公开(公告)号：TWI222175B

公开(公告)日：2004-10-11

申请号：TW092118680

申请日：2003-07-09

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳燕銘 CHEN, YEN MING ,  吳林峻 WU, LIN JUN

IPC: H01L

Abstract: 本發明提供一種具閘極間隙壁之金氧半元件的製造方法。上述金氧半元件的製造方法包括提供一半導體基底，其上具有一閘極結構。接著，以閘極結構為罩幕，植入離子進入半導體基底內，以形成一輕摻雜汲極區域。利用一批次爐管於半導體基底上形成一第一間隙壁，以覆蓋閘極結構的上方及側壁。並利用一單晶圓處理腔體於第一氧化層上形成一第二間隙壁。然後，以非等向性蝕刻第二間隙壁以及第一間隙壁，以形成一閘極間隙壁。以及以閘極結構及閘極隙壁為罩幕，植入離子進入半導體基底內，以形成一源極/汲極區域。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种具闸极间隙壁之金氧半组件的制造方法。上述金氧半组件的制造方法包括提供一半导体基底，其上具有一闸极结构。接着，以闸极结构为罩幕，植入离子进入半导体基底内，以形成一轻掺杂汲极区域。利用一批次炉管于半导体基底上形成一第一间隙壁，以覆盖闸极结构的上方及侧壁。并利用一单晶圆处理腔体于第一氧化层上形成一第二间隙壁。然后，以非等向性蚀刻第二间隙壁以及第一间隙壁，以形成一闸极间隙壁。以及以闸极结构及闸极隙壁为罩幕，植入离子进入半导体基底内，以形成一源极/汲极区域。

公开(公告)号：TW200503171A

公开(公告)日：2005-01-16

申请号：TW092118680

申请日：2003-07-09

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳燕銘 CHEN, YEN MING ,  吳林峻 WU, LIN JUN

IPC: H01L

Abstract: 本發明提供一種具閘極間隙壁之金氧半元件的製造方法。上述金氧半元件的製造方法包括提供一半導體基底，其上具有一閘極結構。接著，以閘極結構為罩幕，植入離子進入半導體基底內，以形成一輕摻雜汲極區域。利用一批次爐管於半導體基底上形成一第一間隙壁，以覆蓋閘極結構的上方及側壁。並利用一單晶圓處理腔體於第一氧化層上形成一第二間隙壁。然後，以非等向性蝕刻第二間隙壁以及第一間隙壁，以形成一閘極間隙壁。以及以閘極結構及閘極隙壁為罩幕，植入離子進入半導體基底內，以形成一源極／汲極區域。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种具闸极间隙壁之金氧半组件的制造方法。上述金氧半组件的制造方法包括提供一半导体基底，其上具有一闸极结构。接着，以闸极结构为罩幕，植入离子进入半导体基底内，以形成一轻掺杂汲极区域。利用一批次炉管于半导体基底上形成一第一间隙壁，以覆盖闸极结构的上方及侧壁。并利用一单晶圆处理腔体于第一氧化层上形成一第二间隙壁。然后，以非等向性蚀刻第二间隙壁以及第一间隙壁，以形成一闸极间隙壁。以及以闸极结构及闸极隙壁为罩幕，植入离子进入半导体基底内，以形成一源极／汲极区域。