公开(公告)号：TW201816837A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：TW106124007

申请日：2017-07-18

Applicant: 半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  中澤安孝 ,  NAKAZAWA, YASUTAKA ,  半田拓哉 ,  HANDA, TAKUYA ,  渡邊正寛 ,  WATANABE, MASAHIRO

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336

Abstract: 本發明的一個實施方式的目的之一是使半導體裝置具有良好的電特性。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種可靠性高的半導體裝置。一種包含金屬氧化物的半導體裝置，該半導體裝置包括閘極電極、閘極電極上的第一絕緣膜、第一絕緣膜上的金屬氧化物、金屬氧化物上的一對電極、以及與金屬氧化物接觸的第二絕緣膜，金屬氧化物包括第一金屬氧化物、以及與第一金屬氧化物的頂面接觸的第二金屬氧化物，第一金屬氧化物及第二金屬氧化物都包含In、元素M(M是鎵、鋁、矽等)及Zn，第一金屬氧化物具有其結晶性低於第二金屬氧化物的區域，第二絕緣膜具有其厚度小於第二金屬氧化物的區域。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式的目的之一是使半导体设备具有良好的电特性。另外，本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种可靠性高的半导体设备。一种包含金属氧化物的半导体设备，该半导体设备包括闸极电极、闸极电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的金属氧化物、金属氧化物上的一对电极、以及与金属氧化物接触的第二绝缘膜，金属氧化物包括第一金属氧化物、以及与第一金属氧化物的顶面接触的第二金属氧化物，第一金属氧化物及第二金属氧化物都包含In、元素M(M是镓、铝、硅等)及Zn，第一金属氧化物具有其结晶性低于第二金属氧化物的区域，第二绝缘膜具有其厚度小于第二金属氧化物的区域。