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公开(公告)号：TWI672455B
公开(公告)日：2019-09-21
申请号：TW107131819
申请日：2018-09-11
Inventor： 洪鵬程 , HONG, PENG-CHENG , 吳正一 , WU, CHENG-YI , 蒲俊良 , PU, JUN-LIANG , 許文亮 , HSU, WEN LIANG , 高崇豪 , KAO, CHUNG-HAO , 洪家駿 , HUNG, CHIA-CHUN , 李錦思 , LEE, CHIN-SZU
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公开(公告)号：TWI605541B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW106101278
申请日：2017-01-13
Inventor： 吳正一 , WU, CHENG YI , 朱立軒 , CHU, LI HSUAN , 溫慶文 , WEN, CHING WEN , 洪家駿 , HUNG, CHIA CHUN , 張振涼 , CHANG, CHEN LIANG , 李錦思 , LEE, CHIN SZU , 劉响
IPC: H01L21/762 , H01L29/12
CPC classification number: H01L23/5329 , H01L21/0214 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L23/5283 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L27/14614 , H01L27/1463 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14687
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公开(公告)号：TW201731085A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105139890
申请日：2016-12-02
Inventor： 張朝欽 , CHANG, CHAO CHING , 周佳興 , CHOU, CHIA HSING , 吳正一 , WU, CHENG YI , 黃志輝 , HUANG, CHIH HUI , 蔡建欣 , TSAI, JIAN SHIN , 林明輝 , LIN, MIN HUI , 林藝民 , LIN, YI MING , 李錦思 , LEE, CHIN SZU , 李昇展 , LI, SHENG CHAN
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/76224 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14683
Abstract: 本發明實施例揭露半導體影像感測裝置及其製造方法。所述半導體影像感測裝置包含基底、第一畫素及第二畫素以及隔離結構。所述第一畫素及所述第二畫素安置於所述基底中，其中所述第一畫素及所述第二畫素為相鄰畫素。所述隔離結構安置於所述基底中且在所述第一畫素與所述第二畫素之間，其中所述隔離結構包含介電層，且所述介電層包含氧碳氮化矽（SiOCN）。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例揭露半导体影像传感设备及其制造方法。所述半导体影像传感设备包含基底、第一像素及第二像素以及隔离结构。所述第一像素及所述第二像素安置于所述基底中，其中所述第一像素及所述第二像素为相邻像素。所述隔离结构安置于所述基底中且在所述第一像素与所述第二像素之间，其中所述隔离结构包含介电层，且所述介电层包含氧碳氮化硅（SiOCN）。
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公开(公告)号：TWI650806B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW106120763
申请日：2017-06-21
Inventor： 陳文進 , CHEN, WEN CHIN , 吳正一 , WU, CHENG YI , 鄭有宏 , CHENG, YU HUNG , 郭人華 , GUO, REN HUA , 劉响 , LIU, HSIANG , 李錦思 , LEE, CHIN SZU
IPC: H01L21/283 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L29/78
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公开(公告)号：TW201837997A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106120763
申请日：2017-06-21
Inventor： 陳文進 , CHEN, WEN CHIN , 吳正一 , WU, CHENG YI , 鄭有宏 , CHENG, YU HUNG , 郭人華 , GUO, REN HUA , 劉响 , LIU, HSIANG , 李錦思 , LEE, CHIN SZU
IPC: H01L21/283 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L29/78
Abstract: 方法包含提供具有主動區和與主動區相鄰之隔離結構的半導體結構，主動區具有複數個源極和汲極區且電晶體之通道區被夾於源極和汲極區之間，半導體結構更具有於通道區上方之閘極結構。上述方法更包括蝕刻溝渠於複數個源極和汲極區之其中一者中，其中溝渠暴露出隔離結構之側壁的一部分；磊晶地成長第一半導體層於溝渠中；磊晶地成長第二半導體層於第一半導體層上方；藉由蝕刻製程，改變第二半導體層之頂面的一部分之晶面方向；以及，於改變晶面方向後，磊晶地成長第三半導體層於第二半導體層上方。
Abstract in simplified Chinese: 方法包含提供具有主动区和与主动区相邻之隔离结构的半导体结构，主动区具有复数个源极和汲极区且晶体管之信道区被夹于源极和汲极区之间，半导体结构更具有于信道区上方之闸极结构。上述方法更包括蚀刻沟渠于复数个源极和汲极区之其中一者中，其中沟渠暴露出隔离结构之侧壁的一部分；磊晶地成长第一半导体层于沟渠中；磊晶地成长第二半导体层于第一半导体层上方；借由蚀刻制程，改变第二半导体层之顶面的一部分之晶面方向；以及，于改变晶面方向后，磊晶地成长第三半导体层于第二半导体层上方。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI604505B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW105143218
申请日：2016-12-26
Inventor： 吳正一 , WU, CHENG YI , 劉哲綱 , LIU, CHE KANG , 洪鵬程 , HONG, PENG CHENG , 蔡學欣 , TSAI, SHYUE SHIN , 林明輝 , LIN, MIN HUI , 林藝民 , LIN, YI MING , 李錦思 , LEE, CHIN SZU , 陳紀任 , CHEN, CHI JEN , 洪家駿 , HUNG, CHIA CHUN
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公开(公告)号：TW201824336A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105143218
申请日：2016-12-26
Inventor： 吳正一 , WU, CHENG YI , 劉哲綱 , LIU, CHE KANG , 洪鵬程 , HONG, PENG CHENG , 蔡學欣 , TSAI, SHYUE SHIN , 林明輝 , LIN, MIN HUI , 林藝民 , LIN, YI MING , 李錦思 , LEE, CHIN SZU , 陳紀任 , CHEN, CHI JEN , 洪家駿 , HUNG, CHIA CHUN
Abstract: 半導體元件固化裝置包含殼體以及多個燈頭組件。殼體具有通氣開口以及多個燈頭蓋體。燈頭蓋體由通氣開口的邊緣延伸至殼體中，且各具有至少一穿孔。燈頭組件設置於殼體中，且配置以朝實質上遠離通氣開口的方向發出紫外線。燈頭蓋體分別至少部分覆蓋於燈頭組件上。
Abstract in simplified Chinese: 半导体组件固化设备包含壳体以及多个灯头组件。壳体具有通气开口以及多个灯头盖体。灯头盖体由通气开口的边缘延伸至壳体中，且各具有至少一穿孔。灯头组件设置于壳体中，且配置以朝实质上远离通气开口的方向发出紫外线。灯头盖体分别至少部分覆盖于灯头组件上。
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公开(公告)号：TW201814831A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW106101278
申请日：2017-01-13
Inventor： 吳正一 , WU, CHENG YI , 朱立軒 , CHU, LI HSUAN , 溫慶文 , WEN, CHING WEN , 洪家駿 , HUNG, CHIA CHUN , 張振涼 , CHANG, CHEN LIANG , 李錦思 , LEE, CHIN SZU , 劉响
IPC: H01L21/762 , H01L29/12
CPC classification number: H01L23/5329 , H01L21/0214 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L23/5283 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L27/14614 , H01L27/1463 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14687
Abstract: 本揭露是關於半導體的製造方法。本方法包含接收具有暴露出第一金屬或該第一金屬之氧化物之第一表面的元件。本方法更包含沉積具有矽(Si)、氮(N)、碳(C)及氧(O)之介電層於第一表面之上，使得介電層接近第一表面之第一部分，相較於較第一部分更遠離第一表面之介電層之第二部分，具有較高的氮及碳濃度。本方法更再包含形成導電特徵於介電層之上。此種介電層會使導電特徵及第一金屬或第一金屬之氧化物之間互相電性絕緣。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露是关于半导体的制造方法。本方法包含接收具有暴露出第一金属或该第一金属之氧化物之第一表面的组件。本方法更包含沉积具有硅(Si)、氮(N)、碳(C)及氧(O)之介电层于第一表面之上，使得介电层接近第一表面之第一部分，相较于较第一部分更远离第一表面之介电层之第二部分，具有较高的氮及碳浓度。本方法更再包含形成导电特征于介电层之上。此种介电层会使导电特征及第一金属或第一金属之氧化物之间互相电性绝缘。
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公开(公告)号：TW201725738A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105139895
申请日：2016-12-02
Inventor： 張朝欽 , CHANG, CHAO-CHING , 吳正一 , WU, CHENG-YI , 蔡建欣 , TSAI, JIAN-SHIN , 林明輝 , LIN, MIN-HUI , 張文山 , CHANG, WEN-SHAN , 林藝民 , LIN, YI-MING , 陳宜輝 , CHEN, YI-HUI , 李錦思 , LEE, CHIN-SZU
IPC: H01L29/92
CPC classification number: H01L28/60
Abstract: 本發明實施例提供一種半導體裝置，包括基底、裝置層、第一及第二導電層、第一及第二通孔、及金屬-絕緣體-金屬電容器結構。裝置層位於基底的主動區中。第一導電層位於裝置層之上。第二導電層位於第一導電層之上，第一導電層安置於裝置層與第二導電層之間。第一通孔電連接第一與第二導電層。金屬-絕緣體-金屬電容器結構位於第一與第二導電層之間且位於基底的被動區中，包括第一及第二電極及位於第一與第二電極之間的電容器介電層。電容器介電層包含IIIA族金屬氧化物或IIIA族金屬氮化物。第二通孔電連接第二導電層與第一及第二電極中的一者。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供一种半导体设备，包括基底、设备层、第一及第二导电层、第一及第二通孔、及金属-绝缘体-金属电容器结构。设备层位于基底的主动区中。第一导电层位于设备层之上。第二导电层位于第一导电层之上，第一导电层安置于设备层与第二导电层之间。第一通孔电连接第一与第二导电层。金属-绝缘体-金属电容器结构位于第一与第二导电层之间且位于基底的被动区中，包括第一及第二电极及位于第一与第二电极之间的电容器介电层。电容器介电层包含IIIA族金属氧化物或IIIA族金属氮化物。第二通孔电连接第二导电层与第一及第二电极中的一者。
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公开(公告)号：TW201719820A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105128815
申请日：2016-09-06
Inventor： 吳正一 , WU, CHENG YI , 蔡建欣 , TSAI, JIAN SHIN , 鄭國賢 , CHENG, KUO HSIEN , 林明輝 , LIN, MIN HUI , 陳韋立 , CHEN, WEI LI , 張朝欽 , CHANG, CHAO CHING , 謝忠佑 , HSIEH, CHUNG YU , 李錦思 , LEE, CHIN SZU
IPC: H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11206 , H01L23/5252
Abstract: 一種記憶體單元包括選擇器、與選擇器串聯連接之熔絲、形成於選擇器及熔絲上之接觸蝕刻終止層、與熔絲連接之位元線及與選擇器連接之字線。接觸蝕刻終止層包括高k介電質用於改良捕獲電子之能力，因此記憶體單元之保持時間增加。
Abstract in simplified Chinese: 一种内存单元包括选择器、与选择器串联连接之熔丝、形成于选择器及熔丝上之接触蚀刻终止层、与熔丝连接之比特线及与选择器连接之字线。接触蚀刻终止层包括高k介电质用于改良捕获电子之能力，因此内存单元之保持时间增加。
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