公开(公告)号：TW201816837A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：TW106124007

申请日：2017-07-18

Applicant: 半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  中澤安孝 ,  NAKAZAWA, YASUTAKA ,  半田拓哉 ,  HANDA, TAKUYA ,  渡邊正寛 ,  WATANABE, MASAHIRO

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336

Abstract: 本發明的一個實施方式的目的之一是使半導體裝置具有良好的電特性。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種可靠性高的半導體裝置。一種包含金屬氧化物的半導體裝置，該半導體裝置包括閘極電極、閘極電極上的第一絕緣膜、第一絕緣膜上的金屬氧化物、金屬氧化物上的一對電極、以及與金屬氧化物接觸的第二絕緣膜，金屬氧化物包括第一金屬氧化物、以及與第一金屬氧化物的頂面接觸的第二金屬氧化物，第一金屬氧化物及第二金屬氧化物都包含In、元素M(M是鎵、鋁、矽等)及Zn，第一金屬氧化物具有其結晶性低於第二金屬氧化物的區域，第二絕緣膜具有其厚度小於第二金屬氧化物的區域。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式的目的之一是使半导体设备具有良好的电特性。另外，本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种可靠性高的半导体设备。一种包含金属氧化物的半导体设备，该半导体设备包括闸极电极、闸极电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的金属氧化物、金属氧化物上的一对电极、以及与金属氧化物接触的第二绝缘膜，金属氧化物包括第一金属氧化物、以及与第一金属氧化物的顶面接触的第二金属氧化物，第一金属氧化物及第二金属氧化物都包含In、元素M(M是镓、铝、硅等)及Zn，第一金属氧化物具有其结晶性低于第二金属氧化物的区域，第二绝缘膜具有其厚度小于第二金属氧化物的区域。

公开(公告)号：TW201438228A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：TW103104718

申请日：2014-02-13

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 徳永肇 ,  TOKUNAGA, HAJIME ,  半田拓哉 ,  HANDA, TAKUYA ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969

Abstract: 本發明的一個方式提供一種具有高場效移動率的電晶體等或者提供一種電特性穩定的電晶體等。本發明的一個方式包括其一部分重疊設置的第一氧化物半導體層、第二氧化物半導體層、閘極絕緣膜以及閘極電極，其中，第二氧化物半導體層位於第一氧化物半導體層和閘極絕緣膜之間，閘極絕緣膜位於第二氧化物半導體層和閘極電極之間，並且，第一氧化物半導體層的氧缺損量少於第二氧化物半導體層的氧缺損量。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式提供一种具有高场效移动率的晶体管等或者提供一种电特性稳定的晶体管等。本发明的一个方式包括其一部分重叠设置的第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层、闸极绝缘膜以及闸极电极，其中，第二氧化物半导体层位于第一氧化物半导体层和闸极绝缘膜之间，闸极绝缘膜位于第二氧化物半导体层和闸极电极之间，并且，第一氧化物半导体层的氧缺损量少于第二氧化物半导体层的氧缺损量。

公开(公告)号：TWI594425B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW101131016

申请日：2012-08-27

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 渡邊正寬 ,  WATANABE, MASAHIRO ,  增山光男 ,  MASHIYAMA, MITSUO ,  半田拓哉 ,  HANDA, TAKUYA ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI

IPC: H01L29/772 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78606

公开(公告)号：TWI613817B

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW102136023

申请日：2013-10-04

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  增山光男 ,  MASHIYAMA, MITSUO ,  半田拓哉 ,  HANDA, TAKUYA ,  渡邊正寬 ,  WATANABE, MASAHIRO ,  徳永肇 ,  TOKUNAGA, HAJIME

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/1248 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/70 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L51/50

公开(公告)号：TW201419542A

公开(公告)日：2014-05-16

申请号：TW102136023

申请日：2013-10-04

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  增山光男 ,  MASHIYAMA, MITSUO ,  半田拓哉 ,  HANDA, TAKUYA ,  渡邊正寬 ,  WATANABE, MASAHIRO ,  徳永肇 ,  TOKUNAGA, HAJIME

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/1248 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/70 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L51/50

Abstract: 本發明的課題是使使用氧化物半導體層的電晶體具有穩定的電特性。另外，本發明的課題提供一種具有電晶體的高可靠性的半導體裝置。該半導體裝置包括包含氧化物層及氧化物半導體層的多層膜、與氧化物層接觸地設置的閘極絕緣膜以及隔著閘極絕緣膜與多層膜重疊地設置的閘極電極，其中氧化物層包含與氧化物半導體層相同的元素並具有比氧化物半導體層大的能隙，氧化物層和氧化物半導體層之間的組成連續地變化。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的课题是使使用氧化物半导体层的晶体管具有稳定的电特性。另外，本发明的课题提供一种具有晶体管的高可靠性的半导体设备。该半导体设备包括包含氧化物层及氧化物半导体层的多层膜、与氧化物层接触地设置的闸极绝缘膜以及隔着闸极绝缘膜与多层膜重叠地设置的闸极电极，其中氧化物层包含与氧化物半导体层相同的元素并具有比氧化物半导体层大的能隙，氧化物层和氧化物半导体层之间的组成连续地变化。

公开(公告)号：TW201324769A

公开(公告)日：2013-06-16

申请号：TW101131016

申请日：2012-08-27

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 渡邊正寬 ,  WATANABE, MASAHIRO ,  增山光男 ,  MASHIYAMA, MITSUO ,  半田拓哉 ,  HANDA, TAKUYA ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI

IPC: H01L29/772 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78606

Abstract: 本發明的一個方式的目的之一是提供一種賦予更穩定的電特性且可靠性高的使用氧化物半導體的半導體裝置。另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種該半導體裝置的製造方法。本發明的一個方式是一種半導體裝置，包括：閘極電極；形成在閘極電極上的閘極絕緣膜；形成在閘極絕緣膜上的氧化物半導體膜；形成在氧化物半導體膜上的源極電極及汲極電極；以及保護膜，其中，該保護膜具有金屬氧化膜，並且，該金屬氧化膜的膜密度為3.2g/cm3以上。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种赋予更稳定的电特性且可靠性高的使用氧化物半导体的半导体设备。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种该半导体设备的制造方法。本发明的一个方式是一种半导体设备，包括：闸极电极；形成在闸极电极上的闸极绝缘膜；形成在闸极绝缘膜上的氧化物半导体膜；形成在氧化物半导体膜上的源极电极及汲极电极；以及保护膜，其中，该保护膜具有金属氧化膜，并且，该金属氧化膜的膜密度为3.2g/cm3以上。