公开(公告)号：TWI650806B

公开(公告)日：2019-02-11

申请号：TW106120763

申请日：2017-06-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳文進 ,  CHEN, WEN CHIN ,  吳正一 ,  WU, CHENG YI ,  鄭有宏 ,  CHENG, YU HUNG ,  郭人華 ,  GUO, REN HUA ,  劉响 ,  LIU, HSIANG ,  李錦思 ,  LEE, CHIN SZU

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201837997A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：TW106120763

申请日：2017-06-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳文進 ,  CHEN, WEN CHIN ,  吳正一 ,  WU, CHENG YI ,  鄭有宏 ,  CHENG, YU HUNG ,  郭人華 ,  GUO, REN HUA ,  劉响 ,  LIU, HSIANG ,  李錦思 ,  LEE, CHIN SZU

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78

Abstract: 方法包含提供具有主動區和與主動區相鄰之隔離結構的半導體結構，主動區具有複數個源極和汲極區且電晶體之通道區被夾於源極和汲極區之間，半導體結構更具有於通道區上方之閘極結構。上述方法更包括蝕刻溝渠於複數個源極和汲極區之其中一者中，其中溝渠暴露出隔離結構之側壁的一部分；磊晶地成長第一半導體層於溝渠中；磊晶地成長第二半導體層於第一半導體層上方；藉由蝕刻製程，改變第二半導體層之頂面的一部分之晶面方向；以及，於改變晶面方向後，磊晶地成長第三半導體層於第二半導體層上方。

Abstract in simplified Chinese: 方法包含提供具有主动区和与主动区相邻之隔离结构的半导体结构，主动区具有复数个源极和汲极区且晶体管之信道区被夹于源极和汲极区之间，半导体结构更具有于信道区上方之闸极结构。上述方法更包括蚀刻沟渠于复数个源极和汲极区之其中一者中，其中沟渠暴露出隔离结构之侧壁的一部分；磊晶地成长第一半导体层于沟渠中；磊晶地成长第二半导体层于第一半导体层上方；借由蚀刻制程，改变第二半导体层之顶面的一部分之晶面方向；以及，于改变晶面方向后，磊晶地成长第三半导体层于第二半导体层上方。