公开(公告)号：TWI614902B

公开(公告)日：2018-02-11

申请号：TW103123895

申请日：2014-07-11

申请人： 國立大學法人北陸先端科學技術大學院大學 ,  NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION JAPAN ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY ,  住友精化股份有限公司 ,  SUMITOMO SEIKA CHEMICALS CO., LTD.

发明人： 井上聡 ,  INOUE, SATOSHI ,  下田達也 ,  SHIMODA, TATSUYA ,  川北知紀 ,  KAWAKITA, TOMOKI ,  藤本信貴 ,  FUJIMOTO, NOBUTAKA ,  西岡聖司 ,  NISHIOKA, KIYOSHI

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66969 ,  C01G15/00 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TW201804538A

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW106134572

申请日：2010-06-29

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  大原宏樹 ,  OHARA, HIROKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/477 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/383 ,  H01L21/46 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： 本發明的目的在於製造包含具有穩定電性特徵之薄膜電晶體的高度可靠之半導體裝置。在包含其中使用氧化物半導體膜於包含通道形成區之半導體層的薄膜電晶體之半導體裝置的製造方法中，熱處理(用於脫水或脫氫)被執行以改善氧化物半導體膜的純度，及降低包含水分或其類似物之雜質。然後，在氧氛圍之下執行緩慢冷卻。除了包含存在於氧化物半導體膜中之水分或其類似物的雜質之外，熱處理致使包含存在於閘極絕緣層中之水分或其類似物的雜質，以及包含存在於氧化物半導體膜與設置在該氧化物半導體膜之上面及下面且與其接觸的膜之間的介面中之該等水分或其類似物的雜質降低。

简体摘要： 本发明的目的在于制造包含具有稳定电性特征之薄膜晶体管的高度可靠之半导体设备。在包含其中使用氧化物半导体膜于包含信道形成区之半导体层的薄膜晶体管之半导体设备的制造方法中，热处理(用于脱水或脱氢)被运行以改善氧化物半导体膜的纯度，及降低包含水分或其类似物之杂质。然后，在氧氛围之下运行缓慢冷却。除了包含存在于氧化物半导体膜中之水分或其类似物的杂质之外，热处理致使包含存在于闸极绝缘层中之水分或其类似物的杂质，以及包含存在于氧化物半导体膜与设置在该氧化物半导体膜之上面及下面且与其接触的膜之间的界面中之该等水分或其类似物的杂质降低。

公开(公告)号：TW201728993A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：TW105137202

申请日：2016-11-15

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 石訓全 ,  SHIH, HSUN CHUAN ,  李岳勳 ,  LI, YUEH HSUN ,  朱遠志 ,  CHU, YUAN CHIH ,  秦聖基 ,  CHIN, SHENG CHI

IPC分类号： G03F1/72 ,  G03F7/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/321

CPC分类号： G03F1/72 ,  C23C16/047 ,  C23C16/45523 ,  G03F1/22 ,  G03F1/26 ,  G03F1/74 ,  G03F1/82 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/321

摘要： 半導體裝置的製造方法包含以輻射光束照射基底的第一表面。當照射基底的第一表面時，將前驅氣體引入靠近第一表面，以沉積包含第一材料的一層。在沉積此層之後，從靠近第一表面處將前驅氣體移除。在移除前驅氣體之後與在形成另一層於此層上方之前，當照射此層的第二表面時，將清潔氣體引入靠近此層的第二表面，以將第一材料轉變為第二材料。

简体摘要： 半导体设备的制造方法包含以辐射光束照射基底的第一表面。当照射基底的第一表面时，将前驱气体引入靠近第一表面，以沉积包含第一材料的一层。在沉积此层之后，从靠近第一表面处将前驱气体移除。在移除前驱气体之后与在形成另一层于此层上方之前，当照射此层的第二表面时，将清洁气体引入靠近此层的第二表面，以将第一材料转变为第二材料。

公开(公告)号：TWI594330B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW099121502

申请日：2010-06-30

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  丸山穗高 ,  MARUYAMA, HOTAKA

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66969 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/28008 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201721765A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：TW106104769

申请日：2010-06-30

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  丸山穗高 ,  MARUYAMA, HOTAKA

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66969 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/28008 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 揭示具有氧化物半導體作為通道形成區的薄膜電晶體之製造方法。方法包含：在閘極絕緣層上形成氧化物半導體層；在氧化物半導體層上形成與氧化物半導體層接觸的源極和汲極電極層，以致於至少部份氧化物半導體層曝露；以及，在氧化物半導體層形成與氧化物半導體層接觸的氧化物絕緣膜。在形成氧化物絕緣膜之前，在電漿存在下，氧化物半導體的曝露部份曝露於含有氧的氣體中。方法允許氧擴散至氧化物半導體層中，有助於薄膜電晶體的優良特徵。

简体摘要： 揭示具有氧化物半导体作为信道形成区的薄膜晶体管之制造方法。方法包含：在闸极绝缘层上形成氧化物半导体层；在氧化物半导体层上形成与氧化物半导体层接触的源极和汲极电极层，以致于至少部份氧化物半导体层曝露；以及，在氧化物半导体层形成与氧化物半导体层接触的氧化物绝缘膜。在形成氧化物绝缘膜之前，在等离子存在下，氧化物半导体的曝露部份曝露于含有氧的气体中。方法允许氧扩散至氧化物半导体层中，有助于薄膜晶体管的优良特征。

公开(公告)号：TW201714298A

公开(公告)日：2017-04-16

申请号：TW105107093

申请日：2016-03-08

申请人： 上海新昇半導體科技有限公司 ,  ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION

发明人： 肖德元 ,  XIAO, DEYUAN

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/778 ,  H01L21/8238 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L21/823807 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： 本發明提供一種互補金氧半場效電晶體及其製備方法，包括一半導體基板，位於半導體基板中的相互隔離的一N型場效電晶體以及一P型場效電晶體。N型場效電晶體包括一第一鍺奈米線、一包圍在第一鍺奈米線四周的第一III-V化合物層、一位於第一III-V化合物層上的第一勢壘層、一第一閘極介電層和一第一閘極，以及分別位於第一閘極兩側的第一源區和第一汲區。P型場效電晶體包括第二鍺奈米線、包圍在第二鍺奈米線四周的第二III-V化合物層、位於第二III-V化合物層上的第二勢壘層、第二閘極介電層和第二閘極，以及分別位於第二閘極兩側的第二源區和第二汲區。本發明互補金氧半場效電晶體形成二維電子氣和二維電洞氣，且為閘極全包圍的元件，載子遷移率高。

简体摘要： 本发明提供一种互补金氧半场效应管及其制备方法，包括一半导体基板，位于半导体基板中的相互隔离的一N型场效应管以及一P型场效应管。N型场效应管包括一第一锗奈米线、一包围在第一锗奈米线四周的第一III-V化合物层、一位于第一III-V化合物层上的第一势垒层、一第一闸极介电层和一第一闸极，以及分别位于第一闸极两侧的第一源区和第一汲区。P型场效应管包括第二锗奈米线、包围在第二锗奈米线四周的第二III-V化合物层、位于第二III-V化合物层上的第二势垒层、第二闸极介电层和第二闸极，以及分别位于第二闸极两侧的第二源区和第二汲区。本发明互补金氧半场效应管形成二维电子气和二维电洞气，且为闸极全包围的组件，载子迁移率高。

公开(公告)号：TWI578407B

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：TW104140305

申请日：2010-06-29

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  大原宏樹 ,  OHARA, HIROKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/477 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/383 ,  H01L21/46 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

公开(公告)号：TWI559373B

公开(公告)日：2016-11-21

申请号：TW100127096

申请日：2011-07-29

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 葉祉淵 ,  YE, ZHIYUAN ,  李學斌 ,  LI, XUEBIN ,  喬柏索拉貝 ,  CHOPRA, SAURABH ,  金以寬 ,  KIM, YIHWAN

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L29/36 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

公开(公告)号：TWI555088B

公开(公告)日：2016-10-21

申请号：TW101136507

申请日：2012-10-03

申请人： 贏創德固賽有限責任公司 ,  EVONIK DEGUSSA GMBH

发明人： 史堤格 喬根 ,  STEIGER, JUERGEN ,  范 德西 ,  PHAM, DUY VU ,  紐曼 安妮塔 ,  NEUMANN, ANITA ,  馬可洛夫 艾力克席 ,  MERKULOV, ALEXEY ,  霍普 爾恩 ,  HOPPE, ARNE

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/762 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78696 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/14 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TWI549194B

公开(公告)日：2016-09-11

申请号：TW101120840

申请日：2012-06-08

申请人： 住友化學股份有限公司 ,  SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED ,  獨立行政法人產業技術總合研究所 ,  NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY

发明人： 秦雅彥 ,  HATA, MASAHIKO ,  市川磨 ,  ICHIKAWA, OSAMU ,  卜部友二 ,  URABE, YUJI ,  宮田典幸 ,  MIYATA, NORIYUKI ,  前田辰郎 ,  MAEDA, TATSURO ,  安田哲二 ,  YASUDA, TETSUJI

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66522