公开(公告)号：TW357394B

公开(公告)日：1999-05-01

申请号：TW086106389

申请日：1997-05-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 梁孟松 ,  蘇忠輝

IPC: H01L

Abstract: 一種形成大晶粒複晶矽的方法，該方法因為可製造具有較大晶粒及表面積之半球形複晶矽，因此適用於動態隨機存取記憶體中儲存電容器的儲存電極。並且，應用這種半球形複晶矽之電容器亦具有較好的儲存電荷能力。此方法的步驟包括：先以一第一溫度，約在490℃～550℃之間，沈積一層非晶矽層於預定之元件或基底表面。接著，使用相同之反應室，再以一第二溫度，約600℃以上，及一第一壓力，約1m Torr以下，轉換上述之非晶矽層以形成一半球形複晶矽層。

Abstract in simplified Chinese: 一种形成大晶粒复晶硅的方法，该方法因为可制造具有较大晶粒及表面积之半球形复晶硅，因此适用于动态随机存取内存中存储电容器的存储电极。并且，应用这种半球形复晶硅之电容器亦具有较好的存储电荷能力。此方法的步骤包括：先以一第一温度，约在490℃～550℃之间，沉积一层非晶硅层于预定之组件或基底表面。接着，使用相同之反应室，再以一第二温度，约600℃以上，及一第一压力，约1m Torr以下，转换上述之非晶硅层以形成一半球形复晶硅层。

公开(公告)号：TW311282B

公开(公告)日：1997-07-21

申请号：TW085102181

申请日：1996-02-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 王銓中 ,  伍壽國 ,  梁孟松 ,  蘇忠輝

IPC: H01L

Abstract: 本發明是一種靜態隨機存取記憶體(Static Random Access Mmemory；SRAM)之記憶元中，低阻值歐姆接觸的嶄新封塞結構的製作方法，並同時形成金屬到元件的接觸；本方法包含在P^-型摻雜複晶矽層及N^-型摻雜複晶矽層之間形成歐姆接觸的封塞結構的製作方法，因此可提高 SRAM 記憶元的導通電流【On Current； Ion】。在金屬接觸窗中也同時形成到基底的傳導封塞(Plug)。此封塞結構的製程並可減少習知技藝之一次光罩層次。

Abstract in simplified Chinese: 本发明是一种静态随机存取内存(Static Random Access Mmemory；SRAM)之记忆元中，低阻值欧姆接触的崭新封塞结构的制作方法，并同时形成金属到组件的接触；本方法包含在P^-型掺杂复晶硅层及N^-型掺杂复晶硅层之间形成欧姆接触的封塞结构的制作方法，因此可提高 SRAM 记忆元的导通电流【On Current； Ion】。在金属接触窗中也同时形成到基底的传导封塞(Plug)。此封塞结构的制程并可减少习知技艺之一次光罩层次。

公开(公告)号：TW302503B

公开(公告)日：1997-04-11

申请号：TW085106286

申请日：1996-05-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 王銓中 ,  伍壽國 ,  梁孟松 ,  蘇忠輝

IPC: H01L

Abstract: 本發明揭露了一種形成自動對準接觸窗（Self-Aligned Contact；SAC）的方法，所述方法是在基板（Substrate）上之接觸窗以外的區域沉積一層『攙雜的複晶矽層』，接著，在接觸窗區域沉積一層『薄的複晶矽障礙層』和『鎢金屬層』。最後之『自動對準接觸窗』結構提供了卓越的階梯覆蓋能力（Excellent Step Coverage），低的接觸窗電阻值（Low Contact Resistance），淺的源極/汲極接面（Shallow Source/Drain Junction）。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露了一种形成自动对准接触窗（Self-Aligned Contact；SAC）的方法，所述方法是在基板（Substrate）上之接触窗以外的区域沉积一层‘搀杂的复晶硅层’，接着，在接触窗区域沉积一层‘薄的复晶硅障碍层’和‘钨金属层’。最后之‘自动对准接触窗’结构提供了卓越的阶梯覆盖能力（Excellent Step Coverage），低的接触窗电阻值（Low Contact Resistance），浅的源极/汲极接面（Shallow Source/Drain Junction）。

公开(公告)号：TW329558B

公开(公告)日：1998-04-11

申请号：TW085111532

申请日：1996-09-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 王銓中 ,  伍壽國 ,  梁孟松 ,  蘇忠輝

IPC: H01L

Abstract: 現已發展出一種製造一體式堆疊層電容、DRAM元件和薄膜電晶體、SRAM元件之方法。此製造方法的特徵係結合產生轉換閘極電晶體結構以及用於 DRAM和 SRAM裝置的存取電晶體結構的主要操作步驟。此外，亦共用用以產生一電容結構以用於DRAM元件之製程步驟以及用以產生一薄膜電晶體結構以用於SRAM元件之步驟。本發明的其他重要特徵為使用於SRAM元件的一埋入式接點結構。

Abstract in simplified Chinese: 现已发展出一种制造一体式堆栈层电容、DRAM组件和薄膜晶体管、SRAM组件之方法。此制造方法的特征系结合产生转换闸极晶体管结构以及用于 DRAM和 SRAM设备的存取晶体管结构的主要操作步骤。此外，亦共享用以产生一电容结构以用于DRAM组件之制程步骤以及用以产生一薄膜晶体管结构以用于SRAM组件之步骤。本发明的其他重要特征为使用于SRAM组件的一埋入式接点结构。

公开(公告)号：TW307025B

公开(公告)日：1997-06-01

申请号：TW085101295

申请日：1996-02-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 王銓中 ,  伍壽國 ,  梁孟松 ,  蘇忠輝

IPC: H01L

Abstract: 一種多層多晶矽電阻器及其形成方法。至少有兩層之多晶矽層被形成在一絕緣層上，而該絕緣層則是形成在一半導體基體上。該第一多晶矽層在第一沉積溫度下，以第一厚度被形成。該第二多晶矽層是被直接形成在第一多晶矽層上。該第二多晶矽層在第二沉積溫度下，以第二厚度被形成。該兩沉積溫度之範圍大約在４５０至６２０度攝氏溫度，而介於第一沉積溫度與第二沉積溫度間之溫度差異至少為１０度攝氏溫度。

Abstract in simplified Chinese: 一种多层多晶硅电阻器及其形成方法。至少有两层之多晶硅层被形成在一绝缘层上，而该绝缘层则是形成在一半导体基体上。该第一多晶硅层在第一沉积温度下，以第一厚度被形成。该第二多晶硅层是被直接形成在第一多晶硅层上。该第二多晶硅层在第二沉积温度下，以第二厚度被形成。该两沉积温度之范围大约在４５０至６２０度摄氏温度，而介于第一沉积温度与第二沉积温度间之温度差异至少为１０度摄氏温度。

公开(公告)号：TW284905B

公开(公告)日：1996-09-01

申请号：TW085101253

申请日：1996-02-01

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 王銓中 ,  伍壽國 ,  梁孟松 ,  蘇忠輝

IPC: H01L

Abstract: 本發明係關於一種 0.35微米以下製程之負載電阻及隔離區製法，尤指一種可在各元件間蝕刻形成凹溝(TRENCH)，並在凹溝側壁及底部覆蓋氧化層及第二複晶矽層，藉第二複晶矽層光罩定義後，可藉分佈在凹溝內之第二複晶矽層，可供做為高阻抗負載電阻使用之外，亦可將設在介於各元件間之凹溝的第二複晶矽予以接地，藉圍繞在凹溝內壁面之第二複晶矽材料形成一矽層之垂直隔離區，提供兩相鄰元件之有效隔離，此技術可以運用在０．３５微米以下的凹隔離(TRENCH ISOLATION)技術中，以增加負載電阻及加強相鄰元件的隔離效果。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种 0.35微米以下制程之负载电阻及隔离区制法，尤指一种可在各组件间蚀刻形成凹沟(TRENCH)，并在凹沟侧壁及底部覆盖氧化层及第二复晶硅层，藉第二复晶硅层光罩定义后，可藉分布在凹沟内之第二复晶硅层，可供做为高阻抗负载电阻使用之外，亦可将设在介于各组件间之凹沟的第二复晶硅予以接地，藉围绕在凹沟内壁面之第二复晶硅材料形成一硅层之垂直隔离区，提供两相邻组件之有效隔离，此技术可以运用在０．３５微米以下的凹隔离(TRENCH ISOLATION)技术中，以增加负载电阻及加强相邻组件的隔离效果。

公开(公告)号：TW373304B

公开(公告)日：1999-11-01

申请号：TW087105580

申请日：1998-04-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 蘇忠輝

IPC: H01L

Abstract: 本發明揭露一種電容器之下層電極形成之方法，其步驟包括：於第一溫度形成一未摻植雜質的複晶矽層於一基底上；於第二溫度形成一摻植雜質的複晶矽層於該未摻植雜質的複晶矽層上；以及於第三溫度形成一非晶矽層於該摻植雜質的複晶矽層上，並且在第四溫度同步進行熱退火處理，使該非晶矽層轉變成顆粒狀複晶矽層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种电容器之下层电极形成之方法，其步骤包括：于第一温度形成一未掺植杂质的复晶硅层于一基底上；于第二温度形成一掺植杂质的复晶硅层于该未掺植杂质的复晶硅层上；以及于第三温度形成一非晶硅层于该掺植杂质的复晶硅层上，并且在第四温度同步进行热退火处理，使该非晶硅层转变成颗粒状复晶硅层。

公开(公告)号：TW307046B

公开(公告)日：1997-06-01

申请号：TW085101108

申请日：1996-01-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 王銓中 ,  伍壽國 ,  梁孟松 ,  蘇忠輝

IPC: H01L

Abstract: 本發明係關於一種靜態記憶體疊層接觸區製法及其構造，尤指一種用以形成靜態記憶體複晶矽負載電阻之疊層接觸區，主要為用以改善傳統靜態記憶體之疊層接觸區相關製法過於複雜之缺陷者，製程上主要為令製程之最後階段始之疊層接觸區(STACKED CONTACT)蝕刻過程中即一併蝕刻形成第一、第二埋層接觸區，其後僅需濺鍍第三複晶矽層及光罩定義之步驟，即分別形成複晶矽負載電阻之各式接觸區，使整個製程可省略兩個埋層接觸區光罩／蝕刻之步驟，提供一種簡化之靜態記憶體製程及構造者。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种静态内存叠层接触区制法及其构造，尤指一种用以形成静态内存复晶硅负载电阻之叠层接触区，主要为用以改善传统静态内存之叠层接触区相关制法过于复杂之缺陷者，制程上主要为令制程之最后阶段始之叠层接触区(STACKED CONTACT)蚀刻过程中即一并蚀刻形成第一、第二埋层接触区，其后仅需溅镀第三复晶硅层及光罩定义之步骤，即分别形成复晶硅负载电阻之各式接触区，使整个制程可省略两个埋层接触区光罩／蚀刻之步骤，提供一种简化之静态内存制程及构造者。

公开(公告)号：TW294832B

公开(公告)日：1997-01-01

申请号：TW085104799

申请日：1996-04-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 王銓中 ,  伍壽國 ,  梁孟松 ,  蘇忠輝

IPC: H01L

Abstract: 用於具有薄膜電晶體之靜態隨機存取記憶體之均一性接觸導電柱製法
本發明係關於一種可使靜態隨機存取記憶體藉由整合或合併進入一接觸導電柱製程至ＳＲＡＭ製程中﹐以達到降低製程步驟及在Ｎ

Abstract in simplified Chinese: 用于具有薄膜晶体管之静态随机存取内存之均一性接触导电柱制法 本发明系关于一种可使静态随机存取内存借由集成或合并进入一接触导电柱制程至ＳＲＡＭ制程中﹐以达到降低制程步骤及在Ｎ

公开(公告)号：TW279266B

公开(公告)日：1996-06-21

申请号：TW084113802

申请日：1995-12-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 王銓中 ,  伍壽國 ,  梁孟松 ,  蘇忠輝

IPC: H01L

Abstract: 本發明是一種高密度動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory；DRAM)之電容器的技術。藉著化學機械式拋光技術(Chemical Mechanical Polishing；CMP)和多層薄膜的均向性蝕刻技術，形成一種鰭型結構之改良堆疊式電容器(Capacitor With Fin Structure)。由於化學機械式拋光技術提供了平坦的地形地勢，本發明之方法比傳統方法更穩定，良率更高，適合大量生產。

Abstract in simplified Chinese: 本发明是一种高密度动态随机存取内存(Dynamic Random Access Memory；DRAM)之电容器的技术。借着化学机械式抛光技术(Chemical Mechanical Polishing；CMP)和多层薄膜的均向性蚀刻技术，形成一种鳍型结构之改良堆栈式电容器(Capacitor With Fin Structure)。由于化学机械式抛光技术提供了平坦的地形地势，本发明之方法比传统方法更稳定，良率更高，适合大量生产。