記憶體電路及在電阻式隨機存取記憶體上執行寫入操作的方法
    1.
    发明专利
    記憶體電路及在電阻式隨機存取記憶體上執行寫入操作的方法 审中-公开
    内存电路及在电阻式随机存取内存上运行写入操作的方法

    公开(公告)号:TW202004759A

    公开(公告)日:2020-01-16

    申请号:TW108118509

    申请日:2019-05-29

    Abstract: 本揭露提供一種記憶體電路,包含偏壓電壓產生器、驅動電路以及電阻式隨機存取記憶體(RRAM)裝置。偏壓電壓產生器包含第一電流路徑,第一電流路徑經組態以接收來自電流源的第一電流,且基於由第一電流在第一電流路徑中的傳導產生的電壓差而輸出偏壓電壓。驅動電路經組態以接收偏壓電壓且輸出具有基於偏壓電壓的電壓位準的驅動電壓,且RRAM裝置經組態以傳導響應於驅動電壓的第二電流。

    Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种内存电路,包含偏压电压产生器、驱动电路以及电阻式随机存取内存(RRAM)设备。偏压电压产生器包含第一电流路径,第一电流路径经组态以接收来自电流源的第一电流,且基于由第一电流在第一电流路径中的传导产生的电压差而输出偏压电压。驱动电路经组态以接收偏压电压且输出具有基于偏压电压的电压位准的驱动电压,且RRAM设备经组态以传导响应于驱动电压的第二电流。

    包括阻變隨機存取記憶體式單調計數器的電路
    3.
    发明专利
    包括阻變隨機存取記憶體式單調計數器的電路 审中-公开
    包括阻变随机存取内存式单调计数器的电路

    公开(公告)号:TW201911305A

    公开(公告)日:2019-03-16

    申请号:TW107112111

    申请日:2018-04-09

    Abstract: 一種包括阻變隨機存取記憶體式單調計數器的電路包括:存儲陣列,具有多個存儲單元;控制邏輯電路,耦合到所述存儲陣列,且被配置成使用第一電壓信號使所述多個存儲單元中的第一存儲單元從第一電阻狀態轉變到第二電阻狀態,且使用第二電壓信號使所述第一存儲單元從所述第二電阻狀態轉變到第三電阻狀態;以及計數器電路,耦合到所述控制邏輯電路,且被配置成響應於所述第一存儲單元從所述第一電阻狀態轉變到所述第二電阻狀態來將計數增大一,且響應於所述第一存儲單元從所述第二電阻狀態轉變到所述第三電阻狀態來再次將所述計數增大一。

    Abstract in simplified Chinese: 一种包括阻变随机存取内存式单调计数器的电路包括:存储数组,具有多个存储单元;控制逻辑电路,耦合到所述存储数组,且被配置成使用第一电压信号使所述多个存储单元中的第一存储单元从第一电阻状态转变到第二电阻状态,且使用第二电压信号使所述第一存储单元从所述第二电阻状态转变到第三电阻状态;以及计数器电路,耦合到所述控制逻辑电路,且被配置成响应于所述第一存储单元从所述第一电阻状态转变到所述第二电阻状态来将计数增大一,且响应于所述第一存储单元从所述第二电阻状态转变到所述第三电阻状态来再次将所述计数增大一。

    記憶體裝置及其操作方法
    8.
    发明专利
    記憶體裝置及其操作方法 审中-公开
    内存设备及其操作方法

    公开(公告)号:TW201732812A

    公开(公告)日:2017-09-16

    申请号:TW106107395

    申请日:2017-03-07

    Abstract: 一種記憶體裝置,其包含一驅動器、一接受器、一記憶體行、一參考行、一參考電阻和一感測單元。驅動器和接受器中至少一個具有可微調電阻值。至於寫入操作,基於其記憶體行中的列位置以導通其中一個電阻式記憶體單元,驅動器提供流經其中的寫入電流,且基於列位置調整可微調電阻值。至於讀取操作,當其中一個電阻式記憶體單元和與位置對應的其中一個參考電阻導通時,感測單元感測記憶體行的讀取電流以及參考行和參考電阻的參考電流。

    Abstract in simplified Chinese: 一种内存设备,其包含一驱动器、一接受器、一内存行、一参考行、一参考电阻和一传感单元。驱动器和接受器中至少一个具有可微调电阻值。至于写入操作,基于其内存行中的列位置以导通其中一个电阻式内存单元,驱动器提供流经其中的写入电流,且基于列位置调整可微调电阻值。至于读取操作,当其中一个电阻式内存单元和与位置对应的其中一个参考电阻导通时,传感单元传感内存行的读取电流以及参考行和参考电阻的参考电流。

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