公开(公告)号：TW201729426A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：TW105142820

申请日：2016-12-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林文生 ,  LIN, WEN-SHENG ,  蔣振劼 ,  CHIANG, CHEN-CHIEH ,  鄭志成 ,  JENG, CHI-CHERNG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7853 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7848

Abstract: 一種鰭型場效電晶體，所述鰭型場效電晶體包括基底、多個絕緣體及閘極堆疊。所述基底包括多個溝渠及位於所述溝渠之間的至少一個半導體鰭。所述絕緣體配置於所述溝渠中。所述半導體鰭包括：第一部分，嵌於所述絕緣體之間；頸縮部，配置於所述第一部分上，所述頸縮部未被所述絕緣體覆蓋；以及第二部分，配置於所述頸縮部上，其中所述頸縮部的寬度小於所述第一部分的寬度。所述閘極堆疊局部地覆蓋所述半導體鰭、所述至少一個凹槽及所述絕緣體。

Abstract in simplified Chinese: 一种鳍型场效应管，所述鳍型场效应管包括基底、多个绝缘体及闸极堆栈。所述基底包括多个沟渠及位于所述沟渠之间的至少一个半导体鳍。所述绝缘体配置于所述沟渠中。所述半导体鳍包括：第一部分，嵌于所述绝缘体之间；颈缩部，配置于所述第一部分上，所述颈缩部未被所述绝缘体覆盖；以及第二部分，配置于所述颈缩部上，其中所述颈缩部的宽度小于所述第一部分的宽度。所述闸极堆栈局部地覆盖所述半导体鳍、所述至少一个凹槽及所述绝缘体。