具有共邊界磊晶隔離結構的半導體裝置及其製造方法
    5.
    发明专利
    具有共邊界磊晶隔離結構的半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    具有共边界磊晶隔离结构的半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号:TW201837997A

    公开(公告)日:2018-10-16

    申请号:TW106120763

    申请日:2017-06-21

    Abstract: 方法包含提供具有主動區和與主動區相鄰之隔離結構的半導體結構,主動區具有複數個源極和汲極區且電晶體之通道區被夾於源極和汲極區之間,半導體結構更具有於通道區上方之閘極結構。上述方法更包括蝕刻溝渠於複數個源極和汲極區之其中一者中,其中溝渠暴露出隔離結構之側壁的一部分;磊晶地成長第一半導體層於溝渠中;磊晶地成長第二半導體層於第一半導體層上方;藉由蝕刻製程,改變第二半導體層之頂面的一部分之晶面方向;以及,於改變晶面方向後,磊晶地成長第三半導體層於第二半導體層上方。

    Abstract in simplified Chinese: 方法包含提供具有主动区和与主动区相邻之隔离结构的半导体结构,主动区具有复数个源极和汲极区且晶体管之信道区被夹于源极和汲极区之间,半导体结构更具有于信道区上方之闸极结构。上述方法更包括蚀刻沟渠于复数个源极和汲极区之其中一者中,其中沟渠暴露出隔离结构之侧壁的一部分;磊晶地成长第一半导体层于沟渠中;磊晶地成长第二半导体层于第一半导体层上方;借由蚀刻制程,改变第二半导体层之顶面的一部分之晶面方向;以及,于改变晶面方向后,磊晶地成长第三半导体层于第二半导体层上方。

    半導體裝置
    9.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号:TW201725738A

    公开(公告)日:2017-07-16

    申请号:TW105139895

    申请日:2016-12-02

    CPC classification number: H01L28/60

    Abstract: 本發明實施例提供一種半導體裝置,包括基底、裝置層、第一及第二導電層、第一及第二通孔、及金屬-絕緣體-金屬電容器結構。裝置層位於基底的主動區中。第一導電層位於裝置層之上。第二導電層位於第一導電層之上,第一導電層安置於裝置層與第二導電層之間。第一通孔電連接第一與第二導電層。金屬-絕緣體-金屬電容器結構位於第一與第二導電層之間且位於基底的被動區中,包括第一及第二電極及位於第一與第二電極之間的電容器介電層。電容器介電層包含IIIA族金屬氧化物或IIIA族金屬氮化物。第二通孔電連接第二導電層與第一及第二電極中的一者。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供一种半导体设备,包括基底、设备层、第一及第二导电层、第一及第二通孔、及金属-绝缘体-金属电容器结构。设备层位于基底的主动区中。第一导电层位于设备层之上。第二导电层位于第一导电层之上,第一导电层安置于设备层与第二导电层之间。第一通孔电连接第一与第二导电层。金属-绝缘体-金属电容器结构位于第一与第二导电层之间且位于基底的被动区中,包括第一及第二电极及位于第一与第二电极之间的电容器介电层。电容器介电层包含IIIA族金属氧化物或IIIA族金属氮化物。第二通孔电连接第二导电层与第一及第二电极中的一者。

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