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发明专利
延伸汲極MOSFETS(EDMOS) 有权
简体标题：延伸汲极MOSFETS(EDMOS)

公开(公告)号：TWI699000B

公开(公告)日：2020-07-11

申请号：TW108117121

申请日：2019-05-17

申请人： 新加坡商格芯(新加坡)私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.

发明人： 楊嘉晶 , YEO, CHIA CHING , 林啟榮 , LIM, KHEE YONG , 郭克文 , QUEK, KIOK BOONE ELGIN , 迪士尼唐納R , DISNEY, DONALD R.

IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28