Patent search ap:("台灣積體電路製造股份有限公司" OR "TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO. Page LTD.") AND inv:"LIN

1.

发明专利
半導體裝置及形成鰭片場效應電晶體的方法有权
Simplified title: 半导体设备及形成鳍片场效应晶体管的方法

公开(公告)号：TWI689104B

公开(公告)日：2020-03-21

申请号：TW107142104

申请日：2018-11-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳奕志 , CHEN, I CHIH , 蕭茹雄 , HSIAO, RU SHANG , 林景彬 , LIN, CHING PIN , 黃智睦 , HUANG, CHIH MU , 蔡富村 , TSAI, FU TSUN

IPC: H01L29/78 , H01L21/76 , H01L21/30

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