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公开(公告)号：TW201719277A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105137021
申请日：2016-11-14
发明人： 蔡尚綸 , TSAI, SHANG LUN , 李岳勳 , LI, YUEH HSUN , 朱遠志 , CHU, YUAN CHIH , 秦聖基 , CHIN, SHENG CHI
IPC分类号： G03F1/72
摘要： 本實施例提供一種修復光罩的方法。上述方法包括接收一光罩，其包括一圖案化特徵部件。圖案化特徵部件產生一相移且具有一透光率。辨識光罩上的一缺陷區。形成一修復特徵部件於光罩上的缺陷區上方。形成修復特徵部件包括形成一第一圖案化材料層於缺陷區上方以及形成一第二圖案化材料層於第一圖案化材料層上方，以形成修復特徵部件。修復特徵部件產生上述相移且具有上述透光率。
简体摘要： 本实施例提供一种修复光罩的方法。上述方法包括接收一光罩，其包括一图案化特征部件。图案化特征部件产生一相移且具有一透光率。辨识光罩上的一缺陷区。形成一修复特征部件于光罩上的缺陷区上方。形成修复特征部件包括形成一第一图案化材料层于缺陷区上方以及形成一第二图案化材料层于第一图案化材料层上方，以形成修复特征部件。修复特征部件产生上述相移且具有上述透光率。
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公开(公告)号：TW201728993A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105137202
申请日：2016-11-15
发明人： 石訓全 , SHIH, HSUN CHUAN , 李岳勳 , LI, YUEH HSUN , 朱遠志 , CHU, YUAN CHIH , 秦聖基 , CHIN, SHENG CHI
IPC分类号： G03F1/72 , G03F7/20 , H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/321
CPC分类号： G03F1/72 , C23C16/047 , C23C16/45523 , G03F1/22 , G03F1/26 , G03F1/74 , G03F1/82 , H01L21/02277 , H01L21/02334 , H01L21/02337 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/28556 , H01L21/321
摘要： 半導體裝置的製造方法包含以輻射光束照射基底的第一表面。當照射基底的第一表面時，將前驅氣體引入靠近第一表面，以沉積包含第一材料的一層。在沉積此層之後，從靠近第一表面處將前驅氣體移除。在移除前驅氣體之後與在形成另一層於此層上方之前，當照射此層的第二表面時，將清潔氣體引入靠近此層的第二表面，以將第一材料轉變為第二材料。
简体摘要： 半导体设备的制造方法包含以辐射光束照射基底的第一表面。当照射基底的第一表面时，将前驱气体引入靠近第一表面，以沉积包含第一材料的一层。在沉积此层之后，从靠近第一表面处将前驱气体移除。在移除前驱气体之后与在形成另一层于此层上方之前，当照射此层的第二表面时，将清洁气体引入靠近此层的第二表面，以将第一材料转变为第二材料。
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公开(公告)号：TW201712426A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW104139344
申请日：2015-11-26
发明人： 曾俊豪 , TSENG, CHUN HAO , 秦聖基 , CHIN, SHENG CHI , 朱遠志 , CHU, YUAN CHIH
IPC分类号： G03F1/62
摘要： 本揭示提供製造護膜組件的方法，此方法包含在載板上方形成脫模層，在脫模層上方製造膜層，將護膜框架附著至膜層，在護膜框架附著至膜層之後，對脫模層實施脫模處理製程將載板從膜層分開，形成護膜組件，護膜組件包含護膜框架和附著至護膜框架的膜層。
简体摘要： 本揭示提供制造护膜组件的方法，此方法包含在载板上方形成脱模层，在脱模层上方制造膜层，将护膜框架附着至膜层，在护膜框架附着至膜层之后，对脱模层实施脱模处理制程将载板从膜层分开，形成护膜组件，护膜组件包含护膜框架和附着至护膜框架的膜层。
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公开(公告)号：TWI592744B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW104139344
申请日：2015-11-26
发明人： 曾俊豪 , TSENG, CHUN HAO , 秦聖基 , CHIN, SHENG CHI , 朱遠志 , CHU, YUAN CHIH
IPC分类号： G03F1/62
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公开(公告)号：TWI591426B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW104126340
申请日：2015-08-13
发明人： 黃彥愷 , HUANG, YEN KAI , 朱遠志 , CHU, YUAN CHIH
IPC分类号： G03F1/72
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公开(公告)号：TW201629620A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104126340
申请日：2015-08-13
发明人： 黃彥愷 , HUANG, YEN KAI , 朱遠志 , CHU, YUAN CHIH
IPC分类号： G03F1/72
摘要： 本揭示提供修復半導體遮罩的方法及工具。此方法包含將半導體遮罩放置在包含修復工具的修復室中，供應第一氣體及第二氣體到修復室中，第一氣體包含修復遮罩上的缺陷的修復材料，第二氣體包含極性氣體且輔助修復材料沉積在半導體遮罩上。此方法更包含啟動修復工具，使得修復工具與第一氣體及第二氣體相互作用，以沉積修復材料在缺陷位置來修復半導體遮罩，以及從修復室取出已修復的半導體遮罩。所沉積的修復材料的尺寸小於約32奈米。
简体摘要： 本揭示提供修复半导体遮罩的方法及工具。此方法包含将半导体遮罩放置在包含修复工具的修复室中，供应第一气体及第二气体到修复室中，第一气体包含修复遮罩上的缺陷的修复材料，第二气体包含极性气体且辅助修复材料沉积在半导体遮罩上。此方法更包含启动修复工具，使得修复工具与第一气体及第二气体相互作用，以沉积修复材料在缺陷位置来修复半导体遮罩，以及从修复室取出已修复的半导体遮罩。所沉积的修复材料的尺寸小于约32奈米。
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