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    封裝方法及封裝結構
    1.
    发明专利
    封裝方法及封裝結構 审中-公开
    封装方法及封装结构

    公开(公告)号：TW202018829A

    公开(公告)日：2020-05-16

    申请号：TW108102091

    申请日：2019-01-18

    申请人： 台達電子國際(新加坡)私人有限公司 ,  DELTA ELECTRONICS INT'L (SINGAPORE) PTE LTD

    发明人： 陳建銘 ,  CHEN, CHIEN MING ,  林 平平 ,  LIM, BENG BENG

    IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/528

    摘要： 本案係提供一種封裝方法及封裝結構，首先，提供半封裝單元，半封裝單元包含嵌於絕緣結構內之電子元件、導熱結構、第一金屬層及第二金屬層，第一金屬層係貼附於電子元件，第二金屬層係貼附於導熱結構，接著，移除部分的絕緣結構以形成設置於半封裝單元之邊緣處之至少一凹部，並移除部分的絕緣結構使得於半封裝單元之一側形成複數個第一開孔，以暴露出第一金屬層及第二金屬層，接著，形成一第一金屬重佈線層以連接絕緣結構、第一金屬層及第二金屬層，接著，於第一金屬重佈線層上形成複數個第二開孔，並於複數個第二開孔上形成第一遮罩。

    简体摘要： 本案系提供一种封装方法及封装结构，首先，提供半封装单元，半封装单元包含嵌于绝缘结构内之电子组件、导热结构、第一金属层及第二金属层，第一金属层系贴附于电子组件，第二金属层系贴附于导热结构，接着，移除部分的绝缘结构以形成设置于半封装单元之边缘处之至少一凹部，并移除部分的绝缘结构使得于半封装单元之一侧形成复数个第一开孔，以暴露出第一金属层及第二金属层，接着，形成一第一金属重布线层以连接绝缘结构、第一金属层及第二金属层，接着，于第一金属重布线层上形成复数个第二开孔，并于复数个第二开孔上形成第一遮罩。