半導體裝置結構的形成方法
    1.
    发明专利
    半導體裝置結構的形成方法 审中-公开
    半导体设备结构的形成方法

    公开(公告)号:TW201919100A

    公开(公告)日:2019-05-16

    申请号:TW107117734

    申请日:2018-05-24

    Abstract: 提供半導體裝置結構的形成方法,此方法包含在介電層上方形成第一遮罩層,第一遮罩層具有溝槽,溝槽具有內壁和底表面。此方法包含在第一溝槽中形成第二遮罩層。此方法包含移除覆蓋底表面的第二遮罩層,以在第二遮罩層中形成第二溝槽,第二溝槽暴露出底表面且在介電層的第一部分上方,留下的第二遮罩層覆蓋內壁。此方法包含移除第一部分、第一遮罩層和第二遮罩層,以在介電層中形成第三溝槽。此方法包含在第三溝槽中形成導電結構。

    Abstract in simplified Chinese: 提供半导体设备结构的形成方法,此方法包含在介电层上方形成第一遮罩层,第一遮罩层具有沟槽,沟槽具有内壁和底表面。此方法包含在第一沟槽中形成第二遮罩层。此方法包含移除覆盖底表面的第二遮罩层,以在第二遮罩层中形成第二沟槽,第二沟槽暴露出底表面且在介电层的第一部分上方,留下的第二遮罩层覆盖内壁。此方法包含移除第一部分、第一遮罩层和第二遮罩层,以在介电层中形成第三沟槽。此方法包含在第三沟槽中形成导电结构。

    具有雙通道的半導體元件
    2.
    发明专利
    具有雙通道的半導體元件 审中-公开
    具有双信道的半导体组件

    公开(公告)号:TW201731108A

    公开(公告)日:2017-09-01

    申请号:TW105137442

    申请日:2016-11-16

    Abstract: 提供一種具有雙通道的半導體元件,其包括共用埋入式閘極柱的第一部分與第二部分。埋入式閘極柱自基底的第一表面向與第一表面相對的第二表面延伸。第一部分包括埋入式閘極柱、位於埋入式閘極柱的第一側壁的第一閘介電層、以及位於第一閘介電層側邊的第一組摻雜區。第一閘介電層與第一組摻雜區之間的基底中具有第一通道。第二部分包括埋入式閘極柱、位於埋入式閘極柱的第二側壁的第二閘介電層、以及位於第二閘介電層側邊的第二組摻雜區。第二閘介電層與第二組摻雜區之間的基底中具有第二通道。

    Abstract in simplified Chinese: 提供一种具有双信道的半导体组件,其包括共享埋入式闸极柱的第一部分与第二部分。埋入式闸极柱自基底的第一表面向与第一表面相对的第二表面延伸。第一部分包括埋入式闸极柱、位于埋入式闸极柱的第一侧壁的第一闸介电层、以及位于第一闸介电层侧边的第一组掺杂区。第一闸介电层与第一组掺杂区之间的基底中具有第一信道。第二部分包括埋入式闸极柱、位于埋入式闸极柱的第二侧壁的第二闸介电层、以及位于第二闸介电层侧边的第二组掺杂区。第二闸介电层与第二组掺杂区之间的基底中具有第二信道。

    積體電路晶片的電容器結構
    3.
    发明专利
    積體電路晶片的電容器結構 审中-公开
    集成电路芯片的电容器结构

    公开(公告)号:TW201735377A

    公开(公告)日:2017-10-01

    申请号:TW105142814

    申请日:2016-12-22

    CPC classification number: H01L28/87 H01L23/5223 H01L23/5226

    Abstract: 一種積體電路晶片的電容器結構,其包括絕緣層、第一電極以及第二電極。絕緣層包括絕緣分隔物,且具有第一溝渠以及第二溝渠,第二溝渠藉由絕緣分隔物與第一溝渠分離。第一電極配置於第一溝渠中。第二電極配置於第二溝渠中。第一電極沿螺旋軌跡配置且包圍螺旋通道。第二電極配置於螺旋通道內。

    Abstract in simplified Chinese: 一种集成电路芯片的电容器结构,其包括绝缘层、第一电极以及第二电极。绝缘层包括绝缘分隔物,且具有第一沟渠以及第二沟渠,第二沟渠借由绝缘分隔物与第一沟渠分离。第一电极配置于第一沟渠中。第二电极配置于第二沟渠中。第一电极沿螺旋轨迹配置且包围螺旋信道。第二电极配置于螺旋信道内。

    鰭型場效電晶體
    7.
    发明专利
    鰭型場效電晶體 审中-公开
    鳍型场效应管

    公开(公告)号:TW201729426A

    公开(公告)日:2017-08-16

    申请号:TW105142820

    申请日:2016-12-22

    Abstract: 一種鰭型場效電晶體,所述鰭型場效電晶體包括基底、多個絕緣體及閘極堆疊。所述基底包括多個溝渠及位於所述溝渠之間的至少一個半導體鰭。所述絕緣體配置於所述溝渠中。所述半導體鰭包括:第一部分,嵌於所述絕緣體之間;頸縮部,配置於所述第一部分上,所述頸縮部未被所述絕緣體覆蓋;以及第二部分,配置於所述頸縮部上,其中所述頸縮部的寬度小於所述第一部分的寬度。所述閘極堆疊局部地覆蓋所述半導體鰭、所述至少一個凹槽及所述絕緣體。

    Abstract in simplified Chinese: 一种鳍型场效应管,所述鳍型场效应管包括基底、多个绝缘体及闸极堆栈。所述基底包括多个沟渠及位于所述沟渠之间的至少一个半导体鳍。所述绝缘体配置于所述沟渠中。所述半导体鳍包括:第一部分,嵌于所述绝缘体之间;颈缩部,配置于所述第一部分上,所述颈缩部未被所述绝缘体覆盖;以及第二部分,配置于所述颈缩部上,其中所述颈缩部的宽度小于所述第一部分的宽度。所述闸极堆栈局部地覆盖所述半导体鳍、所述至少一个凹槽及所述绝缘体。

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