公开(公告)号：TWI575609B

公开(公告)日：2017-03-21

申请号：TW104139228

申请日：2015-11-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 巫凱雄 ,  KELLY, ANDREW JOSEPH ,  鬼木悠丞 ,  ONIKI, YUSUKE

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/66795

公开(公告)号：TW201642353A

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：TW104139228

申请日：2015-11-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 巫凱雄 ,  KELLY, ANDREW JOSEPH ,  鬼木悠丞 ,  ONIKI, YUSUKE

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/66795

Abstract: 本發明揭露一種在半導體結構上方提供絕緣特徵的方法。所述方法包括以下步驟：在半導體基板上方形成鰭狀結構，在鰭狀結構上方形成氧化物層，其中形成氧化物層之步驟包括在鰭狀結構上利用溶劑混合物執行濕式化學氧化製程，在氧化物層上方形成介電層，以及在半導體結構上方形成至少一個絕緣特徵。其中，所述溶劑混合物為基於非質子性溶劑之溶液可降低半導體基板之蝕刻速度，從而使溶液所形成之氧化物層產生充足的厚度。所揭露之方法用以改良絕緣特徵，以提供具有更佳絕緣特徵之STI特徵。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种在半导体结构上方提供绝缘特征的方法。所述方法包括以下步骤：在半导体基板上方形成鳍状结构，在鳍状结构上方形成氧化物层，其中形成氧化物层之步骤包括在鳍状结构上利用溶剂混合物运行湿式化学氧化制程，在氧化物层上方形成介电层，以及在半导体结构上方形成至少一个绝缘特征。其中，所述溶剂混合物为基于非质子性溶剂之溶液可降低半导体基板之蚀刻速度，从而使溶液所形成之氧化物层产生充足的厚度。所揭露之方法用以改良绝缘特征，以提供具有更佳绝缘特征之STI特征。