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    VDMOS及其製造方法
    2.
    发明专利
    VDMOS及其製造方法 审中-公开
    VDMOS及其制造方法

    公开(公告)号：TW201731100A

    公开(公告)日：2017-09-01

    申请号：TW105121210

    申请日：2016-07-05

    申请人： 奧尼卡電子有限公司 ,  INTERNATIONAL ONIZUKA ELECTRONICS LIMITED

    发明人： 黎 茂林 ,  LAI, MAU LAM ,  蒙 若賢 ,  MONG, YEUK YIN ,  周 德光 ,  CHAU, DUC QUANG

    IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

    CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811

    摘要： 一種VDMOS包括基板、外延層、在外延層中界定的第一和第二類型的溝、在溝中形成的遮罩柵極和控制柵極、在外延層處以及第一和第二溝之間形成的本體區域、在本體區域處形成的N+源極區域、在本體區域下外延層中形成的獨特的摻雜區域，朝溝的底部延伸，以及具有高於外延層的雜質濃度、鄰近溝的外延層和N+源極區域之間界定的溝道、界定延伸到本體區域和第一溝中的接觸孔的絕緣層、對應於接觸孔的本體區域中形成的P+本體拾取區域；以及具有填充在接觸孔中的對接觸點的金屬層，金屬層連接N+源極區域、P+本體拾取區域、和第一類型的溝中的遮罩柵極及/或控制柵極。

    简体摘要： 一种VDMOS包括基板、外延层、在外延层中界定的第一和第二类型的沟、在沟中形成的遮罩栅极和控制栅极、在外延层处以及第一和第二沟之间形成的本体区域、在本体区域处形成的N+源极区域、在本体区域下外延层中形成的独特的掺杂区域，朝沟的底部延伸，以及具有高于外延层的杂质浓度、邻近沟的外延层和N+源极区域之间界定的沟道、界定延伸到本体区域和第一沟中的接触孔的绝缘层、对应于接触孔的本体区域中形成的P+本体十取区域；以及具有填充在接触孔中的对接触点的金属层，金属层连接N+源极区域、P+本体十取区域、和第一类型的沟中的遮罩栅极及/或控制栅极。