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公开(公告)号：TW201826447A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106128794
申请日：2017-08-24
Inventor： 蔡宇翔 , TSAI, YU HSIANG , 曾仲銓 , TSENG, CHUNG CHUAN , 褚立新 , CHU, LI HSIN , 劉家瑋 , LIU, CHIA WEI
Abstract: 一種提供具有埋藏低K介電層之絕緣層上覆半導體晶圓的方法及結構係包含形成裝置層在第一半導體基材上。在各種實施例中，自第一半導體基材分離裝置層之至少一部分，其中前述分離形成分開表面在裝置層之分離部分上。在一些具體例中，圖案化低K介電層係形成在第二半導體基材上。然後，在一些實施例中，沿著分開表面，接合裝置層之分離部分至圖案化低K介電層。
Abstract in simplified Chinese: 一种提供具有埋藏低K介电层之绝缘层上覆半导体晶圆的方法及结构系包含形成设备层在第一半导体基材上。在各种实施例中，自第一半导体基材分离设备层之至少一部分，其中前述分离形成分开表面在设备层之分离部分上。在一些具体例中，图案化低K介电层系形成在第二半导体基材上。然后，在一些实施例中，沿着分开表面，接合设备层之分离部分至图案化低K介电层。
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公开(公告)号：TWI672821B
公开(公告)日：2019-09-21
申请号：TW107119035
申请日：2018-06-01
Inventor： 洪振翔 , HUNG, CHEN HSIANG , 曾仲銓 , TSENG, CHUNG CHUAN , 褚立新 , CHU, LI HSIN , 賴佳平 , LAI, CHIA PING
IPC: H01L31/111 , H01L21/78 , H01L29/36
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公开(公告)号：TWI669787B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW106128794
申请日：2017-08-24
Inventor： 蔡宇翔 , TSAI, YU HSIANG , 曾仲銓 , TSENG, CHUNG CHUAN , 褚立新 , CHU, LI HSIN , 劉家瑋 , LIU, CHIA WEI
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201911591A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107119035
申请日：2018-06-01
Inventor： 洪振翔 , HUNG, CHEN HSIANG , 曾仲銓 , TSENG, CHUNG CHUAN , 褚立新 , CHU, LI HSIN , 賴佳平 , LAI, CHIA PING
IPC: H01L31/111 , H01L21/78 , H01L29/36
Abstract: 一種半導體裝置包含：形成在基板中的光二極體；以及至少一電晶體，具有包含第一部分以及耦接到第一部分的末端的第二部分的閘極結構，第一部分設置在基板的主要表面上方並沿著基板的主要表面延伸，且第二部分從基板的主要表面延伸到基板中，其中光二極體以及至少一電晶體至少部分形成畫素。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包含：形成在基板中的光二极管；以及至少一晶体管，具有包含第一部分以及耦接到第一部分的末端的第二部分的闸极结构，第一部分设置在基板的主要表面上方并沿着基板的主要表面延伸，且第二部分从基板的主要表面延伸到基板中，其中光二极管以及至少一晶体管至少部分形成像素。
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公开(公告)号：TWI646675B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW105121254
申请日：2016-07-05
Inventor： 吳建瑩 , WU, CHIEN YING , 褚立新 , CHU, LI HSIN , 曾仲銓 , TSENG, CHUNG CHUAN , 劉家瑋 , LIU, CHIA WEI
IPC: H01L27/146
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公开(公告)号：TW201919203A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107133037
申请日：2018-09-19
Inventor： 洪振翔 , HUNG, CHEN HSIANG , 褚立新 , CHU, LI HSIN , 賴佳平 , LAI, CHIA PING , 曾仲銓 , TSENG, CHUNG CHUAN
IPC: H01L27/105 , H01L29/94
Abstract: 一種半導體裝置包含：一電容器，其包含第一金屬板；設置在第一金屬板上方的電容介電層；以及設置在電容介電層上方的第二金屬板；以及一電阻器，其包含金屬薄膜，其中電阻器的金屬薄膜和電容器的第二金屬板是由一相同金屬材料所形成，且其中金屬薄膜的頂表面與電容器之第二金屬板的頂表面實質上共平面。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包含：一电容器，其包含第一金属板；设置在第一金属板上方的电容介电层；以及设置在电容介电层上方的第二金属板；以及一电阻器，其包含金属薄膜，其中电阻器的金属薄膜和电容器的第二金属板是由一相同金属材料所形成，且其中金属薄膜的顶表面与电容器之第二金属板的顶表面实质上共平面。
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公开(公告)号：TW201801166A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105129490
申请日：2016-09-10
Inventor： 黃韋翔 , HUANG, WEI HSIANG , 曾仲銓 , TSENG, CHUNG CHUAN , 劉家瑋 , LIU, CHIA WEI , 褚立新 , CHU, LI HSIN
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/308 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2223/5446
Abstract: 一種分割晶圓之方法，包含定義圍繞一組晶粒的切割道。此方法更包含蝕刻複數個溝渠至此組晶粒中，其中每一個溝渠係位於此組晶粒中的相鄰晶粒之間，且每一個溝渠的寬度係小於切割道之寬度。此方法更包含薄化晶圓，以暴露出此些溝渠之底表面。此方法更包含沿著切割道切割，以將此組晶粒與晶圓之又一部分分開。
Abstract in simplified Chinese: 一种分割晶圆之方法，包含定义围绕一组晶粒的切割道。此方法更包含蚀刻复数个沟渠至此组晶粒中，其中每一个沟渠系位于此组晶粒中的相邻晶粒之间，且每一个沟渠的宽度系小于切割道之宽度。此方法更包含薄化晶圆，以暴露出此些沟渠之底表面。此方法更包含沿着切割道切割，以将此组晶粒与晶圆之又一部分分开。
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公开(公告)号：TW201719871A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105121254
申请日：2016-07-05
Inventor： 吳建瑩 , WU, CHIEN YING , 褚立新 , CHU, LI HSIN , 曾仲銓 , TSENG, CHUNG CHUAN , 劉家瑋 , LIU, CHIA WEI
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14609 , H01L27/14649 , H01L27/14689 , H01L27/14694
Abstract: 紅外線影像感測器組件包含至少一III-V族化合物層於半導體基板上，其中III-V族化合物層自圖案中曝露之部分作用為主動像素區以探測入射紅外線。紅外線影像感測器組件包含至少一電晶體耦接至主動像素區，且藉由主動像素區產生之電荷被傳送至電晶體。
Abstract in simplified Chinese: 红外线影像传感器组件包含至少一III-V族化合物层于半导体基板上，其中III-V族化合物层自图案中曝露之部分作用为主动像素区以探测入射红外线。红外线影像传感器组件包含至少一晶体管耦接至主动像素区，且借由主动像素区产生之电荷被发送至晶体管。
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