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公开(公告)号：TW201637207A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW104138899
申请日：2015-11-24
Inventor： 陳奕志 , CHEN, I CHIH , 黃智睦 , HUANG, CHIH MU , 蔡富村 , TSAI, FU TSUN , 吳孟怡 , WU, MENG YI , 李永發 , LEE, YUNG FA , 王英郎 , WANG, YING LANG
IPC: H01L29/772 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0638 , H01L21/26506 , H01L29/0603 , H01L29/0847 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7834 , H01L29/7848
Abstract: 本揭示之半導體裝置包含半導體基底具有包含第一導電型雜質的第一導電型區域，第一閘極結構位於半導體基底上並覆蓋第一導電型區域，第二導電型區域包含形成於半導體基底內的第二導電型雜質，阻障層位於第一導電型區域與第二導電型區域之間，阻障層防止第二導電型雜質從第二導電型區域擴散至第一導電型區域。
Abstract in simplified Chinese: 本揭示之半导体设备包含半导体基底具有包含第一导电型杂质的第一导电型区域，第一闸极结构位于半导体基底上并覆盖第一导电型区域，第二导电型区域包含形成于半导体基底内的第二导电型杂质，阻障层位于第一导电型区域与第二导电型区域之间，阻障层防止第二导电型杂质从第二导电型区域扩散至第一导电型区域。
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公开(公告)号：TWI611580B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW104138899
申请日：2015-11-24
Inventor： 陳奕志 , CHEN, I CHIH , 黃智睦 , HUANG, CHIH MU , 蔡富村 , TSAI, FU TSUN , 吳孟怡 , WU, MENG YI , 李永發 , LEE, YUNG FA , 王英郎 , WANG, YING LANG
IPC: H01L29/772 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0638 , H01L21/26506 , H01L29/0603 , H01L29/0847 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7834 , H01L29/7848
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI689104B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW107142104
申请日：2018-11-26
Inventor： 陳奕志 , CHEN, I CHIH , 蕭茹雄 , HSIAO, RU SHANG , 林景彬 , LIN, CHING PIN , 黃智睦 , HUANG, CHIH MU , 蔡富村 , TSAI, FU TSUN
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公开(公告)号：TWI570813B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW104108585
申请日：2015-03-18
Inventor： 陳奕志 , CHEN, I CHIH , 謝志民 , HSIEH, CHIH MING , 蔡富村 , TSAI, FU TSUN , 李永發 , LEE, YUNG FA , 黃智睦 , HUANG, CHIH MU
IPC: H01L21/336 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L29/7848 , H01L29/785
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公开(公告)号：TWI541940B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW103145657
申请日：2014-12-26
Inventor： 陳貞君 , CHEN, CHEN CHUN , 陳秋鎔 , CHEN, CHIU JUNG , 蔡富村 , TSAI, FU TSUN , 張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO , 鄭志成 , JENG, CHI CHERNG , 陳信吉 , CHEN, HSIN CHI
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/02019 , H01L21/0273 , H01L21/268 , H01L21/30604 , H01L21/76256 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/2919 , H01L2224/83201 , H01L2224/838 , H01L2224/83805 , H01L2224/8385 , H01L2224/83895 , H01L2224/83896 , H01L2924/07025
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公开(公告)号：TW201614735A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104108585
申请日：2015-03-18
Inventor： 陳奕志 , CHEN, I CHIH , 謝志民 , HSIEH, CHIH MING , 蔡富村 , TSAI, FU TSUN , 李永發 , LEE, YUNG FA , 黃智睦 , HUANG, CHIH MU
IPC: H01L21/336 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L29/7848 , H01L29/785
Abstract: 本申請案揭示內容的一些實施例提供製造半導體裝置的方法，其包含接收含有鰭結構形成於隔離區之間以及形成於鰭結構上方的閘極結構之FinFET前驅物，因而該鰭結構的側壁係與該閘極結構的閘極隔板接觸；圖案化該鰭結構，以包括從該隔離區升高的至少一向上階梯的圖案；在該鰭結構、該隔離區與該閘極結構上方，形成覆蓋層；在該FinFET前驅物上進行退火製程，以沿著該向上階梯形成至少兩個差排；以及移除該覆蓋層。
Abstract in simplified Chinese: 本申请案揭示内容的一些实施例提供制造半导体设备的方法，其包含接收含有鳍结构形成于隔离区之间以及形成于鳍结构上方的闸极结构之FinFET前驱物，因而该鳍结构的侧壁系与该闸极结构的闸极隔板接触；图案化该鳍结构，以包括从该隔离区升高的至少一向上阶梯的图案；在该鳍结构、该隔离区与该闸极结构上方，形成覆盖层；在该FinFET前驱物上进行退火制程，以沿着该向上阶梯形成至少两个差排；以及移除该覆盖层。
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公开(公告)号：TW201532194A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103145657
申请日：2014-12-26
Inventor： 陳貞君 , CHEN, CHEN CHUN , 陳秋鎔 , CHEN, CHIU JUNG , 蔡富村 , TSAI, FU TSUN , 張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO , 鄭志成 , JENG, CHI CHERNG , 陳信吉 , CHEN, HSIN CHI
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/02019 , H01L21/0273 , H01L21/268 , H01L21/30604 , H01L21/76256 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/2919 , H01L2224/83201 , H01L2224/838 , H01L2224/83805 , H01L2224/8385 , H01L2224/83895 , H01L2224/83896 , H01L2924/07025
Abstract: 一種半導體結構包括：具有第一表面和周邊的晶圓；從該第一表面突出的複數個突起以及通過該複數個突起彼此隔開的複數個凹槽，並且該複數個凹槽的每一者從該晶圓的該周邊延伸並且延長以橫跨該晶圓的該第一表面。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体结构包括：具有第一表面和周边的晶圆；从该第一表面突出的复数个突起以及通过该复数个突起彼此隔开的复数个凹槽，并且该复数个凹槽的每一者从该晶圆的该周边延伸并且延长以横跨该晶圆的该第一表面。
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