公开(公告)号：TWI261358B

公开(公告)日：2006-09-01

申请号：TW092101725

申请日：2003-01-27

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 磯部敦生 ISOBE, ATSUO ,  山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI ,  荒尾達也 ARAO, TATSUYA ,  宮入秀和 MIYAIRI HIDEKAZU ,  田中幸一郎 TANAKA, KOICHIRO ,  小久保千穗 ,  下村明久

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 為了提供由半導體元件或半導體元件組組成的半導體裝置，其中在通道形成區中具有盡可能少的晶粒邊界的結晶半導體膜形成於絕緣表面上，其可以高速運轉，並具有高的電流驅動性能，且其在元件之間更少波動。本發明的方法包含：在具有絕緣表面的基底上形成有開口的絕緣膜；在絕緣膜上和開口之上形成具有任意形成的晶粒邊界的非晶半導體膜或多晶半導體膜；藉由融化半導體膜，將融化的半導體灌入絕緣膜的開口中，並晶化或再結晶半導體膜形成結晶半導體膜；除去在開口中的結晶半導體膜部分之外的結晶半導體膜以形成與結晶半導體膜的頂面接觸閘極絕緣膜和閘極電極。

Abstract in simplified Chinese: 为了提供由半导体组件或半导体组件组组成的半导体设备，其中在信道形成区中具有尽可能少的晶粒边界的结晶半导体膜形成于绝缘表面上，其可以高速运转，并具有高的电流驱动性能，且其在组件之间更少波动。本发明的方法包含：在具有绝缘表面的基底上形成有开口的绝缘膜；在绝缘膜上和开口之上形成具有任意形成的晶粒边界的非晶半导体膜或多晶半导体膜；借由融化半导体膜，将融化的半导体灌入绝缘膜的开口中，并晶化或再结晶半导体膜形成结晶半导体膜；除去在开口中的结晶半导体膜部分之外的结晶半导体膜以形成与结晶半导体膜的顶面接触闸极绝缘膜和闸极电极。

公开(公告)号：TWI263336B

公开(公告)日：2006-10-01

申请号：TW090113144

申请日：2001-05-31

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI ,  三津木亨 MITSUKI, TORU ,  笠原健司 KASAHARA, KENJI ,  淺見勇臣 ,  高野圭惠 TAKANO, TAMAE ,  志知武司 ,  小久保千穗 ,  荒井康行 ARAI, YASUYUKI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78684

Abstract: TFT具有由晶體半導體薄膜形成的溝道形成區，所述晶體半導體薄膜通過熱處理使包含矽作為主要成分和鍺的非晶半導體薄膜結晶而獲得，鍺的含量不小於0.1原子%但不大於10原子%同時添加金屬元素，其中：通過電子背反射衍射圖樣方法測定時，相對於半導體薄膜的表面不少於20%的晶格面{101}具有不大於10度的角度，相對於半導體薄膜的表面不多於3%的晶格面{001}具有不大於10度的角度，以及相對於半導體薄膜的表面不多於5%的晶格面{111}具有不大於10度的角度。

Abstract in simplified Chinese: TFT具有由晶体半导体薄膜形成的沟道形成区，所述晶体半导体薄膜通过热处理使包含硅作为主要成分和锗的非晶半导体薄膜结晶而获得，锗的含量不小于0.1原子%但不大于10原子%同时添加金属元素，其中：通过电子背反射衍射图样方法测定时，相对于半导体薄膜的表面不少于20%的晶格面{101}具有不大于10度的角度，相对于半导体薄膜的表面不多于3%的晶格面{001}具有不大于10度的角度，以及相对于半导体薄膜的表面不多于5%的晶格面{111}具有不大于10度的角度。

公开(公告)号：TWI272666B

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：TW092101721

申请日：2003-01-27

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 磯部敦生 ISOBE, ATSUO ,  山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI ,  荒尾達也 ARAO, TATSUYA ,  宮入秀和 MIYAIRI HIDEKAZU ,  田中幸一郎 TANAKA, KOICHIRO ,  秋葉麻衣 AKIBA, MAI ,  小久保千穗 ,  下村明久

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本發明的目的在於提供一種製造半導體裝置的方法，以及一種使用該製造方法所製造的半導體裝置，其中使用雷射晶化方法，它能夠防止在TFT通道形成區中形成晶界，並且能夠防止所有由於晶界導致的TFT遷移率的顯著下降、接通電流降低和關斷電流增加。形成具有條形形狀或矩形形狀的凹陷和凸起。用連續波雷射沿絕緣膜條形形狀的凹陷和凸起、或沿矩形形狀的縱軸方向或橫軸方向照射形成在絕緣膜上的半導體膜。注意雖然此時最較佳使用連續波雷射，但也可以使用脈衝波雷射。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的在于提供一种制造半导体设备的方法，以及一种使用该制造方法所制造的半导体设备，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT信道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显着下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向照射形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最较佳使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。

公开(公告)号：TWI263337B

公开(公告)日：2006-10-01

申请号：TW091137730

申请日：2002-12-27

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 磯部敦生 ISOBE, ATSUO ,  大力浩二 DAIRIKI, KOJI ,  小久保千穗 ,  荒尾達也 ARAO, TATSUYA ,  早川昌彥 HAYAKAWA, MASAHIKO ,  宮入秀和 MIYAIRI HIDEKAZU ,  下村明久 ,  田中幸一郎 TANAKA, KOICHIRO ,  山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI ,  秋葉麻衣 AKIBA, MAI ,  柴田寬 SHIBATA, HIROSHI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/032 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/10 ,  B23K26/702 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/78603

Abstract: 具有沈陷和突起的絕緣膜形成於基底上。半導體膜形成於絕緣膜上。這樣，為了用雷射晶化，應力集中的部分選擇地形成於半導體膜中。更具體地，條形或矩形沈陷和突起提供在半導體膜中。然後，連續波雷射光沿著形成於半導體膜中的條形沈陷和突起或在矩形長軸或短軸的方向照射。

Abstract in simplified Chinese: 具有沈陷和突起的绝缘膜形成于基底上。半导体膜形成于绝缘膜上。这样，为了用激光晶化，应力集中的部分选择地形成于半导体膜中。更具体地，条形或矩形沈陷和突起提供在半导体膜中。然后，连续波激光光沿着形成于半导体膜中的条形沈陷和突起或在矩形长轴或短轴的方向照射。

公开(公告)号：TWI272722B

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：TW091136549

申请日：2002-12-18

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 小久保千穗 ,  志賀愛子 SHIGA AIKO ,  棚田好文 TANADA, YOSHIFUMI ,  山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本發明提供一種使用薄膜電晶體有效地建構需要裝置間之高一致性的電路的方法。半導體層形成在基底上並被圖形化為所需要的形狀以形成第一半導體島。藉由在其表面區域內雷射照射均勻地晶化第一半導體島。此後，該半導體層被圖形化為所需要的形狀以成為薄膜電晶體層的主動層。在這種情況下，構成一個單元電路的所有薄膜電晶體的主動層由第一半導體島之一形成。因此，TFT間可達成高一致性。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种使用薄膜晶体管有效地建构需要设备间之高一致性的电路的方法。半导体层形成在基底上并被图形化为所需要的形状以形成第一半导体岛。借由在其表面区域内激光照射均匀地晶化第一半导体岛。此后，该半导体层被图形化为所需要的形状以成为薄膜晶体管层的主动层。在这种情况下，构成一个单元电路的所有薄膜晶体管的主动层由第一半导体岛之一形成。因此，TFT间可达成高一致性。