公开(公告)号：TW202004759A

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：TW108118509

申请日：2019-05-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鄒宗成 ,  CHOU, CHUNG-CHENG ,  陳旭順 ,  CHEN, HSU-SHUN ,  賴建安 ,  LAI, CHIEN-AN ,  曾珮玲 ,  TSENG, PEI-LING ,  林鉦峻 ,  LIN, ZHENG-JUN

IPC: G11C11/4074 ,  G11C16/26

Abstract: 本揭露提供一種記憶體電路，包含偏壓電壓產生器、驅動電路以及電阻式隨機存取記憶體（RRAM）裝置。偏壓電壓產生器包含第一電流路徑，第一電流路徑經組態以接收來自電流源的第一電流，且基於由第一電流在第一電流路徑中的傳導產生的電壓差而輸出偏壓電壓。驅動電路經組態以接收偏壓電壓且輸出具有基於偏壓電壓的電壓位準的驅動電壓，且RRAM裝置經組態以傳導響應於驅動電壓的第二電流。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种内存电路，包含偏压电压产生器、驱动电路以及电阻式随机存取内存（RRAM）设备。偏压电压产生器包含第一电流路径，第一电流路径经组态以接收来自电流源的第一电流，且基于由第一电流在第一电流路径中的传导产生的电压差而输出偏压电压。驱动电路经组态以接收偏压电压且输出具有基于偏压电压的电压位准的驱动电压，且RRAM设备经组态以传导响应于驱动电压的第二电流。