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公开(公告)号：TW201535682A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103145704
申请日：2014-12-26
Inventor： 徐晨祐 , HSU, CHERN YOW , 劉銘棋 , LIU, MING CHYI , 劉世昌 , LIU, SHIH CHANG , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG , 陳 曉萌 , CHEN, XIAO-MENG , 王銓中 , WANG, CHEN JONG
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L28/90
Abstract: 半導體配置包括主動區，其包括半導體裝置。半導體配置包括電容。電容包括第一電極於主動區上的至少一介電層上。第一電極圍繞電容中的開口空間。第一電極具有非線性的第一電極側壁。
Abstract in simplified Chinese: 半导体配置包括主动区，其包括半导体设备。半导体配置包括电容。电容包括第一电极于主动区上的至少一介电层上。第一电极围绕电容中的开口空间。第一电极具有非线性的第一电极侧壁。
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公开(公告)号：TW202027356A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108125660
申请日：2019-07-19
Inventor： 陳振宇 , CHEN, CHEN-YU , 劉銘棋 , LIU, MING-CHYI , 陳志彬 , CHEN, JHIH-BIN
IPC: H01S5/183
Abstract: 一些實施例是有關於垂直腔面發射雷射的製造方法。方法包括在第一反射層上形成光學活性層並在光學活性層上形成第二反射層。在第二反射層上形成罩幕層，以暴露出第二反射層的犧牲部分。執行第一蝕刻以移除第二反射層的犧牲部分，以定義第二反射鏡。形成覆蓋第二反射鏡和罩幕層的外側壁的第一間隙壁。於所述第一間隙壁存在下進行氧化製程，以氧化光學活性層的周邊區，同時使光學活性層的中央區保持未被氧化。執行第二蝕刻以移除經氧化的周邊區的部分，以定義光學活性區。形成覆蓋第一間隙壁、光學活性區和第一反射鏡的外側壁的第二間隙壁。
Abstract in simplified Chinese: 一些实施例是有关于垂直腔面发射激光的制造方法。方法包括在第一反射层上形成光学活性层并在光学活性层上形成第二反射层。在第二反射层上形成罩幕层，以暴露出第二反射层的牺牲部分。运行第一蚀刻以移除第二反射层的牺牲部分，以定义第二反射镜。形成覆盖第二反射镜和罩幕层的外侧壁的第一间隙壁。于所述第一间隙壁存在下进行氧化制程，以氧化光学活性层的周边区，同时使光学活性层的中央区保持未被氧化。运行第二蚀刻以移除经氧化的周边区的部分，以定义光学活性区。形成覆盖第一间隙壁、光学活性区和第一反射镜的外侧壁的第二间隙壁。
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公开(公告)号：TW202018983A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108109373
申请日：2019-03-19
Inventor： 陳亭蓉 , CHEN, TING-JUNG , 劉銘棋 , LIU, MING-CHYI
IPC: H01L41/22 , H01L21/60 , H01L23/522
Abstract: 本發明的各種實施例關於一種形成包括壓電隔膜及多個導電層的壓電裝置的方法。所述方法包括在壓電隔膜中形成所述多個導電層，所述多個導電層彼此在縱向上偏移。在壓電隔膜之上形成罩幕層。根據罩幕層執行蝕刻製程以同時暴露出所述多個導電層中的每一導電層的上表面。在所述多個導電層中的上表面之上形成多個導通孔。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的各种实施例关于一种形成包括压电隔膜及多个导电层的压电设备的方法。所述方法包括在压电隔膜中形成所述多个导电层，所述多个导电层彼此在纵向上偏移。在压电隔膜之上形成罩幕层。根据罩幕层运行蚀刻制程以同时暴露出所述多个导电层中的每一导电层的上表面。在所述多个导电层中的上表面之上形成多个导通孔。
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公开(公告)号：TWI543353B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW104106961
申请日：2015-03-05
Inventor： 劉銘棋 , LIU, MING CHYI
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
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公开(公告)号：TWI537995B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW103115768
申请日：2014-05-02
Inventor： 曾元泰 , TSENG, YUAN TAI , 劉銘棋 , LIU, MING CHYI , 周仲彥 , CHOU, CHUNG YEN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG
CPC classification number: H01F27/2804 , H01F1/0306 , H01F17/0013 , H01F17/0033 , H01F27/24 , H01F2017/0066 , H01F2027/2809 , H01L23/5227 , H01L28/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201605087A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104113248
申请日：2015-04-24
Inventor： 劉銘棋 , LIU, MINGCHYI , 曾元泰 , TSENG, YUANTAI , 劉世昌 , LIU, SHIHCHANG , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIASHIUNG
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L28/40 , H01L45/08 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/16
Abstract: 一種積體電路裝置包含一電阻式隨機存取記憶體(resistive random access memory,RRAM)單元或一金屬-絕緣體-金屬電容單元，其具有一介電層、一上導電層以及一下導電層。介電層包含鄰接介電層之一邊緣的一週邊區域，及被週邊區域所圍繞的一中央區域。上導電層鄰接且位於介電層之上。下導電層鄰接且位於中央區域內的介電層之下，但未鄰接單元的週邊區域的導電層。可藉由介於下導電層及僅在週邊區域中的介電層之間的一額外的介電層，或藉由截斷缺乏週邊區域的下電極層，以避免鄰接的狀況。位於介電層的邊緣的損壞或污染不會造成漏電流。
Abstract in simplified Chinese: 一种集成电路设备包含一电阻式随机存取内存(resistive random access memory,RRAM)单元或一金属-绝缘体-金属电容单元，其具有一介电层、一上导电层以及一下导电层。介电层包含邻接介电层之一边缘的一周边区域，及被周边区域所围绕的一中央区域。上导电层邻接且位于介电层之上。下导电层邻接且位于中央区域内的介电层之下，但未邻接单元的周边区域的导电层。可借由介于下导电层及仅在周边区域中的介电层之间的一额外的介电层，或借由截断缺乏周边区域的下电极层，以避免邻接的状况。位于介电层的边缘的损坏或污染不会造成漏电流。
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公开(公告)号：TWI508147B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW101122589
申请日：2012-06-25
Inventor： 劉銘棋 , LIU, MING CHYI
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02532 , H01L21/02609 , H01L21/02639 , H01L21/304 , H01L21/30604 , H01L21/3085 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L29/045 , H01L29/06 , H01L29/0653 , H01L29/66651
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公开(公告)号：TW201539730A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103146487
申请日：2014-12-31
Inventor： 劉銘棋 , LIU, MING CHYI , 曾元泰 , TSENG, YUAN TAI , 徐晨祐 , HSU, CHERN YOW , 劉世昌 , LIU, SHIH CHANG , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG
CPC classification number: H01L45/1691 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1675
Abstract: 本發明關於電阻隨機存取記憶體(RRAM)裝置結構，其包含單層的薄導電蝕刻停止層於較下方之金屬內連線與RRAM單元之底電極之間。導電蝕刻停止層可簡化結構，且其蝕刻選擇性可保護下方的層狀物。導電蝕刻停止層之蝕刻可採用乾蝕刻或濕蝕刻，以落在較下方之金屬內連線上。在某些例子中，較下方的金屬內連線為銅，而蝕刻導電蝕刻停止層之步驟會露出銅，但不似習知方法一樣產生許多非揮發的銅蝕刻副產物。與習知方法相較，某些實施例揭露的技術可減少遮罩步驟的數目，並在形成底電極時省略化學機械研磨製程。
Abstract in simplified Chinese: 本发明关于电阻随机存取内存(RRAM)设备结构，其包含单层的薄导电蚀刻停止层于较下方之金属内连接与RRAM单元之底电极之间。导电蚀刻停止层可简化结构，且其蚀刻选择性可保护下方的层状物。导电蚀刻停止层之蚀刻可采用干蚀刻或湿蚀刻，以落在较下方之金属内连接上。在某些例子中，较下方的金属内连接为铜，而蚀刻导电蚀刻停止层之步骤会露出铜，但不似习知方法一样产生许多非挥发的铜蚀刻副产物。与习知方法相较，某些实施例揭露的技术可减少遮罩步骤的数目，并在形成底电极时省略化学机械研磨制程。
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公开(公告)号：TWI577064B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW104113248
申请日：2015-04-24
Inventor： 劉銘棋 , LIU, MINGCHYI , 曾元泰 , TSENG, YUANTAI , 劉世昌 , LIU, SHIHCHANG , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIASHIUNG
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L28/40 , H01L45/08 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/16
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公开(公告)号：TWI532151B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW103140641
申请日：2014-11-24
Inventor： 劉銘棋 , LIU, MINGCHYI
IPC: H01L27/115 , H01L29/788
CPC classification number: H01L27/11524 , H01L21/28008 , H01L21/28273 , H01L27/1157 , H01L29/42344 , H01L29/66545 , H01L29/66833 , H01L29/792
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