公开(公告)号：TWI699865B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：TW107117560

申请日：2018-05-23

申请人： 美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 臧輝 ,  ZANG, HUI ,  許國偉 ,  XU, GUOWEI ,  陶巴克曼 凱斯 ,  TABAKMAN, KEITH ,  薩德塞 維拉傑 ,  SARDESAI, VIRAJ

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/60

公开(公告)号：TW202026919A

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：TW108135322

申请日：2019-09-27

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 楊榮展 ,  YANG, JUNG CHAN ,  張豐願 ,  CHANG, FONG YUAN ,  田麗鈞 ,  TIEN, LI CHUN ,  陳庭榆 ,  CHEN, TING YU

IPC分类号： G06F17/50 ,  H01L23/528

摘要： 一種產生積體電路佈局圖的方法包括以下步驟。在積體電路佈局圖中定位一或多個單元。基於第一金屬層切削區域對準圖案，使一或多個單元與第一金屬層切削區域重疊。第一金屬層切削區域對準圖案包括等於一或多個單元之高度的第一金屬層切削間距。

简体摘要： 一种产生集成电路布局图的方法包括以下步骤。在集成电路布局图中定位一或多个单元。基于第一金属层切削区域对准图案，使一或多个单元与第一金属层切削区域重叠。第一金属层切削区域对准图案包括等于一或多个单元之高度的第一金属层切削间距。

公开(公告)号：TW202022925A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：TW108109570

申请日：2019-03-20

申请人： 南亞科技股份有限公司 ,  NANYA TECHNOLOGY CORPORATION

发明人： 丘世仰 ,  CHIU, HSIH-YANG

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/60 ,  H01L23/528

摘要： 本揭露提供一種半導體元件及其製造方法。該半導體元件包括：一半導體基底、一抑制層、複數個接觸插塞以及複數個穿矽通孔。該抑制層設置在該半導體基底的上方；該接觸插塞插入該抑制層內；該穿矽通孔從該半導體基底的一背表面延伸到一前表面，該前表面與該背表面相對，其中該穿矽通孔分別與該接觸插塞接觸。

简体摘要： 本揭露提供一种半导体组件及其制造方法。该半导体组件包括：一半导体基底、一抑制层、复数个接触插塞以及复数个穿硅通孔。该抑制层设置在该半导体基底的上方；该接触插塞插入该抑制层内；该穿硅通孔从该半导体基底的一背表面延伸到一前表面，该前表面与该背表面相对，其中该穿硅通孔分别与该接触插塞接触。

公开(公告)号：TWI695476B

公开(公告)日：2020-06-01

申请号：TW106105522

申请日：2017-02-20

申请人： 日商艾普凌科有限公司 ,  ABLIC INC.

发明人： 北島裕一郎 ,  KITAJIMA, YUICHIRO

IPC分类号： H01L23/525 ,  H01L23/528

公开(公告)号：TWI694573B

公开(公告)日：2020-05-21

申请号：TW107134809

申请日：2018-10-02

申请人： 美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 彼爾 迪克 ,  BREUER, DIRK ,  塔魯特 喬治 ,  TALUT, GEORG

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

公开(公告)号：TW202018829A

公开(公告)日：2020-05-16

申请号：TW108102091

申请日：2019-01-18

申请人： 台達電子國際(新加坡)私人有限公司 ,  DELTA ELECTRONICS INT'L (SINGAPORE) PTE LTD

发明人： 陳建銘 ,  CHEN, CHIEN MING ,  林 平平 ,  LIM, BENG BENG

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/528

摘要： 本案係提供一種封裝方法及封裝結構，首先，提供半封裝單元，半封裝單元包含嵌於絕緣結構內之電子元件、導熱結構、第一金屬層及第二金屬層，第一金屬層係貼附於電子元件，第二金屬層係貼附於導熱結構，接著，移除部分的絕緣結構以形成設置於半封裝單元之邊緣處之至少一凹部，並移除部分的絕緣結構使得於半封裝單元之一側形成複數個第一開孔，以暴露出第一金屬層及第二金屬層，接著，形成一第一金屬重佈線層以連接絕緣結構、第一金屬層及第二金屬層，接著，於第一金屬重佈線層上形成複數個第二開孔，並於複數個第二開孔上形成第一遮罩。

简体摘要： 本案系提供一种封装方法及封装结构，首先，提供半封装单元，半封装单元包含嵌于绝缘结构内之电子组件、导热结构、第一金属层及第二金属层，第一金属层系贴附于电子组件，第二金属层系贴附于导热结构，接着，移除部分的绝缘结构以形成设置于半封装单元之边缘处之至少一凹部，并移除部分的绝缘结构使得于半封装单元之一侧形成复数个第一开孔，以暴露出第一金属层及第二金属层，接着，形成一第一金属重布线层以连接绝缘结构、第一金属层及第二金属层，接着，于第一金属重布线层上形成复数个第二开孔，并于复数个第二开孔上形成第一遮罩。

公开(公告)号：TW202015206A

公开(公告)日：2020-04-16

申请号：TW108144744

申请日：2015-08-20

申请人： 美商納維達斯半導體公司 ,  NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC.

发明人： 金瑟 丹尼爾 M ,  KINZER, DANIEL M.

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L27/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/78 ,  H01L29/87

摘要： 本發明揭示一種電子電路。該電子電路包含一分布功率開關。在一些實施例中，該電子電路亦包含一分布閘極驅動器、一分布閘極下拉裝置、一分布二極體及一低電阻閘極及/或源極連接結構之一或多者。本發明亦揭示一種包括該電路之電子組件及製造該電路之方法。

简体摘要： 本发明揭示一种电子电路。该电子电路包含一分布功率开关。在一些实施例中，该电子电路亦包含一分布闸极驱动器、一分布闸极下拉设备、一分布二极管及一低电阻闸极及/或源极连接结构之一或多者。本发明亦揭示一种包括该电路之电子组件及制造该电路之方法。

公开(公告)号：TWI691037B

公开(公告)日：2020-04-11

申请号：TW107136962

申请日：2018-10-19

申请人： 美商塞爾席斯公司 ,  XCELSIS CORPORATION

发明人： 迪拉庫茲 賈維爾 ,  DELACRUZ, JAVIER ,  泰格 史蒂芬 L ,  TEIG, STEVEN L. ,  奈奎斯特 艾瑞克 M ,  NEQUIST, ERIC M. ,  莫罕默德 伊爾雅斯 ,  MOHAMMED, ILYAS ,  米爾克阿瑞米 蘿拉 ,  MIRKARIMI, LAURA

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L25/065

公开(公告)号：TWI691036B

公开(公告)日：2020-04-11

申请号：TW104119248

申请日：2015-06-15

申请人： 澳大利亞商西拉娜集團私人有限公司 ,  THE SILANNA GROUP PTY LTD

发明人： 克勞思 諾伯特 ,  KRAUSE, NORBERT ,  摩吉 雅蘇德漢V ,  MOGHE, YASHODHAN VIJAY

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

公开(公告)号：TWI690048B

公开(公告)日：2020-04-01

申请号：TW106113769

申请日：2017-04-25

申请人： 美商格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES U. S. 2 LLC

发明人： 高明 哈 ,  CAO, HUY ,  孫志國 ,  SUN, ZHIGUO ,  史帕德二世 約瑟夫F ,  SHEPARD JR.,, JOSEPH F. ,  張木申M ,  CHAE, MOOSUNG M.

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768