利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

4 条记录 (耗时 0.021 秒)

    發光裝置及螢光體
    1.
    发明专利
    發光裝置及螢光體 审中-公开
    发光设备及萤光体

    公开(公告)号：TW201833302A

    公开(公告)日：2018-09-16

    申请号：TW107103420

    申请日：2018-01-31

    申请人： 日商三菱化學股份有限公司 ,  MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION

    发明人： 洪炳哲 ,  HONG, BYUNGCHUL ,  池宮桂 ,  IKEMIYA, KATSURA ,  小野塚亜裕子 ,  ONOZUKA, AYUKO

    IPC分类号： C09K11/77 ,  H01L33/50

    摘要： 本發明之課題係提供一種在Si檢測器之高感度的波長區域發光的新穎紅外發光螢光體，及包含在紫外光或可見光的波長區域發光的半導體發光元件與該紅外發光螢光體的紅外發光裝置。本發明之該發光裝置，係包含發出紫外光或可見光的半導體發光元件與吸收從該半導體發光元件發出之紫外光或可見光紅外光域發光之螢光體的發光裝置，其特徵為：在該紅外光域發光的螢光體，其在紅外光域中的發光峰值波長位於波長700至1000nm之間；該發光峰值之波形的半值寬小於60nm，而可藉該發光裝置解決上述課題。

    简体摘要： 本发明之课题系提供一种在Si检测器之高感度的波长区域发光的新颖红外发光萤光体，及包含在紫外光或可见光的波长区域发光的半导体发光组件与该红外发光萤光体的红外发光设备。本发明之该发光设备，系包含发出紫外光或可见光的半导体发光组件与吸收从该半导体发光组件发出之紫外光或可见光红外光域发光之萤光体的发光设备，其特征为：在该红外光域发光的萤光体，其在红外光域中的发光峰值波长位于波长700至1000nm之间；该发光峰值之波形的半值宽小于60nm，而可藉该发光设备解决上述课题。

    發光裝置及螢光體
    2.
    发明专利
    發光裝置及螢光體 审中-公开
    发光设备及萤光体

    公开(公告)号：TW201903127A

    公开(公告)日：2019-01-16

    申请号：TW107115960

    申请日：2018-05-10

    申请人： 日商三菱化學股份有限公司 ,  MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION

    发明人： 洪炳哲 ,  HONG, BYUNGCHUL

    IPC分类号： C09K11/08 ,  C09K11/68 ,  C09K11/78 ,  C09K11/80 ,  H01L33/50 ,  B42D25/36 ,  G06K17/00 ,  G06K19/06

    摘要： 本發明課題在於提供：藉由與在可見光範圍發光的半導體發光元件組合，而在檢測器之高感度波長域發光的紅外發光螢光體，以及使用其的紅外發光裝置。本發明的發光裝置其特徵為，係含有：發出紫外光或可見光之半導體發光元件；及吸收由該半導體發光元件發出的紫外光或可見光，並在紅外區域發光的螢光體；該在紅外區域發光的螢光體於紅外區域的發光尖峰波長係在波長750至1050nm間，且該發光尖峰的波形之半高寬係超過50nm。藉由該發光裝置可解決該課題。

    简体摘要： 本发明课题在于提供：借由与在可见光范围发光的半导体发光组件组合，而在检测器之高感度波长域发光的红外发光萤光体，以及使用其的红外发光设备。本发明的发光设备其特征为，系含有：发出紫外光或可见光之半导体发光组件；及吸收由该半导体发光组件发出的紫外光或可见光，并在红外区域发光的萤光体；该在红外区域发光的萤光体于红外区域的发光尖峰波长系在波长750至1050nm间，且该发光尖峰的波形之半高宽系超过50nm。借由该发光设备可解决该课题。