公开(公告)号：TW202008463A

公开(公告)日：2020-02-16

申请号：TW108127124

申请日：2019-07-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李安基 ,  LI, AN-CHI ,  陳智聖 ,  CHEN, JR-SHENG ,  黃士哲 ,  HUANG, SHIH-CHE ,  許志賢 ,  HSU, CHIH-HSIEN ,  黃志豪 ,  HUANG, ZHI-HAO ,  王明治 ,  WANG, ALEX ,  江煜培 ,  CHIANG, YU-PEI ,  陳俊彥 ,  CHEN, CHUN-YAN

IPC: H01L21/3065

Abstract: 此處揭露控制電漿為主的製程中的晶圓一致性所用的裝置與方法。在一例中，揭露電漿為主的製程所用的裝置。裝置包括殼體定義製程腔室，以及氣體分散板配置於製程腔室中。殼體包括氣體入口，設置以接收製程氣體，以及氣體出口，設置以排出製程後的氣體。氣體分佈板設置以分佈製程氣體於製程腔室中。氣體分佈板具有多個孔洞平均分佈其上。氣體分佈板包括第一區與第二區。第一區比第二區靠近氣體出口。第一區中的至少一孔洞關閉。

Abstract in simplified Chinese: 此处揭露控制等离子为主的制程中的晶圆一致性所用的设备与方法。在一例中，揭露等离子为主的制程所用的设备。设备包括壳体定义制程腔室，以及气体分散板配置于制程腔室中。壳体包括气体入口，设置以接收制程气体，以及气体出口，设置以排出制程后的气体。气体分布板设置以分布制程气体于制程腔室中。气体分布板具有多个孔洞平均分布其上。气体分布板包括第一区与第二区。第一区比第二区靠近气体出口。第一区中的至少一孔洞关闭。

公开(公告)号：TW202008462A

公开(公告)日：2020-02-16

申请号：TW108126491

申请日：2019-07-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李安基 ,  LI, AN-CHI ,  陳智聖 ,  CHEN, JR-SHENG ,  黃士哲 ,  HUANG, SHIH-CHE ,  許志賢 ,  HSU, CHIH-HSIEN ,  黃志豪 ,  HUANG, ZHI-HAO ,  王明治 ,  WANG, ALEX ,  江煜培 ,  CHIANG, YU-PEI ,  陳俊彥 ,  CHEN, CHUN-YAN

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67

Abstract: 一種使用一氣體擋板控制晶圓均勻性的裝置及方法。在一範例中，揭露有用於基於電漿的製程的一裝置。此裝置包括：一殼體及一擋板。殼體定義一加工腔室。擋板安排在加工腔室中的一晶圓上方。擋板配置以控制在晶圓上的電漿分佈。擋板具有一圓環的一形狀，包括一第一圓環區及一第二圓環區。第一圓環區具有一第一內半徑。第二圓環區具有不同於第一內半徑的一第二內半徑。

Abstract in simplified Chinese: 一种使用一气体挡板控制晶圆均匀性的设备及方法。在一范例中，揭露有用于基于等离子的制程的一设备。此设备包括：一壳体及一挡板。壳体定义一加工腔室。挡板安排在加工腔室中的一晶圆上方。挡板配置以控制在晶圆上的等离子分布。挡板具有一圆环的一形状，包括一第一圆环区及一第二圆环区。第一圆环区具有一第一内半径。第二圆环区具有不同于第一内半径的一第二内半径。