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    半導體元件及其製造方法
    2.
    发明专利
    半導體元件及其製造方法 审中-公开
    半导体组件及其制造方法

    公开(公告)号：TW202022926A

    公开(公告)日：2020-06-16

    申请号：TW108110087

    申请日：2019-03-22

    申请人： 南亞科技股份有限公司 ,  NANYA TECHNOLOGY CORPORATION

    发明人： 蘇國輝 ,  SU, KUO-HUI

    IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/60 ,  H01L23/52

    摘要： 本揭露提供一種半導體元件及其製造方法。該半導體元件包括：一第一基板、一基板通孔、一第二基板，以及一接合結構。該第一基板包括一第一介電材料，該第一介電材料包括設置在其中的一第一導電墊。該基板通孔形成在該第一基板中。該第二基板包括一第二介電材料，該第二介電材料包括嵌入其中的一第二導電墊，該第一介電材料與該第二介電材料不同，該第二導電墊具有一第一高度，該第二介電材料具有一第二高度，該第一高度小於該第二高度。該接合結構形成在該第一基板和該第二基板之間，其中該接合結構包括接合到該第二導電墊的該第一導電墊和接合到該第二介電材料的該第一介電材料。

    简体摘要： 本揭露提供一种半导体组件及其制造方法。该半导体组件包括：一第一基板、一基板通孔、一第二基板，以及一接合结构。该第一基板包括一第一介电材料，该第一介电材料包括设置在其中的一第一导电垫。该基板通孔形成在该第一基板中。该第二基板包括一第二介电材料，该第二介电材料包括嵌入其中的一第二导电垫，该第一介电材料与该第二介电材料不同，该第二导电垫具有一第一高度，该第二介电材料具有一第二高度，该第一高度小于该第二高度。该接合结构形成在该第一基板和该第二基板之间，其中该接合结构包括接合到该第二导电垫的该第一导电垫和接合到该第二介电材料的该第一介电材料。