公开(公告)号：TW202027356A

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：TW108125660

申请日：2019-07-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳振宇 ,  CHEN, CHEN-YU ,  劉銘棋 ,  LIU, MING-CHYI ,  陳志彬 ,  CHEN, JHIH-BIN

IPC: H01S5/183

Abstract: 一些實施例是有關於垂直腔面發射雷射的製造方法。方法包括在第一反射層上形成光學活性層並在光學活性層上形成第二反射層。在第二反射層上形成罩幕層，以暴露出第二反射層的犧牲部分。執行第一蝕刻以移除第二反射層的犧牲部分，以定義第二反射鏡。形成覆蓋第二反射鏡和罩幕層的外側壁的第一間隙壁。於所述第一間隙壁存在下進行氧化製程，以氧化光學活性層的周邊區，同時使光學活性層的中央區保持未被氧化。執行第二蝕刻以移除經氧化的周邊區的部分，以定義光學活性區。形成覆蓋第一間隙壁、光學活性區和第一反射鏡的外側壁的第二間隙壁。

Abstract in simplified Chinese: 一些实施例是有关于垂直腔面发射激光的制造方法。方法包括在第一反射层上形成光学活性层并在光学活性层上形成第二反射层。在第二反射层上形成罩幕层，以暴露出第二反射层的牺牲部分。运行第一蚀刻以移除第二反射层的牺牲部分，以定义第二反射镜。形成覆盖第二反射镜和罩幕层的外侧壁的第一间隙壁。于所述第一间隙壁存在下进行氧化制程，以氧化光学活性层的周边区，同时使光学活性层的中央区保持未被氧化。运行第二蚀刻以移除经氧化的周边区的部分，以定义光学活性区。形成覆盖第一间隙壁、光学活性区和第一反射镜的外侧壁的第二间隙壁。