公开(公告)号：TW201838139A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：TW107102624

申请日：2018-01-25

申请人： 新加坡商星科金朋有限公司 ,  STATS CHIPPAC PTE. LTD.

发明人： 尹仁相 ,  YOON, INSANG ,  蔡昇龍 ,  CHAI, SEUNGYONG ,  朴素演 ,  PARK, SOYEON

IPC分类号： H01L23/60

摘要： 一種半導體裝置係具有一第一導電層以及一第二導電層。該第一導電層的一第一部分係與該第二導電層的一第一部分對準。一絕緣層係沉積在該第一導電層以及第二導電層之上。一第三導電層係包含與該第一導電層的該第一部分以及該第二導電層的該第一部分垂直地對準的該第三導電層的一第一部分。一電性構件係被設置在該第一導電層以及第二導電層之上。一密封劑係沉積在該第一導電層、第二導電層、以及電性構件之上。一切割係穿過該密封劑、第一導電層、以及第二導電層來加以完成。一第四導電層係沉積在該第一導電層、第二導電層、以及密封劑的側表面之上。

简体摘要： 一种半导体设备系具有一第一导电层以及一第二导电层。该第一导电层的一第一部分系与该第二导电层的一第一部分对准。一绝缘层系沉积在该第一导电层以及第二导电层之上。一第三导电层系包含与该第一导电层的该第一部分以及该第二导电层的该第一部分垂直地对准的该第三导电层的一第一部分。一电性构件系被设置在该第一导电层以及第二导电层之上。一密封剂系沉积在该第一导电层、第二导电层、以及电性构件之上。一切割系穿过该密封剂、第一导电层、以及第二导电层来加以完成。一第四导电层系沉积在该第一导电层、第二导电层、以及密封剂的侧表面之上。