公开(公告)号：TWI620331B

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW102127117

申请日：2013-07-29

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/1255 ,  H01L27/0733 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI620325B

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW103113868

申请日：2014-04-16

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 本堂英 ,  HONDO, SUGURU ,  花岡一哉 ,  HANAOKA, KAZUYA ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  楠本直人 ,  KUSUMOTO, NAOTO

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TWI620324B

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW103112154

申请日：2014-04-01

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201813098A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106113267

申请日：2017-04-20

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 安德森 布蘭特A ,  ANDERSON, BRENT A. ,  諾瓦克 愛德華J ,  NOWAK, EDWARD J.

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78642 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696

摘要： 一種半導體裝置，包括以局部可變的鰭片間距佈置的多個垂直傳輸鰭式場效應電晶體。在該裝置的第一區域內，多個第一鰭片以第一間距(d1)佈置，且在該裝置的第二區域內，多個第二鰭片以小於該第一間距的第二間距(d2)佈置。該多個第二鰭片共用合併的源、汲及閘區，而該多個第一鰭片的源、汲及閘區未合併。

简体摘要： 一种半导体设备，包括以局部可变的鳍片间距布置的多个垂直传输鳍式场效应晶体管。在该设备的第一区域内，多个第一鳍片以第一间距(d1)布置，且在该设备的第二区域内，多个第二鳍片以小于该第一间距的第二间距(d2)布置。该多个第二鳍片共享合并的源、汲及闸区，而该多个第一鳍片的源、汲及闸区未合并。

公开(公告)号：TW201813094A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW105142759

申请日：2016-12-22

申请人： 半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

摘要： 電晶體包括：閘極電極；第一導電體；第二導電體；閘極絕緣體；以及金屬氧化物，其中，閘極絕緣體位於閘極電極與金屬氧化物之間，閘極電極包括隔著閘極絕緣體與金屬氧化物重疊的區域，第一導電體及第二導電體都包括與金屬氧化物的頂面及側面接觸的區域，金屬氧化物採用在厚度方向上具有第一能帶間隙的氧化物和具有第二能帶間隙並與具有第一能帶間隙的氧化物相鄰的氧化物交替地重疊的疊層結構，金屬氧化物包括具有第一能帶間隙的兩層以上的氧化物，並且，第一能帶間隙小於第二能帶間隙。

简体摘要： 晶体管包括：闸极电极；第一导电体；第二导电体；闸极绝缘体；以及金属氧化物，其中，闸极绝缘体位于闸极电极与金属氧化物之间，闸极电极包括隔着闸极绝缘体与金属氧化物重叠的区域，第一导电体及第二导电体都包括与金属氧化物的顶面及侧面接触的区域，金属氧化物采用在厚度方向上具有第一能带间隙的氧化物和具有第二能带间隙并与具有第一能带间隙的氧化物相邻的氧化物交替地重叠的叠层结构，金属氧化物包括具有第一能带间隙的两层以上的氧化物，并且，第一能带间隙小于第二能带间隙。

公开(公告)号：TW201812723A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW105128968

申请日：2016-09-07

申请人： 友達光電股份有限公司 ,  AU OPTRONICS CORPORATION

发明人： 吳汶錦 ,  WU, WEN CHING ,  沈柏元 ,  SHEN, PO YUAN ,  陳耀銘 ,  CHEN, YAO MING

IPC分类号： G09G3/20

CPC分类号： H01L27/1251 ,  G09G3/344 ,  G09G3/348 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/0264 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  G11C19/28 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696

摘要： 一種陣列基板包含基板、掃描線、資料線、畫素單元與閘極驅動電路。基板具有顯示區與周邊區。畫素單元電性連接掃描線與資料線。至少一畫素單元設置於顯示區。閘極驅動電路設置於周邊區，且包含複數個移位暫存器，沿第一方向依序設置於基板上。至少一移位暫存器包含上拉單元。上拉單元包含第一電晶體，用以輸出閘極信號至掃描線。第一電晶體包含第一閘極、第一通道層、第一源極與第一汲極。第一源極與第一汲極分別具有至少一條狀部。兩相鄰的第一源極的條狀部與第一汲極的條狀部之間具有第一通道長度，第一通道長度的延伸方向係沿第一方向。

简体摘要： 一种数组基板包含基板、扫描线、数据线、像素单元与闸极驱动电路。基板具有显示区与周边区。像素单元电性连接扫描线与数据线。至少一像素单元设置于显示区。闸极驱动电路设置于周边区，且包含复数个移位寄存器，沿第一方向依序设置于基板上。至少一移位寄存器包含上拉单元。上拉单元包含第一晶体管，用以输出闸极信号至扫描线。第一晶体管包含第一闸极、第一信道层、第一源极与第一汲极。第一源极与第一汲极分别具有至少一条状部。两相邻的第一源极的条状部与第一汲极的条状部之间具有第一信道长度，第一信道长度的延伸方向系沿第一方向。

公开(公告)号：TW201810689A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106141662

申请日：2010-03-05

申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  廣橋拓也 ,  HIROHASHI, TAKUYA ,  岸田英幸 ,  KISHIDA, HIDEYUKI

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

摘要： 本發明的目的之一在於提供一種具有穩定電特性的薄膜電晶體的高可靠性的半導體裝置。在包括作為半導體層採用氧化物半導體層的反堆疊型薄膜電晶體的半導體裝置中，在氧化物半導體層之上具有緩衝層。緩衝層接觸於半導體層的通道形成區與源極電極層及汲極電極層。緩衝層在其膜中具有電阻分佈。在緩衝層中，設置在半導體層的通道形成區上的區域的導電率低於半導體層的通道形成區的導電率，並且與源極電極層及汲極電極層接觸的區域的導電率高於半導體層的通道形成區的導電率。

简体摘要： 本发明的目的之一在于提供一种具有稳定电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体设备。在包括作为半导体层采用氧化物半导体层的反堆栈型薄膜晶体管的半导体设备中，在氧化物半导体层之上具有缓冲层。缓冲层接触于半导体层的信道形成区与源极电极层及汲极电极层。缓冲层在其膜中具有电阻分布。在缓冲层中，设置在半导体层的信道形成区上的区域的导电率低于半导体层的信道形成区的导电率，并且与源极电极层及汲极电极层接触的区域的导电率高于半导体层的信道形成区的导电率。

公开(公告)号：TW201810685A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106129016

申请日：2010-11-09

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 加藤清 ,  KATO, KIYOSHI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  G06K19/077

CPC分类号： H01L29/78696 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/07773 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/7869 ,  H01L2223/6677 ,  H04B1/40 ,  Y02D70/00

摘要： 本發明之目的在於取得低耗電及長壽命之具有無線通訊功能的半導體裝置。以作為電源的電池與特定電路電經由使用氧化物半導體所形成的通道形成區的電晶體而彼此電連接之方式來達成此目的。氧化物半導體的氫濃度低於或等於5×1019(原子/cm3)。因此，電晶體的漏電流降低。結果，在待機狀態時半導體裝置的耗電降低。此外，半導體裝置具有長壽命。

简体摘要： 本发明之目的在于取得低耗电及长寿命之具有无线通信功能的半导体设备。以作为电源的电池与特定电路电经由使用氧化物半导体所形成的信道形成区的晶体管而彼此电连接之方式来达成此目的。氧化物半导体的氢浓度低于或等于5×1019(原子/cm3)。因此，晶体管的漏电流降低。结果，在待机状态时半导体设备的耗电降低。此外，半导体设备具有长寿命。

公开(公告)号：TWI618123B

公开(公告)日：2018-03-11

申请号：TW105117103

申请日：2016-05-31

申请人： 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

发明人： 林欣樺 ,  LIN, HSIN-HUA ,  高逸群 ,  KAO, YI-CHUN

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L27/12 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L27/1251 ,  H01L21/26513 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1233 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI615903B

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：TW105109494

申请日：2010-07-01

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  G09F9/33

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696