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公开(公告)号：TW202004759A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108118509
申请日：2019-05-29
Inventor： 鄒宗成 , CHOU, CHUNG-CHENG , 陳旭順 , CHEN, HSU-SHUN , 賴建安 , LAI, CHIEN-AN , 曾珮玲 , TSENG, PEI-LING , 林鉦峻 , LIN, ZHENG-JUN
IPC: G11C11/4074 , G11C16/26
Abstract: 本揭露提供一種記憶體電路，包含偏壓電壓產生器、驅動電路以及電阻式隨機存取記憶體（RRAM）裝置。偏壓電壓產生器包含第一電流路徑，第一電流路徑經組態以接收來自電流源的第一電流，且基於由第一電流在第一電流路徑中的傳導產生的電壓差而輸出偏壓電壓。驅動電路經組態以接收偏壓電壓且輸出具有基於偏壓電壓的電壓位準的驅動電壓，且RRAM裝置經組態以傳導響應於驅動電壓的第二電流。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种内存电路，包含偏压电压产生器、驱动电路以及电阻式随机存取内存（RRAM）设备。偏压电压产生器包含第一电流路径，第一电流路径经组态以接收来自电流源的第一电流，且基于由第一电流在第一电流路径中的传导产生的电压差而输出偏压电压。驱动电路经组态以接收偏压电压且输出具有基于偏压电压的电压位准的驱动电压，且RRAM设备经组态以传导响应于驱动电压的第二电流。
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公开(公告)号：TW202004758A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108118374
申请日：2019-05-28
Inventor： 鄒宗成 , CHOU, CHUNG-CHENG , 曾珮玲 , TSENG, PEI-LING , 林鉦峻 , LIN, ZHENG-JUN
IPC: G11C11/4074 , G11C8/08 , G11C16/24
Abstract: 本發明的實施例提供一種包含偏壓電壓產生器及限流器的電路。偏壓電壓產生器經組態以接收第一參考電壓且回應於第一電流及第一參考電壓而輸出偏壓電壓。限流器經組態以接收輸入端子處的第二電流、第二參考電壓及偏壓電壓，且回應於第二參考電壓及輸入端子的電壓準位而將第二電流限制至電流限制準位，輸入端子的電壓準位是基於偏壓電壓。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的实施例提供一种包含偏压电压产生器及限流器的电路。偏压电压产生器经组态以接收第一参考电压且回应于第一电流及第一参考电压而输出偏压电压。限流器经组态以接收输入端子处的第二电流、第二参考电压及偏压电压，且回应于第二参考电压及输入端子的电压准位而将第二电流限制至电流限制准位，输入端子的电压准位是基于偏压电压。
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公开(公告)号：TW201911305A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107112111
申请日：2018-04-09
Inventor： 呂士濂 , LU, SHIH-LIEN LINUS , 翁烔城 , ONG, TONG-CHERN , 鄒宗成 , CHOU, CHUNG-CHENG , 池育德 , CHIH, YU-DER
Abstract: 一種包括阻變隨機存取記憶體式單調計數器的電路包括：存儲陣列，具有多個存儲單元；控制邏輯電路，耦合到所述存儲陣列，且被配置成使用第一電壓信號使所述多個存儲單元中的第一存儲單元從第一電阻狀態轉變到第二電阻狀態，且使用第二電壓信號使所述第一存儲單元從所述第二電阻狀態轉變到第三電阻狀態；以及計數器電路，耦合到所述控制邏輯電路，且被配置成響應於所述第一存儲單元從所述第一電阻狀態轉變到所述第二電阻狀態來將計數增大一，且響應於所述第一存儲單元從所述第二電阻狀態轉變到所述第三電阻狀態來再次將所述計數增大一。
Abstract in simplified Chinese: 一种包括阻变随机存取内存式单调计数器的电路包括：存储数组，具有多个存储单元；控制逻辑电路，耦合到所述存储数组，且被配置成使用第一电压信号使所述多个存储单元中的第一存储单元从第一电阻状态转变到第二电阻状态，且使用第二电压信号使所述第一存储单元从所述第二电阻状态转变到第三电阻状态；以及计数器电路，耦合到所述控制逻辑电路，且被配置成响应于所述第一存储单元从所述第一电阻状态转变到所述第二电阻状态来将计数增大一，且响应于所述第一存储单元从所述第二电阻状态转变到所述第三电阻状态来再次将所述计数增大一。
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公开(公告)号：TWI514375B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW102146352
申请日：2013-12-16
Inventor： 李伯浩 , LEE, BRUCE , 鄒宗成 , CHOU, CHUNG CHENG
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C11/1659 , G11C11/1677 , G11C11/1693 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/0066 , G11C2213/79
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公开(公告)号：TWI686813B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW108108737
申请日：2019-03-14
Inventor： 林鉦峻 , LIN, ZHENG-JUN , 鄒宗成 , CHOU, CHUNG-CHENG , 曾珮玲 , TSENG, PEI-LING
IPC: G11C7/06 , G11C7/12 , G11C16/26 , H01L27/105
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI625726B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106107395
申请日：2017-03-07
Inventor： 鄒宗成 , CHOU, CHUNG CHENG
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公开(公告)号：TW202015047A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108124708
申请日：2019-07-12
Inventor： 賴建安 , LAI, CHIEN-AN , 鄒宗成 , CHOU, CHUNG-CHENG , 池育德 , CHIH, YU-DER
IPC: G11C8/16
Abstract: 本發明實施例描述一種記憶體裝置，包含電阻式記憶胞陣列，所述電阻式記憶胞陣列具有連接至電阻式記憶胞陣列的多個字元線。電壓補償控制器配置成判定待施加於多個字元線中的選定字元線的字元線電壓。字元線驅動器配置成將所判定的字元線電壓施加於選定字元線。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例描述一种内存设备，包含电阻式记忆胞数组，所述电阻式记忆胞数组具有连接至电阻式记忆胞数组的多个字符线。电压补偿控制器配置成判定待施加于多个字符线中的选定字符线的字符线电压。字符线驱动器配置成将所判定的字符线电压施加于选定字符线。
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公开(公告)号：TW201732812A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106107395
申请日：2017-03-07
Inventor： 鄒宗成 , CHOU, CHUNG CHENG
CPC classification number: G11C13/004 , G11C8/00 , G11C11/1653 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0033 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2213/79 , G11C2213/82
Abstract: 一種記憶體裝置，其包含一驅動器、一接受器、一記憶體行、一參考行、一參考電阻和一感測單元。驅動器和接受器中至少一個具有可微調電阻值。至於寫入操作，基於其記憶體行中的列位置以導通其中一個電阻式記憶體單元，驅動器提供流經其中的寫入電流，且基於列位置調整可微調電阻值。至於讀取操作，當其中一個電阻式記憶體單元和與位置對應的其中一個參考電阻導通時，感測單元感測記憶體行的讀取電流以及參考行和參考電阻的參考電流。
Abstract in simplified Chinese: 一种内存设备，其包含一驱动器、一接受器、一内存行、一参考行、一参考电阻和一传感单元。驱动器和接受器中至少一个具有可微调电阻值。至于写入操作，基于其内存行中的列位置以导通其中一个电阻式内存单元，驱动器提供流经其中的写入电流，且基于列位置调整可微调电阻值。至于读取操作，当其中一个电阻式内存单元和与位置对应的其中一个参考电阻导通时，传感单元传感内存行的读取电流以及参考行和参考电阻的参考电流。
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公开(公告)号：TWI682403B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW107142817
申请日：2018-11-29
Inventor： 池育德 , CHIH, YU-DER , 朱文定 , CHU, WEN-TING , 鄒宗成 , CHOU, CHUNG-CHENG
IPC: G11C7/12 , G11C11/4063
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公开(公告)号：TWI476769B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW100120311
申请日：2011-06-10
Inventor： 鄭基廷 , CHENG, CHITING , 彭秀芬 , PENG, HSIU FEN , 郭明璋 , KUO, MING ZHANG , 鄒宗成 , CHOU, CHUNG CHENG
IPC: G11C11/419
CPC classification number: G11C8/08 , G11C7/12 , G11C8/14 , G11C11/418 , G11C11/419
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