修復光罩的方法
    1.
    发明专利
    修復光罩的方法 审中-公开
    修复光罩的方法

    公开(公告)号:TW201719277A

    公开(公告)日:2017-06-01

    申请号:TW105137021

    申请日:2016-11-14

    IPC分类号: G03F1/72

    CPC分类号: G03F1/72 G03F1/26

    摘要: 本實施例提供一種修復光罩的方法。上述方法包括接收一光罩,其包括一圖案化特徵部件。圖案化特徵部件產生一相移且具有一透光率。辨識光罩上的一缺陷區。形成一修復特徵部件於光罩上的缺陷區上方。形成修復特徵部件包括形成一第一圖案化材料層於缺陷區上方以及形成一第二圖案化材料層於第一圖案化材料層上方,以形成修復特徵部件。修復特徵部件產生上述相移且具有上述透光率。

    简体摘要: 本实施例提供一种修复光罩的方法。上述方法包括接收一光罩,其包括一图案化特征部件。图案化特征部件产生一相移且具有一透光率。辨识光罩上的一缺陷区。形成一修复特征部件于光罩上的缺陷区上方。形成修复特征部件包括形成一第一图案化材料层于缺陷区上方以及形成一第二图案化材料层于第一图案化材料层上方,以形成修复特征部件。修复特征部件产生上述相移且具有上述透光率。

    修復半導體遮罩及半導體基底的方法
    6.
    发明专利
    修復半導體遮罩及半導體基底的方法 审中-公开
    修复半导体遮罩及半导体基底的方法

    公开(公告)号:TW201629620A

    公开(公告)日:2016-08-16

    申请号:TW104126340

    申请日:2015-08-13

    IPC分类号: G03F1/72

    CPC分类号: G03F1/72 G03F1/74

    摘要: 本揭示提供修復半導體遮罩的方法及工具。此方法包含將半導體遮罩放置在包含修復工具的修復室中,供應第一氣體及第二氣體到修復室中,第一氣體包含修復遮罩上的缺陷的修復材料,第二氣體包含極性氣體且輔助修復材料沉積在半導體遮罩上。此方法更包含啟動修復工具,使得修復工具與第一氣體及第二氣體相互作用,以沉積修復材料在缺陷位置來修復半導體遮罩,以及從修復室取出已修復的半導體遮罩。所沉積的修復材料的尺寸小於約32奈米。

    简体摘要: 本揭示提供修复半导体遮罩的方法及工具。此方法包含将半导体遮罩放置在包含修复工具的修复室中,供应第一气体及第二气体到修复室中,第一气体包含修复遮罩上的缺陷的修复材料,第二气体包含极性气体且辅助修复材料沉积在半导体遮罩上。此方法更包含启动修复工具,使得修复工具与第一气体及第二气体相互作用,以沉积修复材料在缺陷位置来修复半导体遮罩,以及从修复室取出已修复的半导体遮罩。所沉积的修复材料的尺寸小于约32奈米。