公开(公告)号：TW201839870A

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：TW106131634

申请日：2017-09-14

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 葛貝夫 辛格 ,  SINGH, GULBAGH ,  李智銘 ,  LEE, CHIH MING ,  林其諺 ,  LIN, CHI YEN ,  郭文昌 ,  KUO, WEN CHANG ,  劉洲宗 ,  LIU, CHOU TSUNG

IPC分类号： H01L21/60

摘要： 一種半導體裝置的製造方法包含形成第一接觸襯墊及第二接觸襯墊在第一鈍化層上、沉積第一緩衝層在第一接觸襯墊及第二接觸襯墊上，以及沉積第二緩衝層在第一緩衝層及第二接觸襯墊上。第一接觸襯墊係在電路區域內，且第二接觸襯墊係在非電路區域內。第二接觸襯墊之邊緣係被暴露，而第一接觸襯墊之周圍及第二接觸襯墊之邊緣係被第一緩衝層覆蓋。

简体摘要： 一种半导体设备的制造方法包含形成第一接触衬垫及第二接触衬垫在第一钝化层上、沉积第一缓冲层在第一接触衬垫及第二接触衬垫上，以及沉积第二缓冲层在第一缓冲层及第二接触衬垫上。第一接触衬垫系在电路区域内，且第二接触衬垫系在非电路区域内。第二接触衬垫之边缘系被暴露，而第一接触衬垫之周围及第二接触衬垫之边缘系被第一缓冲层覆盖。