公开(公告)号：TWI701826B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：TW105100313

申请日：2016-01-06

申请人： 德商馬克專利公司 ,  MERCK PATENT GMBH

发明人： 克區 皮爾 ,  KIRSCH, PEER ,  童瓊 ,  TONG, QIONG ,  羅爾 安卓雅斯 ,  RUHL, ANDREAS ,  托橈 馬克 ,  TORNOW, MARC ,  布拉 亞齊尤 ,  BORA, ACHYUT

IPC分类号： H01L27/24

公开(公告)号：TW201811718A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106122632

申请日：2017-07-06

申请人： 德商馬克專利公司 ,  MERCK PATENT GMBH

发明人： 克區 皮爾 ,  KIRSCH, PEER ,  羅爾 安卓雅斯 ,  RUHL, ANDREAS ,  托橈 馬克 ,  TORNOW, MARC ,  布拉 亞齊尤 ,  BORA, ACHYUT

IPC分类号： C07C13/28 ,  C09K19/00 ,  H01L51/30

CPC分类号： C09K19/60 ,  C09B17/04 ,  C09B49/00 ,  C09B69/00 ,  H01L27/285 ,  H01L51/0591

摘要： 本發明揭示電子切換元件(1)，其按以下順序包含 第一電極(20)， 接合至基板之分子層(18)，及 第二電極(16)， 其中該分子層基本上由技術方案1中所指示之式I化合物組成，其中液晶原基團係經由間隔基團(Sp)藉助錨定基團(G)接合至該基板，該電子切換元件(1)適於產生作為憶阻裝置用於數位資訊儲存之組件(10)。

简体摘要： 本发明揭示电子切换组件(1)，其按以下顺序包含 第一电极(20)， 接合至基板之分子层(18)，及 第二电极(16)， 其中该分子层基本上由技术方案1中所指示之式I化合物组成，其中液晶原基团系经由间隔基团(Sp)借助锚定基团(G)接合至该基板，该电子切换组件(1)适于产生作为忆阻设备用于数码信息存储之组件(10)。

公开(公告)号：TW201637192A

公开(公告)日：2016-10-16

申请号：TW105100313

申请日：2016-01-06

申请人： 馬克專利公司 ,  MERCK PATENT GMBH

发明人： 克區 皮爾 ,  KIRSCH, PEER ,  童瓊 ,  TONG, QIONG ,  羅爾 安卓雅斯 ,  RUHL, ANDREAS ,  托橈 馬克 ,  TORNOW, MARC ,  布拉 亞齊尤 ,  BORA, ACHYUT

IPC分类号： H01L27/24

CPC分类号： H01L51/0591 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/73 ,  H01L27/285 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/102

摘要： 本發明揭示一種包括複數個切換元件(1)之電子組件(10)，該切換元件包括(以此順序)，第一電極(16)，結合至基板之分子層(18)，及第二電極(20)，其中該分子層基本上由分子(M)組成，該分子含有連接基團(V)及具有極性或離子官能的端基(E)，其係適宜作為用於數位資訊存儲的憶阻裝置(memristive device)。

简体摘要： 本发明揭示一种包括复数个切换组件(1)之电子组件(10)，该切换组件包括(以此顺序)，第一电极(16)，结合至基板之分子层(18)，及第二电极(20)，其中该分子层基本上由分子(M)组成，该分子含有连接基团(V)及具有极性或离子官能的端基(E)，其系适宜作为用于数码信息存储的忆阻设备(memristive device)。