公开(公告)号：TW201820534A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：TW106133952

申请日：2017-09-30

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 吳政達 ,  WU, CHENG TA ,  吳啟明 ,  WU, CHII MING ,  薛森鴻 ,  SYUE, SEN HONG ,  趙晟博 ,  CHAU, CHENG PO

IPC分类号： H01L21/762

摘要： 一種半導體元件包含一基材、一第一隔離結構、一第二隔離結構淺溝槽隔離以及複數半導體鰭片。此第一隔離結構係位於該基材上且具有一第一厚度。此第二隔離結構鄰接該第一隔離結構且具有一第二厚度。此第一厚度係不同於此第二厚度。此些半導體鰭片分別鄰接此第一隔離結構與此第二隔離結構。

简体摘要： 一种半导体组件包含一基材、一第一隔离结构、一第二隔离结构浅沟槽隔离以及复数半导体鳍片。此第一隔离结构系位于该基材上且具有一第一厚度。此第二隔离结构邻接该第一隔离结构且具有一第二厚度。此第一厚度系不同于此第二厚度。此些半导体鳍片分别邻接此第一隔离结构与此第二隔离结构。