公开(公告)号：TW201719871A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW105121254

申请日：2016-07-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳建瑩 ,  WU, CHIEN YING ,  褚立新 ,  CHU, LI HSIN ,  曾仲銓 ,  TSENG, CHUNG CHUAN ,  劉家瑋 ,  LIU, CHIA WEI

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14616 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14694

Abstract: 紅外線影像感測器組件包含至少一III-V族化合物層於半導體基板上，其中III-V族化合物層自圖案中曝露之部分作用為主動像素區以探測入射紅外線。紅外線影像感測器組件包含至少一電晶體耦接至主動像素區，且藉由主動像素區產生之電荷被傳送至電晶體。

Abstract in simplified Chinese: 红外线影像传感器组件包含至少一III-V族化合物层于半导体基板上，其中III-V族化合物层自图案中曝露之部分作用为主动像素区以探测入射红外线。红外线影像传感器组件包含至少一晶体管耦接至主动像素区，且借由主动像素区产生之电荷被发送至晶体管。

公开(公告)号：TWI646675B

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：TW105121254

申请日：2016-07-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳建瑩 ,  WU, CHIEN YING ,  褚立新 ,  CHU, LI HSIN ,  曾仲銓 ,  TSENG, CHUNG CHUAN ,  劉家瑋 ,  LIU, CHIA WEI

IPC: H01L27/146