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    金屬矽化物熱感測器及其製法
    1.
    发明专利
    金屬矽化物熱感測器及其製法 审中-公开
    金属硅化物热传感器及其制法

    公开(公告)号：TW201330338A

    公开(公告)日：2013-07-16

    申请号：TW101101317

    申请日：2012-01-13

    申请人： 國立高雄應用科技大學 ,  NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF APPLIED SCIENCES

    发明人： 陳忠男 ,  蕭健華 ,  黃文琦

    IPC分类号： H01L35/00 ,  H01L35/34

    CPC分类号： H01C7/008 ,  H01C1/14

    摘要： 本發明是一種金屬矽化物熱感測器及其製法，係於一感測器本體形成複數蝕刻窗口與一空穴，蝕刻窗口形成於該感測器本體表面，空穴形成於蝕刻窗口下方且連通蝕刻窗口；所述蝕刻窗口將該感測器本體表面區分為一懸浮部與複數連接部，該懸浮部包含有一呈連續彎曲狀的導電線路，該導電線路為金屬矽化物，該感測器本體上形成有複數個電極且分別電性連接所述導電線路；本發明金屬矽化物所選用的材料係相容於一般CMOS製程而可以降低成本，且金屬矽化物具有正電阻溫度係數及於高溫時有較佳的穩定性，故可提升熱感測器的性能。

    简体摘要： 本发明是一种金属硅化物热传感器及其制法，系于一传感器本体形成复数蚀刻窗口与一空穴，蚀刻窗口形成于该传感器本体表面，空穴形成于蚀刻窗口下方且连通蚀刻窗口；所述蚀刻窗口将该传感器本体表面区分为一悬浮部与复数连接部，该悬浮部包含有一呈连续弯曲状的导电线路，该导电线路为金属硅化物，该传感器本体上形成有复数个电极且分别电性连接所述导电线路；本发明金属硅化物所选用的材料系兼容于一般CMOS制程而可以降低成本，且金属硅化物具有正电阻温度系数及于高温时有较佳的稳定性，故可提升热传感器的性能。