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公开(公告)号：TW201624107A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW103145403
申请日：2014-12-25
Inventor： 陳煜仁 , CHEN, YU JEN , 曾信富 , TSENG, HSIN FU , 徐享乾 , HSU, HSIANG CHIEN
Abstract: 本實施例提供一種光罩清潔設備，用以清潔一光罩，上述光罩包括一基板以及與上述基板相互間隔之一保護膜。上述光罩清潔設備包括一超音波裝置，用以產生一超音波至上述保護膜，藉以使附著於上述保護膜之一內表面上之一內污染物掉落至上述基板。
Abstract in simplified Chinese: 本实施例提供一种光罩清洁设备，用以清洁一光罩，上述光罩包括一基板以及与上述基板相互间隔之一保护膜。上述光罩清洁设备包括一超音波设备，用以产生一超音波至上述保护膜，借以使附着于上述保护膜之一内表面上之一内污染物掉落至上述基板。
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公开(公告)号：TWI576657B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW103145403
申请日：2014-12-25
Inventor： 陳煜仁 , CHEN, YU JEN , 曾信富 , TSENG, HSIN FU , 徐享乾 , HSU, HSIANG CHIEN
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公开(公告)号：TW508642B
公开(公告)日：2002-11-01
申请号：TW090126319
申请日：2001-10-24
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 一種相移式光罩之清洗製程，係在原本的光罩清洗製程中，加入預清洗步驟，其目的在除去原本安置光罩護膜所塗佈的高分子膠，防止因高分子的殘留所造成的光罩損壞現象。一般相移式光罩之正常清洗步驟係例如將光罩依序浸泡硫酸與過氧化氫溶液(Sulfuric Acid-Hydrogen Peroxide Mixture；SPM)、以及氫氧化銨與過氧化氫之水溶液(Ammonium Hydrogen Peroxide Mixture；APM；亦稱 SC1)，並在其間利用超純水(D.I.Water)加以清洗，而達到去除光罩上污損物質的目的。此清洗製程係先在正常清洗步驟中，先依序加以SC1溶液與超純水的清洗後，再進行正常清洗步驟，如此可去除相移式光罩上原有裝置光罩護膜的有機膠殘留。
Abstract in simplified Chinese: 一种相移式光罩之清洗制程，系在原本的光罩清洗制程中，加入预清洗步骤，其目的在除去原本安置光罩护膜所涂布的高分子胶，防止因高分子的残留所造成的光罩损坏现象。一般相移式光罩之正常清洗步骤系例如将光罩依序浸泡硫酸与过氧化氢溶液(Sulfuric Acid-Hydrogen Peroxide Mixture；SPM)、以及氢氧化铵与过氧化氢之水溶液(Ammonium Hydrogen Peroxide Mixture；APM；亦称 SC1)，并在其间利用超纯水(D.I.Water)加以清洗，而达到去除光罩上污损物质的目的。此清洗制程系先在正常清洗步骤中，先依序加以SC1溶液与超纯水的清洗后，再进行正常清洗步骤，如此可去除相移式光罩上原有设备光罩护膜的有机胶残留。
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4.发明专利先進光罩污染物之清潔方法與系統 NOVEL METHOD AND SYSTEM FOR ADVANCED RETICLE CONTAIMINATION CLEANING 有权雪铁龙光罩污染物之清洁方法与系统 NOVEL METHOD AND SYSTEM FOR ADVANCED RETICLE CONTAIMINATION CLEANING
公开(公告)号：TWI357534B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW095130726
申请日：2006-08-21
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/02057 , C11D7/08 , C11D7/261 , C11D11/0047 , C11D11/007 , G03F1/62 , G03F1/82 , Y10T156/1111
Abstract: 一種方法包括引入一包含乙醇和酸的溶液至一基底以清潔基底。在清潔基底時提供一超音波至溶液。在以溶液清潔基底後再對基底執行一細微清洗。
Abstract in simplified Chinese: 一种方法包括引入一包含乙醇和酸的溶液至一基底以清洁基底。在清洁基底时提供一超音波至溶液。在以溶液清洁基底后再对基底运行一细微清洗。
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