並[f,h]喹噁啉骨架；且，Ar表示含有6至13個碳原子的芳烴骨架。本發明提供一種發光元件，其包括該雜環化合物。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种新颖杂环化合物，其可用作其中分散发光层的发光物质的主体材料。本发明提供一种驱动电压低的发光组件、发光效率高的发光组件及长寿命的发光组件。本发明提供一种杂环化合物，其包含二苯并[f,h]喹恶啉环和两个电洞传输骨架，其中该二苯并[f,h]喹恶啉环和该两个电洞传输骨架系与芳烃基接合。本发明提供一种下述通式(G1)表示的杂环化合物， 在通式(G1)中，A1及A2分别独立表示经取代或未经取代的咔唑骨架、经取代或未经取代的二苯并呋喃骨架和经取代或未经取代的二苯并噻吩骨架中任一者；B表示经取代或未经取代的二苯并[f,h]喹恶啉骨架；且，Ar表示含有6至13个碳原子的芳烃骨架。本发明提供一种发光组件，其包括该杂环化合物。

公开(公告)号：TWI582086B

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：TW101131322

申请日：2012-08-29

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 瀨尾哲史 ,  SEO, SATOSHI ,  下垣智子 ,  SHITAGAKI, SATOKO ,  森久保都 ,  MORIKUBO, MIYAKO ,  橋本直明 ,  HASHIMOTO, NAOAKI ,  石曾根崇浩 ,  ISHISONE, TAKAHIRO ,  竹田恭子 ,  TAKEDA, KYOKO ,  瀨尾廣美 ,  SEO, HIROMI

IPC: C07D403/14 ,  C09K11/06 ,  H05B33/14 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/0072 ,  C07D403/14 ,  C07D409/14 ,  C09K11/025 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/185 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5024 ,  H01L51/5076 ,  H05B33/14

公开(公告)号：TWI562201B

公开(公告)日：2016-12-11

申请号：TW100125969

申请日：2011-07-22

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 田島亮太 ,  TAJIMA, RYOTA ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  大槻高志 ,  OHTSUKI, TAKASHI ,  德丸亮 ,  TOKUMARU, RYO ,  惠木勇司 ,  EGI, YUJI ,  加藤繪里香 ,  KATO, ERIKA ,  森久保都 ,  MORIKUBO, MIYAKO

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  C30B25/105 ,  C30B25/183 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648

公开(公告)号：TW201315729A

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：TW101131540

申请日：2012-08-30

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 瀨尾哲史 ,  SEO, SATOSHI ,  下垣智子 ,  SHITAGAKI, SATOKO ,  鈴木宏記 ,  SUZUKI, HIROKI ,  荻田香 ,  OGITA, KAORI ,  久保田朋廣 ,  KUBOTA, TOMOHIRO ,  森久保都 ,  MORIKUBO, MIYAKO ,  北野靖 ,  KITANO, YASUSHI

IPC: C07D409/10 ,  C09K11/06 ,  H05B33/14 ,  H01L51/50

CPC classification number: C07D405/10 ,  C07D241/38 ,  C07D403/10 ,  C07D409/10 ,  C09B57/00 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072

Abstract: 本發明的一個方式提供如下新的雜環化合物，該雜環化合物具有優異的耐熱性並能夠用作相對於發光物質(發射螢光的物質或發射磷光的物質)的主體材料。一種包含如下雜環化合物的發光元件，該雜環化合物包含一個二苯並[f,h]喹喔啉環、一個具有電洞傳輸骨架的環及苯環，並且所述苯環的數量為兩個以上且八個以下。另外，在上述結構中，雜環化合物的分子量為564以上且1000以下。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式提供如下新的杂环化合物，该杂环化合物具有优异的耐热性并能够用作相对于发光物质(发射萤光的物质或发射磷光的物质)的主体材料。一种包含如下杂环化合物的发光组件，该杂环化合物包含一个二苯并[f,h]喹喔啉环、一个具有电洞传输骨架的环及苯环，并且所述苯环的数量为两个以上且八个以下。另外，在上述结构中，杂环化合物的分子量为564以上且1000以下。

公开(公告)号：TWI599566B

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：TW101131540

申请日：2012-08-30

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 瀨尾哲史 ,  SEO, SATOSHI ,  下垣智子 ,  SHITAGAKI, SATOKO ,  鈴木宏記 ,  SUZUKI, HIROKI ,  荻田香 ,  OGITA, KAORI ,  久保田朋廣 ,  KUBOTA, TOMOHIRO ,  森久保都 ,  MORIKUBO, MIYAKO ,  北野靖 ,  KITANO, YASUSHI

IPC: C07D409/10 ,  C09K11/06 ,  H05B33/14 ,  H01L51/50

CPC classification number: C07D405/10 ,  C07D241/38 ,  C07D403/10 ,  C07D409/10 ,  C09B57/00 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072

公开(公告)号：TW201720813A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：TW106104918

申请日：2012-08-29

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 瀨尾哲史 ,  SEO, SATOSHI ,  下垣智子 ,  SHITAGAKI, SATOKO ,  森久保都 ,  MORIKUBO, MIYAKO ,  橋本直明 ,  HASHIMOTO, NAOAKI ,  石曾根崇浩 ,  ISHISONE, TAKAHIRO ,  竹田恭子 ,  TAKEDA, KYOKO ,  瀨尾廣美 ,  SEO, HIROMI

IPC: C07D403/14 ,  C09K11/06 ,  H05B33/14 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/0072 ,  C07D403/14 ,  C07D409/14 ,  C09K11/025 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/185 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5024 ,  H01L51/5076 ,  H05B33/14

Abstract: 本發明提供一種新穎雜環化合物，其可用作其中分散發光層的發光物質的主體材料。本發明提供一種驅動電壓低的發光元件、發光效率高的發光元件及長壽命的發光元件。本發明提供一種雜環化合物，其包含二苯並[f,h]喹噁啉環和兩個電洞傳輸骨架，其中該二苯並[f,h]喹噁啉環和該兩個電洞傳輸骨架係與芳烴基接合。本發明提供一種下述通式(G1)表示的雜環化合物， 在通式(G1)中，A1及A2分別獨立表示經取代或未經取代的咔唑骨架、經取代或未經取代的二苯並呋喃骨架和經取代或未經取代的二苯並噻吩骨架中任一者；B表示經取代或未經取代的二苯並[f,h]喹噁啉骨架；且，Ar表示含有6至13個碳原子的芳烴骨架。本發明提供一種發光元件，其包括該雜環化合物。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种新颖杂环化合物，其可用作其中分散发光层的发光物质的主体材料。本发明提供一种驱动电压低的发光组件、发光效率高的发光组件及长寿命的发光组件。本发明提供一种杂环化合物，其包含二苯并[f,h]喹恶啉环和两个电洞传输骨架，其中该二苯并[f,h]喹恶啉环和该两个电洞传输骨架系与芳烃基接合。本发明提供一种下述通式(G1)表示的杂环化合物， 在通式(G1)中，A1及A2分别独立表示经取代或未经取代的咔唑骨架、经取代或未经取代的二苯并呋喃骨架和经取代或未经取代的二苯并噻吩骨架中任一者；B表示经取代或未经取代的二苯并[f,h]喹恶啉骨架；且，Ar表示含有6至13个碳原子的芳烃骨架。本发明提供一种发光组件，其包括该杂环化合物。

公开(公告)号：TWI619709B

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106104918

申请日：2012-08-29

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 瀨尾哲史 ,  SEO, SATOSHI ,  下垣智子 ,  SHITAGAKI, SATOKO ,  森久保都 ,  MORIKUBO, MIYAKO ,  橋本直明 ,  HASHIMOTO, NAOAKI ,  石曾根崇浩 ,  ISHISONE, TAKAHIRO ,  竹田恭子 ,  TAKEDA, KYOKO ,  瀨尾廣美 ,  SEO, HIROMI

IPC: C07D403/14 ,  C09K11/06 ,  H05B33/14 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/0072 ,  C07D403/14 ,  C07D409/14 ,  C09K11/025 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/185 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5024 ,  H01L51/5076 ,  H05B33/14

公开(公告)号：TW201518289A

公开(公告)日：2015-05-16

申请号：TW103128456

申请日：2014-08-19

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 石黒佳美 ,  ISHIGURO, YOSHIMI ,  森久保都 ,  MORIKUBO, MIYAKO ,  川上祥子 ,  KAWAKAMI, SACHIKO ,  瀬尾広美 ,  SEO, HIROMI ,  高橋辰義 ,  TAKAHASHI, TATSUYOSHI ,  瀬尾哲史 ,  SEO, SATOSHI

IPC: C07D401/10 ,  C07D401/14 ,  C07D409/14 ,  C09K11/06 ,  H05B33/14 ,  H01L51/50 ,  C07F5/04 ,  C07D241/38 ,  C07D409/10 ,  C07D333/76

CPC classification number: H01L51/0052 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1044 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/326 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0074

Abstract: 本發明的一個方式提供一種能夠用於使發光層中的發光物質分散的主體材料的新穎有機化合物。本發明的一個方式是一種以通式(G1-1)表示的有機化合物。在通式中，A表示取代或未取代的二苯並[f,h]喹啉基，Ar1表示由1至4個環構成的取代基，並且n表示2或3，其中環為取代或未取代的苯環或者取代或未取代的茀環。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式提供一种能够用于使发光层中的发光物质分散的主体材料的新颖有机化合物。本发明的一个方式是一种以通式(G1-1)表示的有机化合物。在通式中，A表示取代或未取代的二苯并[f,h]喹啉基，Ar1表示由1至4个环构成的取代基，并且n表示2或3，其中环为取代或未取代的苯环或者取代或未取代的茀环。

公开(公告)号：TW201207906A

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：TW100125969

申请日：2011-07-22

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司

Inventor： 田島亮太 ,  田中哲弘 ,  大槻高志 ,  德丸亮 ,  惠木勇司 ,  加藤繪里香 ,  森久保都

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/78696 ,  C30B25/105 ,  C30B25/183 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648

Abstract: 本發明提供生產率較高地製作電特性良好的半導體裝置的方法。利用第一條件形成以低微粒密度具有高結晶性的混合相微粒的晶種後,在晶種上利用第二條件以使晶種的混合相微粒生長來填埋混合相微粒的間隙的方式,在晶種上層疊形成微晶半導體膜。第一條件將氫的流量設定為含有矽或鍺的沉積氣體的流量的50倍以上1000倍以下來稀釋沉積氣體,並且將處理室內的壓力設定為大於1333Pa且13332Pa以下。第二條件將氫的流量設定為含有矽或鍺的沉積氣體的流量的100倍以上2000倍以下來稀釋沉積氣體,並且將處理室內的壓力設定為1333Pa以上13332Pa以下。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供生产率较高地制作电特性良好的半导体设备的方法。利用第一条件形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的晶种后,在晶种上利用第二条件以使晶种的混合相微粒生长来填埋混合相微粒的间隙的方式,在晶种上层叠形成微晶半导体膜。第一条件将氢的流量设置为含有硅或锗的沉积气体的流量的50倍以上1000倍以下来稀释沉积气体,并且将处理室内的压力设置为大于1333Pa且13332Pa以下。第二条件将氢的流量设置为含有硅或锗的沉积气体的流量的100倍以上2000倍以下来稀释沉积气体,并且将处理室内的压力设置为1333Pa以上13332Pa以下。