公开(公告)号：TW201731101A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105138851

申请日：2016-11-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 郭廷晃 ,  KUO, TING-HUANG ,  蔣振劼 ,  CHIANG, CHEN-CHIEH ,  鄭志成 ,  JENG, CHI-CHERNG ,  吳啟明 ,  WU, CHII-MING ,  陳維邦 ,  CHEN, WEI-BARN ,  羅家彬 ,  LO, CHIA-PIN

IPC: H01L29/12

CPC classification number: H01L27/0922 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924

Abstract: 本發明實施例揭露半導體裝置以及其製造方法。一種半導體裝置包含基底、p型MOS電晶體、n型MOS電晶體以及固化可流動氧化物層。基底包含第一區域以及第二區域。p型MOS電晶體在第一區域中。n型MOS電晶體在第二區域中。固化可流動氧化物層覆蓋p型MOS電晶體以及n型MOS電晶體，其中固化可流動氧化物層施加至p型MOS電晶體的第一應力不同於固化可流動氧化物層施加至n型MOS電晶體的第二應力，且應力之間的差大於0.002 Gpa。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例揭露半导体设备以及其制造方法。一种半导体设备包含基底、p型MOS晶体管、n型MOS晶体管以及固化可流动氧化物层。基底包含第一区域以及第二区域。p型MOS晶体管在第一区域中。n型MOS晶体管在第二区域中。固化可流动氧化物层覆盖p型MOS晶体管以及n型MOS晶体管，其中固化可流动氧化物层施加至p型MOS晶体管的第一应力不同于固化可流动氧化物层施加至n型MOS晶体管的第二应力，且应力之间的差大于0.002 Gpa。