半導體結構及其相關方法
    1.
    发明专利
    半導體結構及其相關方法 审中-公开
    半导体结构及其相关方法

    公开(公告)号:TW201826447A

    公开(公告)日:2018-07-16

    申请号:TW106128794

    申请日:2017-08-24

    Abstract: 一種提供具有埋藏低K介電層之絕緣層上覆半導體晶圓的方法及結構係包含形成裝置層在第一半導體基材上。在各種實施例中,自第一半導體基材分離裝置層之至少一部分,其中前述分離形成分開表面在裝置層之分離部分上。在一些具體例中,圖案化低K介電層係形成在第二半導體基材上。然後,在一些實施例中,沿著分開表面,接合裝置層之分離部分至圖案化低K介電層。

    Abstract in simplified Chinese: 一种提供具有埋藏低K介电层之绝缘层上覆半导体晶圆的方法及结构系包含形成设备层在第一半导体基材上。在各种实施例中,自第一半导体基材分离设备层之至少一部分,其中前述分离形成分开表面在设备层之分离部分上。在一些具体例中,图案化低K介电层系形成在第二半导体基材上。然后,在一些实施例中,沿着分开表面,接合设备层之分离部分至图案化低K介电层。

    半導體裝置及其製造方法
    4.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号:TW201911591A

    公开(公告)日:2019-03-16

    申请号:TW107119035

    申请日:2018-06-01

    Abstract: 一種半導體裝置包含:形成在基板中的光二極體;以及至少一電晶體,具有包含第一部分以及耦接到第一部分的末端的第二部分的閘極結構,第一部分設置在基板的主要表面上方並沿著基板的主要表面延伸,且第二部分從基板的主要表面延伸到基板中,其中光二極體以及至少一電晶體至少部分形成畫素。

    Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包含:形成在基板中的光二极管;以及至少一晶体管,具有包含第一部分以及耦接到第一部分的末端的第二部分的闸极结构,第一部分设置在基板的主要表面上方并沿着基板的主要表面延伸,且第二部分从基板的主要表面延伸到基板中,其中光二极管以及至少一晶体管至少部分形成像素。

    半導體裝置及其製造方法
    6.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号:TW201919203A

    公开(公告)日:2019-05-16

    申请号:TW107133037

    申请日:2018-09-19

    Abstract: 一種半導體裝置包含:一電容器,其包含第一金屬板;設置在第一金屬板上方的電容介電層;以及設置在電容介電層上方的第二金屬板;以及一電阻器,其包含金屬薄膜,其中電阻器的金屬薄膜和電容器的第二金屬板是由一相同金屬材料所形成,且其中金屬薄膜的頂表面與電容器之第二金屬板的頂表面實質上共平面。

    Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包含:一电容器,其包含第一金属板;设置在第一金属板上方的电容介电层;以及设置在电容介电层上方的第二金属板;以及一电阻器,其包含金属薄膜,其中电阻器的金属薄膜和电容器的第二金属板是由一相同金属材料所形成,且其中金属薄膜的顶表面与电容器之第二金属板的顶表面实质上共平面。

Patent Agency Ranking